22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰(zhàn)和新方法
本文描述了我們?nèi)A林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關鍵挑戰(zhàn)并概述了一些新的非等離子體為基礎的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小，金屬硬掩模(MH...
華進半導體指導項目喜獲第二屆 “集萃創(chuàng)新杯”二等獎
2022年5月24日，由長三角國家技術創(chuàng)新中心、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術研究院組織開展的“第二屆集萃創(chuàng)新杯”活動頒獎典禮順利召開，華進半導體陳天放、陶煊及北京郵電大學張金玲教授共同指導的“...
聯(lián)電新加坡晶圓廠P3開始動工，預計2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)
今年3月份，聯(lián)電曾計劃咋新加坡Fab12i廠區(qū)新建晶圓廠，共計花費50億美元，預計將在2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)。 日前，聯(lián)電新加坡的新晶圓廠P3正式開始動工，并且以9.54億新臺幣的價格取得了30年的土...
等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案
我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分析裝置不兼容，講了...
污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金字塔密度的影響不小...
晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響
本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內(nèi)部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在大氣中的灰塵等雜質(zhì)...
一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法
本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)合，基于詳細的表面和鍵合界面表征，...
詳解化學鎳沉積技術的沉積過程
本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細了解活化機理，并確定它們對化學...
不同清洗方法對納米顆粒表征的影響
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究不同清洗方法（離心和透析）對15納米檸檬酸鈉穩(wěn)定納米顆粒表面化學和組成的影響，關于透析過程，核磁共振分析表明，經(jīng)過9個清洗周期后，檸檬酸濃度與第一次...
三種化學溶液在InP光柵襯底清洗的應用
我們?nèi)A林科納研究了三種化學溶液，用于在分布反饋激光器應用的InP外延生長之前清洗光柵。這些化學物質(zhì)是濃縮的HMSO和n< SO，H2 2的混合溶液，其中n =β和...
使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造（下）
接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕...
使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造（上）
?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意...
使用n型GaSb襯底優(yōu)化干法和濕法蝕刻工藝
基本化學成分以Cl2為基礎，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進行原位反射監(jiān)測，以高精度在材料界面停止蝕刻。考慮到在...
5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。 ? 泛林集團在與...
超聲波頻率對化學蝕刻過程的影響實驗報告
超聲增強化學腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，...
半導體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性
本研究利用CFD模擬分析了半導體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性，并根據(jù)分析Case和晶片位置觀察了設計因子變化時的速度變化。...
多晶硅蝕刻殘留物的的形成機理
為了闡明蝕刻殘留物的形成機理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化...
金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響
本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測Cl2、HBr、O2和SF6等離子體...
溫度對去除氮化物和氧化物層的影響
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之...
使用晶片處理技術在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術，通過使用(110)Si的取向相關蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術一起使用的某些溶液的蝕刻各向...
半導體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟膜和顆粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制...
多孔GaN的結(jié)構(gòu)和光學特性
摘要 本文報道了鉑輔助化學化學蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力...
半導體工藝中化學機械拋光后刷洗的理論分析
摘要 化學機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導體器件制造的一個關鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是...
硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率
本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制作了光滑的垂直墻和懸吊梳式結(jié)構(gòu)。...
通過表面分析評估Cu-CMP工藝
半導體裝置為了達成附加值高的系統(tǒng)LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關注?；瘜W機械拋光（CMP）和之后的清...
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