崛起的大陸功率半導(dǎo)體，日本如鯁在喉

　　功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。如今在這個(gè)領(lǐng)域，中國(guó)的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...

2016-05-12 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 5k 0

英飛凌推出革命性的1200V碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)提升效率和性能

英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)...

2016-05-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 8.7k 0

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此...

2016-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.9k 0

SiC功率器件加持，羅姆閃耀慕尼黑上海電子展

作為業(yè)內(nèi)極具代表性的電子展之一，3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內(nèi)外眾多半導(dǎo)體廠商的關(guān)注。日本的知名廠商羅姆（ROHM）半導(dǎo)體也攜帶了其最新的...

2016-03-23 標(biāo)簽：電源管理模擬電源功率器件 1.9k 0

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對(duì)于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對(duì)于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，...

2015-11-22 標(biāo)簽：SiCGaNBulk Si 2k 0

羅姆亮相高交會(huì)，電源與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品亮眼

　　2015年11月16日，第十七屆高交會(huì)電子展在深圳拉開帷幕，作為中國(guó)電子行業(yè)最具代表性的展會(huì)之一，本次展會(huì)吸引了眾多半導(dǎo)體廠商關(guān)注。來(lái)自日本的知名半...

2015-11-20 標(biāo)簽：高交會(huì)SiC羅姆 1.8k 0

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。

2015-09-07 標(biāo)簽：MOSFETSiCC3M0065090J 2.5k 0

探秘大基金，下一個(gè)集成電路投資目標(biāo)瞄準(zhǔn)誰(shuí)

自去年國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（以下簡(jiǎn)稱大基金）成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務(wù)。正是因?yàn)椤笆治罩亟稹?，坊間對(duì)于大基金...

2015-07-21 標(biāo)簽：SiCFinFET 1.2k 0

世強(qiáng)簽約SiC巨頭CREE 共拓工業(yè)與汽車領(lǐng)域新版圖

2015-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC汽車工業(yè) 1.2k 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā)，加上電動(dòng)車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 6.3k 1

新一代功率半導(dǎo)體大熱，節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應(yīng)商美國(guó)IHSGlobal預(yù)測(cè)稱，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2017年，將從2012年的114億美元擴(kuò)大到141億美元。其中...

2014-02-12 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.5k 0

國(guó)家政策支持，中國(guó)功率半導(dǎo)體將迎來(lái)黃金發(fā)展期

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0

新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.1k 0

鎖定大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用　飛兆強(qiáng)推SiC功率元件

　為改善過(guò)去采用硅（Si）材料開發(fā)的功率元件無(wú)法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷，飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）已改用碳化硅（SiC）材料量產(chǎn)雙極接面電...

2013-12-27 標(biāo)簽：飛兆SiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0

美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案 提升大功率應(yīng)用的系統(tǒng)性能

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：M...

2013-10-30 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC美高森美 1.3k 0

明星企業(yè)齊聚PEC電力電子，共討行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)

由愛(ài)戴愛(ài)集團(tuán)主辦，《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國(guó)國(guó)際電力電子峰會(huì)暨產(chǎn)品展示會(huì)—蘇州站將于10月25日在蘇州會(huì)議中心隆重開幕。截止日前，英飛凌科...

2013-10-15 標(biāo)簽：IGBTSiCGaN 1.4k 0

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應(yīng)用提供無(wú)與倫比的高功率性能

半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium ...

2013-09-30 標(biāo)簽：RFSiC美高森美 2.5k 0

PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)...

2013-09-18 標(biāo)簽：電力電子SiCGaN 3.4k 0

功率半導(dǎo)體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時(shí)代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共...

2013-07-09 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 4.2k 0