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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

5種羅姆常用的SiC功率器件介紹(上)

汽車日漸走向智能化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,加上5G商用在即,這些將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),...

2023-02-02 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率 2.4k 0

5種羅姆常用的SiC功率器件介紹(下)

高頻驅(qū)動,有利于外圍元器件的小型化 在PWM逆變器驅(qū)動時(shí)的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關(guān)頻率的損耗在5kHz時(shí)減少30%、20k...

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IGBT在前,SiC在后,新能源汽車該如何選擇?

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2022-12-06 標(biāo)簽:新能源汽車IGBTSiC 1.3k 0

溫故而知新—SiC,您真的了解嗎?

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 前言 在Tech Web的“基礎(chǔ)知識”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來,使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法,以大功...

2023-02-01 標(biāo)簽:元器件SiC 1.1k 0

簡要剖析碳化硅

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 近年來,全球?qū)﹄娏Φ男枨笾鹉暝鲩L。伴隨著化學(xué)燃料的枯竭和CO2排放量增多引發(fā)的全球變暖現(xiàn)象,人們對能源問題和地球環(huán)境問題的擔(dān)憂日...

2023-02-01 標(biāo)簽:晶體管BJTSiC 1.5k 0

究竟是什么支撐著SiC的霸主地位??

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 隨著科技產(chǎn)品的更新?lián)Q代,科技產(chǎn)物所使用的原材料當(dāng)然也將接受不同的命運(yùn)?;虮粡U棄;或被淘汰;或被改良;又或是與其他材料碰撞以研究出新...

2022-12-23 標(biāo)簽:SiC 883 0

你了解SiC是如何改變傳統(tǒng)的燃油車的嗎

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) EV是Electric Vehicle的縮寫,也稱為“電動汽車”。最初是電力驅(qū)動的交通工具的總稱,但一般情況下僅指汽車。本文將通過...

2022-12-09 標(biāo)簽:電動汽車SiC 875 0

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線全面貫通

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心自2017年6月啟動建設(shè)。啟迪新材料集團(tuán)和蕪湖市建設(shè)投資有限公司通力合作,在蕪湖市委、市政府和高新區(qū)管委會以及發(fā)改委、科技局、經(jīng)...

2020-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN器件 6.2k 0

淺談功率半導(dǎo)體的未來

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 制造工藝、材料和包裝技術(shù)的進(jìn)步,加上新的應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn),正在為寬帶隙器件創(chuàng)造各種各樣的復(fù)蘇。 電子制造業(yè)正以高于美國GDP的穩(wěn)定...

2023-02-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 729 0

使用SiC提高工業(yè)應(yīng)用的能源效率(1)

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 包括服務(wù)器電源、不間斷電源(UPS)和電機(jī)驅(qū)動器在內(nèi)的工業(yè)應(yīng)用消耗了世界上很大一部分電力。因此,工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降...

2022-11-29 標(biāo)簽:電源SiC 1k 0

華潤微宣布首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)

華潤微的歷史可追溯至香港華科電子公司。1983年,華潤集團(tuán)與原四機(jī)部、七機(jī)部、外經(jīng)貿(mào)部聯(lián)合在香港設(shè)立微電子企業(yè)——香港華科電子公司,建立中國首條4英寸晶...

2020-09-30 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 6.7k 0

新應(yīng)用的出現(xiàn)將推動碳化硅電力電子器件市場的發(fā)展

雖然SiC 可以通過人工制成,但加工過程卻極其困難,因此sic功率元器件如何量產(chǎn)一直是業(yè)界的難題。羅姆在這方面已經(jīng)擁有近30年經(jīng)驗(yàn),2012年3月就開始...

2020-09-28 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體電子元件 2.3k 0

第三代半導(dǎo)體  全村的希望

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什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、...

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新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展趨勢

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智) 在新能源汽車的BOM成本中,電池組的成本是最高的,其次就是電驅(qū)動系統(tǒng)的成本了,電驅(qū)動系統(tǒng)的成本包括電機(jī)與電控,電控部分包...

2020-09-28 標(biāo)簽:新能源電機(jī)驅(qū)動SiC 1.0萬 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅 爆發(fā)式增長的明日之星

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看點(diǎn):第三代半導(dǎo)體碳化硅,爆發(fā)式增長的明日之星。 功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率(理想轉(zhuǎn)化率100%),基于 SIC 材料的功率器件...

2020-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 5.6k 0

SiC在半導(dǎo)體中的好處分析

在外延片方面,我國已經(jīng)取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng),建成或在建一批專用的碳化硅晶圓廠等。比如瑞能的碳化硅二極管產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈...

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5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

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RF GaAs模具市場將從2019年的28億美元左右增長到2025年的36億美元以上。這一市場是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長推動的。

2021-01-04 標(biāo)簽:射頻SiC氮化鎵 2.4k 0

意法半導(dǎo)體第二代SiC功率MosFET特性

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意法半導(dǎo)體(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有單位面積極低的導(dǎo)通電阻(RDSon)和優(yōu)良的開關(guān)性能,開關(guān)損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。 ST...

2020-11-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 1.9k 0

Microchip推出AgileSwitch數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器和SiC功率模塊套件

在討論SiC的過程中,人們往往忽略了其用戶可能面臨的負(fù)面二次效應(yīng)。雖然SiC器件提供快速開關(guān),但其結(jié)果可能是由振鈴、過沖和欠沖造成的噪聲。SiC還容易發(fā)...

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基于GaN和SiC的功率半導(dǎo)體將推動電力電子封裝集成和應(yīng)用

另一方面,地殼中含有豐富的硅元素,其中30%是由硅組成的。工業(yè)規(guī)模的單晶碳化硅錠的生長是一種成熟的、可利用的資源。最近,先驅(qū)者已經(jīng)開始評估8英寸晶圓,有...

2020-09-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 2.3k 0

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