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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證
3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
激蕩三十載:英飛凌與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的時(shí)代交響
英飛凌用了30年時(shí)間,通過一系列緊鑼密鼓的謀篇布局,英飛凌打通了在華的“任督二脈”,不斷將卓越運(yùn)營的穩(wěn)健根基、創(chuàng)新應(yīng)用的靈動(dòng)鋒芒、本土制造的扎實(shí)內(nèi)功與整...
芯長征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)
此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場(chǎng)盛會(huì)聚焦汽車電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì),匯聚了眾...
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,該項(xiàng)目規(guī)劃用地 100 畝,分兩期實(shí)施,每期 50 畝,連科半導(dǎo)體計(jì)劃投資不超過人民幣 10.50 億元,將在無錫市投資建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長...
2024-01-11 標(biāo)簽:SiC光伏裝備半導(dǎo)體設(shè)備 1.8k 0
SiC高溫退火刻蝕的各向異性實(shí)驗(yàn)報(bào)告
我們研究了高溫退火法對(duì)4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的,但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形,這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六...
2022-02-09 標(biāo)簽:實(shí)驗(yàn)SiC蝕刻 1.8k 0
2024開門紅!SiC領(lǐng)域再現(xiàn)3起訂單
2024新的篇章,新的開端,SiC領(lǐng)域再現(xiàn)3起訂單;據(jù)“行家說三代半”不完全統(tǒng)計(jì),近10天來,SiC領(lǐng)域的合作/訂單共5起,詳情請(qǐng)往下看。
CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 共同推動(dòng)碳化硅功率器件應(yīng)用
高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公司已與中國科學(xué)院電工研究所(簡稱中科院電工所)達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,將共同開展基于碳化硅(SiC)功率模塊...
近日,科友半導(dǎo)體在國際競(jìng)爭(zhēng)激烈的SiC襯底市場(chǎng)殺出一條血路,成功拿下超2億元的出口歐洲長訂單之后,順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”(IATF1...
Navitas發(fā)布2024財(cái)年Q3財(cái)報(bào):營收微降,但技術(shù)與市場(chǎng)布局加速
近日,Navitas半導(dǎo)體公司發(fā)布了其截至2024年9月30日的第三季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績報(bào)告。盡管總營收微降至2170萬美元,相比2023年第三季度的...
2024-11-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 1.8k 0
中國臺(tái)灣與遼寧新增SiC襯底工廠,年產(chǎn)能合計(jì)達(dá)7.2萬片
近日,中國臺(tái)灣和遼寧省分別傳來好消息,兩家新的SiC(碳化硅)襯底工廠正式落成或正在積極推進(jìn)中,合計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)到7.2萬片。 在中國臺(tái)灣,Si...
意法半導(dǎo)體公布2023年第四季度和全年財(cái)報(bào)
意法半導(dǎo)體近日公布了2023年第四季度和全年財(cái)報(bào),展現(xiàn)出強(qiáng)勁的業(yè)績表現(xiàn)。根據(jù)財(cái)報(bào),意法半導(dǎo)體在2023年全年凈營收達(dá)到了172.9億美元的新高,同比增長...
2024-02-02 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.8k 0
半導(dǎo)體供應(yīng)鏈價(jià)格戰(zhàn)再度升溫,跌幅逼近30%
業(yè)界人士透露,中國大陸某家一線SiC基板廠商2023年取得了國際車用IDM的購買長合約,2024年開年化被動(dòng)為主動(dòng)率先降價(jià),迫使二線、三線廠商都得跟進(jìn)。...
2024-02-22 標(biāo)簽:mcu半導(dǎo)體封裝SiC 1.8k 0
5G新一代應(yīng)用:技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)市場(chǎng)新機(jī)遇
5G技術(shù)的全面商用加速了市場(chǎng)的迅猛擴(kuò)張,預(yù)計(jì)到2027年,全球網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到500億美元,并催生出高清直播、5G+無人機(jī)等一系列新興行業(yè)。隨著...
方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性...
基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS解決方案:效率躍升1%
傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS解決方案:效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲(chǔ)能市場(chǎng)向高功率密度、高效率方向快速演進(jìn),傳統(tǒng)IGBT方案...
2025-06-23 標(biāo)簽:SiC儲(chǔ)能變流器 1.8k 0
揚(yáng)杰科技出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議
此前,5月22日至24日,“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”在南京熹禾涵田酒店順利召開。揚(yáng)杰科技受邀參加,董事長梁勤女士親自參加會(huì)議,功率器件事業(yè)...
2025-05-26 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 1.8k 0
2023年7月12日,羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠(宮崎縣國富町),以擴(kuò)大SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
2023-07-13 標(biāo)簽:太陽能電池SiC功率半導(dǎo)體 1.8k 0
SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊
SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊
2023-03-03 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心電源模塊SBD 1.8k 0
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