解密羅姆“中期經(jīng)營計劃”：打造電動汽車市場全球份額NO.1的產(chǎn)品

汽車電動化，被認(rèn)為是汽車產(chǎn)業(yè)百年未有之大變局，電池、電機和電控系統(tǒng)成為一臺車子新的“三大件”，也重塑了汽車產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，從開發(fā)、生產(chǎn)、使用到維護引入了全新...

2021-08-05 標(biāo)簽：功率器件SiC羅姆 2.2k 0

安森美半導(dǎo)體將在上海AMTS展示 用于未來汽車的電源和感知方案

AR0144AT駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)具有一個100萬像素傳感器，對紅外（940納米）LED照明的高靈敏度進行了優(yōu)化，并具有行業(yè)領(lǐng)先的快門效率，實現(xiàn)精確的眼睛/...

2021-07-02 標(biāo)簽：新能源汽車led照明電源模塊 2.7k 0

英飛凌如何確保SiC的適用性和準(zhǔn)確性

阿里達摩院發(fā)表了2021十大科技趨勢，令業(yè)內(nèi)歡欣鼓舞的是“以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”列為十大之首。未來幾年，以氮化鎵和碳化硅為...

2021-06-30 標(biāo)簽：英飛凌二極管sic 2.1k 0

第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月，富士經(jīng)濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年將達到 404...

2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2.7k 0

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展熱潮

? 第三代半導(dǎo)體材料是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，是國家新材料發(fā)展計劃的重中之重?！笆奈濉逼陂g，我國將在教育、科研、開發(fā)、融資...

2021-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體TSMCSiC 1.2萬 0

科銳攜手高斯寶，為服務(wù)器電源市場帶來SiC解決方案

得益于云、AI 人工智能、分布式存儲、5G等行業(yè)的快速發(fā)展，對于服務(wù)器電源和算力電源的需求大幅增長。

2021-06-10 標(biāo)簽：服務(wù)器SiC人工智能 1.6k 0

英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅(qū)動器系列推出增強型隔離產(chǎn)品

應(yīng)用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅(qū)動電流等規(guī)格，及90 ns的優(yōu)化傳輸時延。

2021-06-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 1k 0

貿(mào)澤電子Empowering Innovation Together系列最新節(jié)目，探討電源管理新技術(shù)

本系列將重點關(guān)注每個月的行業(yè)技術(shù)熱點，并圍繞當(dāng)今的關(guān)鍵技術(shù)趨勢及時推出播客、視頻、博客、文章和信息圖

2021-06-03 標(biāo)簽：電源管理安森美半導(dǎo)體SiC 1.3k 0

太陽能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個重要方案

太陽能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個重要方案。大多數(shù)人都知道，過去10年來太陽能發(fā)電成本驚人地下降了82%。在太陽能選址（太陽能的位置）和共同土地使用...

2021-05-28 標(biāo)簽：集成太陽能電池板IGBT 3k 0

所有應(yīng)用都需要更多含量的的功率半導(dǎo)體

隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調(diào)(HVAC)和工業(yè)驅(qū)動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉(zhuǎn)換和消耗）所能達到的能效將決定整...

2021-05-24 標(biāo)簽：逆變器功率器件SiC 1.7k 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場有望在2027年達45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美...

2021-05-21 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 2.9k 0

碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星

作為第三代半導(dǎo)體的代表，碳化硅材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...

2021-05-18 標(biāo)簽：新能源車半導(dǎo)體材料SiC 3.5k 0

新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電失效分析

本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對比定位效果，然后用FIB做定點截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁...

2021-07-16 標(biāo)簽：芯片漏電SiC 2.5k 0

英飛凌與日本圓晶制造商簽供應(yīng)合同 確保芯片基材碳化硅供應(yīng)安全

5月7日消息 日前，據(jù)外媒報道，英飛凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）與日本晶圓制造商昭和電工（Showa Denk...

2021-05-07 標(biāo)簽：英飛凌晶圓SiC 1.9k 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機驅(qū)動器中的作用

SiC肖特基勢壘二極管不使用反并聯(lián)硅二極管，可集成到系統(tǒng)中。硅基二極管有反向恢復(fù)電流，會造成開關(guān)損耗（以及產(chǎn)生電磁干擾，或EMI），而SiC二極管的反向...

2021-04-27 標(biāo)簽：MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 2k 0