濕法蝕刻在硅片減薄中的作用
薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)集成和MEMS器件中的新概念...
蝕刻后殘留物和光刻膠的去除方法
在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導(dǎo)致PR實質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程(BEOL)蝕...
三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎
三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D（GAA）架構(gòu)制程是3D（FinFET）的進(jìn)...
盤點一些用上先進(jìn)制程工藝的RISC-V處理器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）無論是x86、Arm還是新秀RISC-V，大家談及基于這些架構(gòu)的處理器時，除了對比性能、功耗以外，不免會說到造就當(dāng)下處理器差異化的另一大因素，那就是制造工藝...
天馬與通富微電子成立合資公司，發(fā)展先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)
為更好地落實公司“2+1+N”戰(zhàn)略，公司全資子公司湖北長江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司（以下簡稱“創(chuàng)新中心”）與通富微電子股份有限公司（以下簡稱“通富微電子”）共同投資設(shè)立合資...
蝕刻系統(tǒng)操作條件對晶片蝕刻速率和均勻性的影響
引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離...
清洗晶圓基板的方法是什么
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過程中，在硅晶片的硅表面上可能會形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積...
環(huán)球晶圓擬在德州投資50億美元建設(shè)新工廠
此前芯片制造商需要國會通過一項520億美元芯片法案計劃，這個法案目的是擴大美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，減少對外國原材料的依賴，假如法案被通過，環(huán)球晶圓也能從中拿到一部分資金。美國商務(wù)部長...
2022-06-28 標(biāo)簽：晶圓晶圓環(huán)球晶圓 2595
CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們表明，CLL可以作為一種更廣泛的技術(shù)...
單晶片背面和斜面清潔（上）
介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過程中，； BS顆粒會導(dǎo)致頂側(cè)表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小，這可能導(dǎo)致焦點故障...
先進(jìn)封裝 一個大周期的開始“迎風(fēng)國潮”半導(dǎo)體設(shè)備研討會
? 設(shè)備是芯片制造的基石。在芯片短缺和疫情持續(xù)的雙重作用下，發(fā)展芯片設(shè)備行業(yè)成為一個戰(zhàn)略舉措。為了探討以上問題，看清行業(yè)趨勢、格局變化等，遠(yuǎn)川研究所于5月26日（周四）15:30-17...
TSV工藝流程與電學(xué)特性研究
本文報道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學(xué)特性，結(jié)果表明TSV具有低電阻和低電容；小的...
中國臺灣知名電子企業(yè)22年Q1業(yè)績 富士康、臺積電、聯(lián)發(fā)科
蘋果供應(yīng)商富士康(Foxconn Technology Group，鴻海精密)2022年第一季度利潤好于預(yù)期。富士康1-3月凈利潤增長4.6%，至新臺幣294.5億元；收入增長4.5%，至新臺幣1.408萬億元(約477億美元)。 和碩(PEGATRON C...
2022-06-16 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科臺積電富士康 4222
使用硬掩模進(jìn)行更精細(xì)的硅通孔蝕刻
引言 隨著對多功能移動消費電子設(shè)備需求的增加，半導(dǎo)體芯片互連密度的復(fù)雜性不斷增加。傳統(tǒng)的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤互連到封裝引線。隨著芯片規(guī)模向原子級發(fā)展，采...
設(shè)計一顆IC芯片時究竟有哪些步驟
昨天的文章中金譽半導(dǎo)體就提到了，芯片制作的第一個步驟就是制定芯片方案設(shè)計，只有把芯片的內(nèi)部制造方案設(shè)計出來后，才能根據(jù)這個方案一步步完成。目前有很多專業(yè)的IC芯片方案設(shè)計公...
2022-06-15 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科半導(dǎo)體晶圓edaIC芯片 8190
國產(chǎn)電腦迎來新風(fēng)口 永銘電容助力實現(xiàn)關(guān)鍵零部件突破
5月28號，Canalys公布了2022年第一季度國內(nèi)市場的PC和平板電腦銷售情況。這份報告中提到 ， 一季度銷售榜單中聯(lián)想摘得桂冠，共計出貨430萬臺，占據(jù)了37%的市場份額，其中華為在一季度實現(xiàn)了...
2022-06-14 標(biāo)簽：電容國產(chǎn)電腦電容 1285
硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響
新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠薄...
佳能新發(fā)售KrF半導(dǎo)體光刻機的Grade10升級包
佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF※1半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級配件包（以下簡稱“Grade10”升級包）。KrF半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發(fā)售至今，已經(jīng)在生產(chǎn)存儲器和邏輯電路的...
百億美元市場背后的技術(shù)之戰(zhàn) 芯片先進(jìn)封裝脈動全球
預(yù)計2024年，全球先進(jìn)封裝市場達(dá)440億元。先進(jìn)封裝設(shè)備貼片機升級成封裝廠商投資重點。...
西安紫光國芯受邀出席西安市半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈投資推介會
6月10日，芯耀長安·“鏈”接未來—西安市半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈投資推介會舉辦。西安紫光國芯受邀出席，西安紫光國芯董事、總裁江喜平作為集成電路設(shè)計企業(yè)代表發(fā)言，與省、市相關(guān)部...
硅片減薄蝕刻技術(shù)：RIE技術(shù)將硅片減薄到小于20微米
引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，從而為家庭消費提供足夠的能量。我們?nèi)A林科納認(rèn)為，借助光阱方案，適當(dāng)鈍化的IBC電池即使厚度小于20μm也能保持20%的效...
蝕刻工藝表征實驗報告研究
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進(jìn)行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟...
紫光國微旗下紫光青藤入選國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)清單
為持續(xù)優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，鼓勵企業(yè)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、財政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局聯(lián)合發(fā)出《關(guān)于做好2022年享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)...
通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術(shù)開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的...
濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究
摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的增加而降低，在使用折痕...
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