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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC功率器件市場正處在爆發(fā)式增長的前期

我國第三代半導體的產(chǎn)業(yè)化之路由來已久，但受制于技術等因素，市場始終不慍不火。然而今年市場出現(xiàn)明顯改觀，各大半導體廠商紛紛加碼投資擴產(chǎn)，諸如天和通訊、吳越...

2020-12-16 標簽：半導體 SiC GaN 2k 0

自蔓延法合成碳化硅的關鍵控制點

本文主要介紹??????自蔓延法合成碳化硅的關鍵控制點。?? ???? 合成溫度：調(diào)控晶型、純度與粒徑的關鍵因素在改進的自蔓延合成法中，溫度起著決定性...

2024-12-20 標簽：SiC 碳化硅 2k 0

開關電源設計優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設計額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vish...

2023-05-26 標簽：二極管 Vishay 肖特基二極管 2k 0

SiC上沉積的GaN最新技術

為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。

2011-12-01 標簽：SiC GaN 2k 0

第三代SiC肖特基勢壘二極管介紹

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓...

2023-02-10 標簽：封裝 SiC 2k 0

SiC相關廠商芯三代啟動上市輔導

近日，證監(jiān)會公開了芯三代半導體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“芯三代”）的首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告，標志著這家專注于第三代半導體SiC-C...

2024-02-22 標簽：半導體 SiC 2k 0

利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長模型

碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場強度高、熱導率高等特性，其品質(zhì)因子優(yōu)異，在高溫、高頻、大功率及抗輻射領域獲得了廣泛應用。

2022-06-24 標簽：半導體材料 SiC GaN 2k 0

至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領先的SiC芯片...

2024-01-16 標簽：芯片半導體 SiC 2k 0

北京順義泰科天潤項目一期投資4億元，預計2028年達產(chǎn)

3月4日，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復工復產(chǎn)，其中包括泰科天潤建設公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。

2024-03-11 標簽：新能源汽車 MOSFET 晶圓 2k 0

日本電裝和三菱將投資10億美元，獲取對Coherent碳化硅部門25%股權

根據(jù)交易條款，電裝和三菱電機將各投資5億美元，以獲得Coherent 碳化硅業(yè)務12.5%的非控股所有權，Coherent 擁有剩余75%的所有權。在交...

2023-10-13 標簽：三菱電機 SiC 碳化硅 2k 0

SiC功率器件市場到2030年將突破86億美元

市場見證了汽車行業(yè)的需求大幅增長，確立了其在該行業(yè)的主導地位。這種顯著的轉(zhuǎn)變主要歸功于碳化硅功率器件在提高現(xiàn)代汽車，特別是電動汽車（EV）的性能和效率方...

2023-09-22 標簽：功率器件 SiC 2k 0

用于電動汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

電源模塊的高級封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。

2023-12-24 標簽：電動汽車電源模塊 SiC 2k 0

16家SiC企業(yè)公布成績單，上半年誰更賺錢？

報告期內(nèi)，天岳先進高品質(zhì)SiC襯底獲得國際客戶的認可。今年5月，天岳先進與英飛凌簽訂了合作協(xié)議，8月24日，天岳先進與客戶F簽訂了一份碳化硅采購協(xié)議，約...

2023-09-08 標簽：SiC 碳化硅三安光電 1.9k 0

意法半導體第二代SiC功率MosFET特性

意法半導體（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優(yōu)良的開關性能，開關損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。 ST...

2020-11-26 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 逆變器 1.9k 0

鍇威特科創(chuàng)板上市總市值達到67.05億元

蘇州鍇威特半導體股份有限公司（以下簡稱鍇威特）于8月18日在上交所科創(chuàng)板上市，發(fā)行價為40.83元/股。在截至發(fā)稿時間的當天，鍇威特的股價已上漲至90....

2023-08-19 標簽：MOSFET 半導體功率器件 1.9k 0

第三代化合物半導體材料有利于5G基站的應用

與第一代硅（Si）半導體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導體材料（也稱為寬帶隙半導體材料）具有...

2022-12-08 標簽：半導體 SiC 5G 1.9k 0

功率半導體，成長驚人！

在功率半導體市場，自2021年第二季度以來，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場規(guī)模將達到223.7億美元，同比增長20.1%。預計 ...

2023-06-02 標簽：晶體管 SiC 功率半導體 1.9k 0

X-FAB與派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展

模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶...

2021-09-07 標簽：晶圓代工功率器件 SiC 1.9k 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場增長率將達83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應用，其應用市場規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長率將達83%，其中電源供應器將占相當大...

2016-11-28 標簽：新能源汽車 SiC 氮化鎵 1.9k 0

光伏繼續(xù)高歌猛進碳化硅開啟廣泛合作光伏為何擁抱SiC？

今年上半年，光伏需求繼續(xù)飆升，中國新增光伏裝機增長153%，逆變器廠商也賺得“盆滿缽滿”，陽光電源、德業(yè)股份等7家企業(yè)營收同比增長超140%。

2023-08-08 標簽：SiC 光伏逆變器功率半導體 1.9k 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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