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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>

制造/封裝

權(quán)威的制造技術(shù)與封裝技術(shù)頻道,涉及半導(dǎo)體制程工藝、IC代工產(chǎn)能以及集成電路封裝測(cè)試等技術(shù)。

蘋(píng)果拒絕為3nm工藝缺陷買(mǎi)單 臺(tái)積電3nm按良率收費(fèi)!

根據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)稱臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款,該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用!...

2023-08-08 標(biāo)簽:處理器芯片臺(tái)積電蘋(píng)果3nm 2181

三菱電機(jī)入局氧化鎵,加速氧化鎵功率器件走向商用

三菱電機(jī)入局氧化鎵,加速氧化鎵功率器件走向商用

三菱電機(jī)公司近日宣布,它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售氧化鎵晶圓的日本公司,氧化鎵晶圓是一個(gè)很有前途的候選者。三菱電機(jī)打算加快開(kāi)發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體,以支持...

2023-08-08 標(biāo)簽:MOS管肖特基二極管碳化硅氧化鎵MOS管PFC電源氧化鎵碳化硅肖特基二極管 1083

索尼獨(dú)供局面打破!蘋(píng)果頭顯Micro OLED供應(yīng)商再添一員

索尼獨(dú)供局面打破!蘋(píng)果頭顯Micro OLED供應(yīng)商再添一員

LGD已進(jìn)入蘋(píng)果頭顯Vision Pro硅基OLED供應(yīng)鏈。隨著其他廠商陸續(xù)突破Micro OLED技術(shù)瓶頸,也有機(jī)會(huì)進(jìn)入Vision Pro供應(yīng)鏈。Micro OLED屏幕是蘋(píng)果頭顯價(jià)值量占比最高的一項(xiàng),單臺(tái)價(jià)值高達(dá)300美元,占BOM成...

2023-08-08 標(biāo)簽:OLED技術(shù)LED技術(shù)LCD屏虛擬機(jī)Micro OLED 926

開(kāi)關(guān)電源芯片SF5773 SSR控制模式優(yōu)化降頻

開(kāi)關(guān)電源又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置。...

2023-08-08 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源芯片GND電壓保護(hù)器GNDSSR變壓器變壓器開(kāi)關(guān)電源芯片電壓保護(hù)器 1703

Linux TCP底層的收發(fā)過(guò)程講解

Linux TCP底層的收發(fā)過(guò)程講解

我們繼續(xù)探索高性能網(wǎng)絡(luò)編程,但是我覺(jué)得在談系統(tǒng)API之前可以先講一些Linux底層的收發(fā)包過(guò)程...

2023-08-08 標(biāo)簽:處理器連接器Linux系統(tǒng)RSTTCP通信 1004

Linux高性能網(wǎng)絡(luò)編程之TCP/IP協(xié)議棧之ip協(xié)議棧詳解

Linux高性能網(wǎng)絡(luò)編程之TCP/IP協(xié)議棧之ip協(xié)議棧詳解

或者七層,但是便于大家理解,基本上都是用四層模型,如:數(shù)據(jù)鏈路層,網(wǎng)絡(luò)層,傳輸層和應(yīng)用層。...

2023-08-08 標(biāo)簽:TTL電路Linux系統(tǒng)ACK狀態(tài)機(jī)TCPIP協(xié)議棧 1630

晶棒是怎么生產(chǎn)的 晶棒切割中間斷裂怎么辦

晶棒截?cái)嚅_(kāi)方(Wafer Dicing)是對(duì)硅晶棒或其它半導(dǎo)體晶體材料進(jìn)行切割的工藝步驟。它的目的是將晶棒切割成單個(gè)的芯片基板(即薄片),用于制造集成電路、傳感器和其他半導(dǎo)體器件。...

2023-08-08 標(biāo)簽:傳感器集成電路晶片半導(dǎo)體器件傳感器半導(dǎo)體器件晶棒晶片集成電路 4629

芯片保護(hù)膠用什么膠比較好

芯片保護(hù)膠用什么膠比較好

芯片保護(hù)膠用什么膠比較好?以下講解具體用膠案例:客戶具體需求:客戶現(xiàn)在開(kāi)發(fā)一款薄膜開(kāi)關(guān),需要在PET膜上面用銀漿印刷電路,然后用銀膠固定IC.(銀漿和銀膠固化溫度130℃30分鐘)。固定...

2023-08-08 標(biāo)簽:芯片ICIC芯片 2260

USB Type-C有哪些優(yōu)勢(shì)?如何去實(shí)現(xiàn)一種USB-C接口設(shè)計(jì)?

USB Type-C有哪些優(yōu)勢(shì)?如何去實(shí)現(xiàn)一種USB-C接口設(shè)計(jì)?

USB Type-C 型接口之所以能被絕大多數(shù)電子設(shè)備采用,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)它具有如下優(yōu)勢(shì):①支持正反插、②支持雙向最大100W 電力傳輸、③支持協(xié)議擴(kuò)展。...

2023-08-08 標(biāo)簽:上拉電阻示波器連接器Type-C接口FET晶體管Type-C接口上拉電阻示波器連接器 6249

介紹一種車(chē)規(guī)芯片F(xiàn)U6866Q1/FU6816Q1介紹及典型方案

介紹一種車(chē)規(guī)芯片F(xiàn)U6866Q1/FU6816Q1介紹及典型方案

峰岹推出FU6866Q1/FU6816Q1高性能專(zhuān)用芯片,通過(guò)SGS機(jī)構(gòu)檢測(cè)獲得AEC-Q100車(chē)規(guī)認(rèn)證,芯片集成多種觀測(cè)器,在低速大負(fù)載場(chǎng)景和高精度控制場(chǎng)景應(yīng)用表現(xiàn)優(yōu)異,峰岹在汽車(chē)電機(jī)控制應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步擴(kuò)...

2023-08-08 標(biāo)簽:解碼器電機(jī)控制器SVPWMIC芯片直流無(wú)刷電機(jī) 6713

SDRAM工作原理 SDRAM布局布線說(shuō)明

SDRAM工作原理 SDRAM布局布線說(shuō)明

SDRAM全稱Synchronous Dynamic RAM,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。首先,它是RAM,即隨機(jī)存儲(chǔ)器的一種。...

2023-08-08 標(biāo)簽:電阻器存儲(chǔ)器DDRSDRAM控制器差分時(shí)鐘 3481

nor flash的特點(diǎn)有哪些 nor flash和nand flash的區(qū)別

nor flash的特點(diǎn)有哪些 nor flash和nand flash的區(qū)別

做電子產(chǎn)品,不免要跟存儲(chǔ)類(lèi)產(chǎn)品打交道,也就是我們說(shuō)的MEMORY。...

2023-08-08 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器SPI接口SDRAM控制器NANDSDRAM控制器SPI接口存儲(chǔ)器 3007

ST TMOS熱敏紅外傳感器: 精準(zhǔn)檢測(cè)人員存在和移動(dòng)

意法半導(dǎo)發(fā)布新型人體存在和移動(dòng)檢測(cè)芯片。STHS34PF80是一款帶有微加工熱敏晶體管(TMOS)的高集成度、超低功耗的紅外(IR)傳感器,可取代傳統(tǒng)的被動(dòng)紅外(PIR)傳感技術(shù),提升安保監(jiān)視系...

2023-08-08 標(biāo)簽:探測(cè)器物聯(lián)網(wǎng)晶體管紅外傳感器CMOS芯片 1470

激光脈沖或?qū)⒂兄陂_(kāi)發(fā)下一代高容量電池

近日,阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)(King Abdullah University,KAUST)了一項(xiàng)研究成果,該成果可能有助于改進(jìn)下一代電池的陽(yáng)極材料。...

2023-08-08 標(biāo)簽:鋰離子電池激光器電池充電光刻機(jī)激光脈沖 641

激光與材料的相互作用過(guò)程主要可分為哪幾個(gè)過(guò)程?

激光與材料的相互作用過(guò)程主要可分為哪幾個(gè)過(guò)程?

激光加工是利用激光束與材料相互作用的特性對(duì)材料進(jìn)行去除加工 、增材制造 、 材料改性以及微細(xì)加工的一門(mén)加工技術(shù)。...

2023-08-08 標(biāo)簽:衰減器半導(dǎo)體激光器激光通信激光加工脈沖激光器 4519

正向?qū)ǘO管中的指數(shù)電流-電壓關(guān)系

正向?qū)ǘO管中的指數(shù)電流-電壓關(guān)系

當(dāng)在二極管的兩端施加電壓時(shí),陽(yáng)極側(cè)電壓較高,陰極側(cè)電壓較低,將流過(guò)正向電流(即從陽(yáng)極到陰極的電流)。如果電壓增加,正向電流就會(huì)增加,這樣,二極管就類(lèi)似于電阻器:電壓越大,...

2023-08-08 標(biāo)簽:二極管電阻器電壓 5020

sd卡的讀寫(xiě)驗(yàn)證流程介紹

sd卡的讀寫(xiě)驗(yàn)證流程介紹

dat0-4 cmd 接了4.7k的上拉電阻。六根與mcu相連的線中均接了一個(gè)22歐的電阻,用于限制電流。...

2023-08-08 標(biāo)簽:上拉電阻存儲(chǔ)器SD卡MCU控制RTThread 2370

新應(yīng)用為顯示驅(qū)動(dòng)芯片DDIC帶來(lái)增量市場(chǎng)

顯示驅(qū)動(dòng)芯片 DDIC 是面板的“大腦” LCD 和 OLED 主導(dǎo)顯示市場(chǎng),MICRO LED 蓄勢(shì)待發(fā) 顯示技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為視覺(jué)信號(hào)的效果。目前顯示技術(shù)已經(jīng)完成從陰極射線顯示技術(shù) (CRT)向平板顯...

2023-08-08 標(biāo)簽:芯片數(shù)據(jù)封裝驅(qū)動(dòng)電路顯示驅(qū)動(dòng) 4496

SAE International宣布NACS連接器、充電PKI和基礎(chǔ)設(shè)施可靠性標(biāo)準(zhǔn)

關(guān)鍵舉措助力實(shí)現(xiàn)可互操作、安全和可靠的電動(dòng)汽車(chē)充電。...

2023-08-08 標(biāo)簽:連接器適配器充電站充電站電動(dòng)汽車(chē)充電連接器適配器 1936

貼片電阻功率和尺寸的10種封裝表示法

貼片電阻功率和尺寸的10種封裝表示法

貼片電阻10種封裝表示法以及對(duì)應(yīng)功率我們?cè)诠ぷ鞯臅r(shí)候,經(jīng)常會(huì)把貼片電阻這些型號(hào)尺寸弄錯(cuò),我們?yōu)榱俗尶蛻舾涌焖俦憬莸牟樵?。為此我們將貼片電阻封裝英制和公制的關(guān)系及詳細(xì)的尺寸...

2023-08-08 標(biāo)簽:貼片電阻封裝功率 5618

這樣做FPC更節(jié)約成本!

這樣做FPC更節(jié)約成本!

矩形是最好的形狀.星,十字,L,T,W,M和N形狀會(huì)減少利用率,從而增加了成本....

2023-08-08 標(biāo)簽:激光器FPCBGA封裝CCLHDI板 2533

70%!臺(tái)積電3nm按良率收費(fèi)!

8月8日消息,據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%,但根據(jù)獨(dú)家條款,該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用!...

2023-08-08 標(biāo)簽:處理器臺(tái)積電晶圓 1474

芯片綁線質(zhì)量問(wèn)題怎么解決

芯片綁線質(zhì)量問(wèn)題怎么解決

雖然在硅探測(cè)器中連接的大部分金屬絲都有冗余,但事實(shí)上,它必須繼續(xù)工作10-20年,沒(méi)有維修要求高可靠性。...

2023-08-08 標(biāo)簽:芯片探測(cè)器芯片封裝 514

焊接接頭系數(shù)選取方法 焊接接頭系數(shù)的確定原則是什么

焊接接頭系數(shù)Φ是指對(duì)接焊接接頭強(qiáng)度與母材強(qiáng)度之比值,用以反映由于焊接缺陷和焊接殘余應(yīng)力等因素使焊接接頭強(qiáng)度被削弱的程度,是焊接接頭力學(xué)性能的綜合反映。...

2023-08-08 標(biāo)簽:焊接技術(shù)焊接接頭壓力容器焊接技術(shù)焊接接頭 7933

MCU+LIN+步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的三合一芯片-PT32C637概述

PT32C637是一個(gè)SiP(System in Package),帶有ARM Cortex M0 MCU、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和本地互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)LIN的物理層收發(fā)器。...

2023-08-08 標(biāo)簽:收發(fā)器步進(jìn)電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)芯片低功耗微控制器收發(fā)器步進(jìn)電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)芯片 2819

功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性及注意事項(xiàng)有哪些?

功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性及注意事項(xiàng)有哪些?

功率器件有源區(qū)含有PN結(jié),施加反向耐壓時(shí),靠PN結(jié)承壓。實(shí)際平面工藝中,在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開(kāi)窗口后進(jìn)行雜質(zhì)注入推結(jié),制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)域表面近似于平面。...

2023-08-08 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)IGBT功率器件電磁場(chǎng)偏置電壓 5064

EMC濾波知多少 EMC濾波在使用過(guò)程中需要注意哪些事項(xiàng)

EMC濾波知多少 EMC濾波在使用過(guò)程中需要注意哪些事項(xiàng)

電磁干擾的三要素是干擾源、干擾傳輸途徑、干擾接收器。EMC就圍繞這些問(wèn)題進(jìn)行研究。最基本的干擾抑制技術(shù)是屏蔽、濾波、接地。它們主要用來(lái)切斷干擾的傳輸途徑。...

2023-08-08 標(biāo)簽:電容器濾波器emc電磁干擾電解電容 1370

深入了解ARMv9對(duì)不可屏蔽中斷的支持

深入了解ARMv9對(duì)不可屏蔽中斷的支持

Arm A-profile 架構(gòu)的有一個(gè)長(zhǎng)期缺陷就是不支持不可屏蔽中斷 (NMI) 。...

2023-08-08 標(biāo)簽:寄存器ARM處理器虛擬機(jī)PMU中斷控制器 1603

半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝詳解圖

半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝詳解圖

  劃片工序是將已擴(kuò)散完了形成芯片單元的大圓片進(jìn)行分割分離。從劃片工藝上區(qū)分有:全切和半切兩種   全切:將大圓片劃透。適用于比較大的芯片,是目前最流行的劃片工藝。...

2023-08-08 標(biāo)簽:芯片電鍍半導(dǎo)體封裝激光打印 1556

先進(jìn)封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體的“新戰(zhàn)場(chǎng)”

先進(jìn)封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體的“新戰(zhàn)場(chǎng)”

2022年到2028年先進(jìn)封裝市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)10.6%。...

2023-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SoC芯片CMP倒裝芯片CoWoS先進(jìn)封裝 940

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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