SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題

今天我們繼續(xù)講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題》 ? 機(jī)制 在雙極性運(yùn)行（PN結(jié)，比如MOSFET的體二極管，在導(dǎo)電時(shí)）條件下，...

2021-02-08 標(biāo)簽：二極管MOSFETSiC 1.2萬 0

300億！ 近十年內(nèi)亞洲最大的汽車電子融資！

1月20日消息，比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司已接受中金公司IPO輔導(dǎo)，并于近日在深圳證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案。行業(yè)專家認(rèn)為，比亞迪半導(dǎo)體作為國內(nèi)為數(shù)不多的汽車芯片...

2021-01-21 標(biāo)簽：比亞迪華為IGBT 7k 1

通過TEM技術(shù)觀測(cè)缺陷位點(diǎn)附近的聲子傳播

? 晶體中的缺陷結(jié)構(gòu)會(huì)通過影響散射聲子影響聲子譜，導(dǎo)致材料的熱力學(xué)、傳熱性質(zhì)變化，為了精確的表征缺陷對(duì)固體中導(dǎo)熱、熱擴(kuò)散的影響，理解聲子-缺陷之間的相互...

2021-02-13 標(biāo)簽：SiC電鏡 4k 0

多家半導(dǎo)體制造商都在今年大舉措擴(kuò)大產(chǎn)能，SiC競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)進(jìn)入白熱化

日本半導(dǎo)體制造商羅姆在ROHM Apollo Co．，Ltd．（總部位于日本福岡縣）筑后工廠投建的新廠房于近日完工，并將于本月開始安裝生產(chǎn)設(shè)備，以滿足電...

2021-01-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 2.8k 0

碳化硅已成為國內(nèi)外汽車企業(yè)的布局重點(diǎn)

近日，據(jù)韓媒報(bào)道，多名業(yè)內(nèi)人士透露，LG集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，重點(diǎn)押注碳化硅PMIC以及MCU。

2021-01-13 標(biāo)簽：芯片MOSFET功率器件 4.5k 0

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。

2021-01-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車導(dǎo)通電阻SiC 2.1k 0

天狼芯半導(dǎo)體獲數(shù)千萬人民幣A輪融資

深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天狼芯”）于近日宣布獲得數(shù)千萬人民幣A輪融資。本輪融資由青島大有資本領(lǐng)投，創(chuàng)享投資跟投。資金將主要用于晶圓采購、產(chǎn)品...

2021-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 3.6k 0

利普思半導(dǎo)體完成4000萬元Pre-A輪融資

無錫利普思半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱利普思半導(dǎo)體）近日完成Pre-A輪融資，由正泰集團(tuán)領(lǐng)投、水木易德跟投，融資金額達(dá)4000萬元。利普思半導(dǎo)體成立于2019年...

2020-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓IGBT 4.1k 0

車廠逐漸導(dǎo)入,SiC晶圓供不應(yīng)求

近日，英飛凌與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。英飛凌此舉無疑是看到了Si...

2020-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 4k 0

基于簡(jiǎn)單的支架多片4H-SiC化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延生長(zhǎng)

雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者...

2020-12-26 標(biāo)簽：SiC碳化硅 1.4k 0

傳比亞迪自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線

碳化硅（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開始布局。 據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀...

2020-12-25 標(biāo)簽：比亞迪電力電子SiC 2.8k 0

GaN產(chǎn)業(yè)格局初成,國內(nèi)廠商加速布局

我國GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；?、商業(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6...

2020-12-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻SiC 3.3k 0

SiC基芯片背面通孔刻蝕工藝研究的優(yōu)勢(shì)是什么

摘要:通過對(duì)感應(yīng)耦合等離子體(ICP)設(shè)備裝片夾具進(jìn)行改進(jìn)，提高了背氦的導(dǎo)熱效率，減小了下電極基底與晶圓表面之間的溫度差，提高了冷卻效果。對(duì)裝片夾具改進(jìn)...

2020-12-29 標(biāo)簽：芯片SiC 2.4k 0

電裝深耕SiC功率半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)

為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI...

2020-12-21 標(biāo)簽：燃料電池半導(dǎo)體SiC 4.2k 0

Cree Wolfspeed攜手泰克，共迎寬禁帶半導(dǎo)體器件發(fā)展契機(jī)與挑戰(zhàn)

Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

2020-12-21 標(biāo)簽：新能源汽車泰克SiC 1.4k 0

第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC的發(fā)展趨勢(shì)及投資機(jī)會(huì)分析

眾所周知，先發(fā)優(yōu)勢(shì)是半導(dǎo)體行業(yè)的特點(diǎn)。而在第三代半導(dǎo)體方面，國內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。

2020-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC5G 4.6k 0