CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊，以滿足其對自然冷卻的需求

CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動器的整體融合設(shè)計，且可通過仔細調(diào)整dv/dt去實現(xiàn)控制，通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM，從而將開關(guān)能量...

2021-04-27 標簽：功率轉(zhuǎn)換器晶體管CISSOID 1.4k 0

SiC的驅(qū)動電壓多少才合適？

過去的一年，作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，碳化硅（SiC）器件著實火了一把，其高工作溫度、高擊穿場強、高耐壓、高熱導(dǎo)率、高功率密度以及高可靠性，為設(shè)計師打...

2021-04-26 標簽：半導(dǎo)體安森美SiC 5.8k 0

Ga2O3器件仿真技術(shù)面臨哪些難點

目前，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢，突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料（GaAs、InP等）技術(shù)發(fā)...

2021-04-22 標簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.2k 0

2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分，據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復(fù)管提...

2021-04-01 標簽：封裝SiC碳化硅 2.2k 1

賦能未來，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

在2011年，在經(jīng)過了將近二十年的研發(fā)之后，科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實現(xiàn)。

2021-03-17 標簽：MOSFETCreeSiC 1.1k 0

電源設(shè)計注意事項：組件的絕對最大額定值的測量和控制

盡管電壓和電流完全在最大允許值之內(nèi)，但晶體管在消耗200 W功率時將立即燃燒。該組件實際上只能承受65 W的功率。

2021-03-12 標簽：電源設(shè)計PSPICESiC 1.8k 0

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風(fēng)格，借助器件S...

2021-03-11 標簽：電路SiC 4.9k 0

創(chuàng)新工藝可以消除SiC襯底中的缺陷

日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。

2021-03-06 標簽：晶圓SiC 4.1k 0

斯達半導(dǎo)擬定增不超35億元,加碼碳化硅功率芯片

嘉興斯達半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“斯達半導(dǎo)”）發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，公司擬定增不超35億元，投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項目。

2021-03-04 標簽：芯片半導(dǎo)體IGBT 2.7k 0

斯達或?qū)⒛假Y35億元,用于SiC芯片項目

3月2日晚間，斯達半導(dǎo)體發(fā)布2021年度非公開發(fā)行 A 股股票預(yù)案（以下簡稱預(yù)案），計劃非公開發(fā)行股票，募集資金總額不超過35億元，其中，20億元用于高...

2021-03-04 標簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 2.8k 0

一文了解碳化硅和氮化鎵

上世紀五十年代以來，以硅（Si）材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而，由于硅材料的帶隙較...

2021-03-01 標簽：集成電路半導(dǎo)體SiC 2.5萬 0

碳化硅(SiC)龍頭企業(yè)Cree年底改名為Wolfspeed

Cree方面表示，“我們的團隊對于創(chuàng)新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅SiC產(chǎn)業(yè)的全球引領(lǐng)者，我們已經(jīng)做好準備，在未來賦能實現(xiàn)開創(chuàng)性的、高效節(jié)...

2021-02-05 標簽：led半導(dǎo)體照明 5.1k 0

特斯拉引爆的車用SiC市場

報道指出，特斯拉的Model3是第一個應(yīng)用碳化硅（sic）功率元器件的電動車型，用的是來自意法半導(dǎo)體的650v sic mosfet。相比于在Model...

2021-02-01 標簽：逆變器特斯拉SiC 3.6k 0