如何對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開(kāi)發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性...
半導(dǎo)體晶片鍵合的對(duì)準(zhǔn)方法
多年來(lái)，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無(wú)機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如相對(duì)較低的鍵合溫度、沒(méi)有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)...
利用原子力顯微鏡測(cè)量硅蝕刻速率
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀...
詳解微機(jī)械中的各向異性刻蝕技術(shù)
單晶硅， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機(jī)械部件的材料，也就是說(shuō)，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。其理由是， 除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外，還在于通過(guò)利用僅可用于單晶的晶體...
長(zhǎng)電科技子公司長(zhǎng)電先進(jìn)榮獲德州儀器TI“2021年度卓越供應(yīng)商獎(jiǎng)”
近日，全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(zhǎng)電科技（上交所代碼：600584）子公司江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(zhǎng)電先進(jìn)）榮獲了德州儀器（TI）頒發(fā)的“2021年度卓越供應(yīng)商獎(jiǎng)”...
2022-04-20 標(biāo)簽：tiSiP供應(yīng)商長(zhǎng)電科技 3081
300毫米直徑硅片的快速熱處理實(shí)驗(yàn)研究
在半導(dǎo)體熱處理應(yīng)用中，批處理在工業(yè)的早期階段被采用，并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理過(guò)程中的熱行為，該熱行為是溫度、...
通過(guò)臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因...
韋爾股份2021年報(bào)正式發(fā)布 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)收入達(dá)200億
韋爾股份2021年報(bào)正式發(fā)布 ；數(shù)據(jù)顯示韋爾股份2021年的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)收入達(dá)200億。...
2022-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)計(jì)韋爾股份 4432
浙江麗水新增半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目：旺榮半導(dǎo)體項(xiàng)目審核通過(guò)
近日，浙江麗水的旺榮半導(dǎo)體有限公司之前申請(qǐng)的建設(shè)8英寸功率器件項(xiàng)目已被政府審核通過(guò)。 據(jù)了解，旺榮將用其先進(jìn)的電子器件生產(chǎn)設(shè)備來(lái)生產(chǎn)該項(xiàng)目的電子器件，該項(xiàng)目計(jì)劃投資23.8億人民...
單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻
硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開(kāi)...
光伏硅片的超聲化學(xué)清洗技術(shù)
近年來(lái)，太陽(yáng)能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統(tǒng)中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優(yōu)點(diǎn)。清潔硅晶片的表面是器件...
用于單晶片清洗的超臨界流體
使用超臨界流體去除污染物的過(guò)程，即高于其臨界溫度和壓力的類(lèi)氣體物質(zhì)。超臨界流體具有類(lèi)液體溶劑化特性和類(lèi)氣體擴(kuò)散和粘度，使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜，并完全去除其中包含的...
硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過(guò)將無(wú)水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一種通過(guò)將氮?dú)馔ㄟ^(guò)高...
如何減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。...
濕式蝕刻過(guò)程的原理是什么
濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須...
一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供...
采用三種刻蝕方法制備黑硅材料
本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi)，光的吸收顯著增強(qiáng)，其中飛秒激光用六氟化硫蝕刻的黑硅在近紅外波段的吸收...
華虹半導(dǎo)體研報(bào) 收入創(chuàng)歷史新高較上年度增長(zhǎng)69.6%
? HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED華虹半導(dǎo)體有限公司（于香港注冊(cè)成立之有限公司） （股份代號(hào)：1347） ?截至二零二一年十二月三十一日止年度全年業(yè)績(jī)公告 財(cái)務(wù)摘要 華虹半導(dǎo)體有限公司（“本公...
2022-04-06 標(biāo)簽：晶圓華虹半導(dǎo)體 7231
俄最大芯片制造商米克朗被美制裁
? ?俄本土遭烏轟炸？或傳遞3個(gè)信號(hào)？還在一邊和談一邊互攻的俄烏沖突似乎不會(huì)一下就停止，更何況外面還有很多歐美國(guó)家在煽風(fēng)點(diǎn)火，比如在4月1日據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)財(cái)政部宣布對(duì)俄羅斯最...
臺(tái)積電3nm制程國(guó)內(nèi)公司相繼參與其供應(yīng)鏈
在長(zhǎng)久的積累過(guò)后，臺(tái)積電終于將在2022下半年開(kāi)始3nm制程的量產(chǎn)工程，隨著消息的放出，該工程的一部分耗材供應(yīng)商也隨之被公布了出來(lái)，其中國(guó)內(nèi)的中國(guó)砂輪企業(yè)股份有限公司以及光洋應(yīng)用...
中芯國(guó)際2021年報(bào)顯示營(yíng)收增長(zhǎng)39.3% 毛利率達(dá)30.8% 財(cái)務(wù)指標(biāo)穩(wěn)健增長(zhǎng)
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二一年十二月三十一日止年度經(jīng)審核業(yè)績(jī)。 （以下數(shù)據(jù)根據(jù)國(guó)際財(cái)務(wù)報(bào)告準(zhǔn)則編制） 財(cái)務(wù)摘要 收入由2020年的3,907.0百萬(wàn)美元增長(zhǎng)...
長(zhǎng)電科技2021年度保持穩(wěn)健發(fā)展勢(shì)頭
2021第四季度及全年財(cái)務(wù)亮點(diǎn)： 四季度實(shí)現(xiàn)收入為人民幣85.9億元，全年實(shí)現(xiàn)收入為人民幣305.0億元，創(chuàng)歷年同期新高。四季度和全年收入同比分別增長(zhǎng)11.5%和15.3%。 四季度經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生現(xiàn)金人民...
2022-03-30 標(biāo)簽：封裝長(zhǎng)電科技 2887
納米壓印光刻技術(shù)的詳細(xì)介紹
在過(guò)去的幾年中，納米壓印光刻引起了越來(lái)越多的興趣。事實(shí)上，似乎有越來(lái)越多的潛在納米壓印應(yīng)用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對(duì)于特定的最終用途應(yīng)用各有優(yōu)缺點(diǎn)...
新一代半導(dǎo)體材料氧化鎵應(yīng)用研究
在所有其他參數(shù)相同的情況下，對(duì)于電子應(yīng)用，寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅)，因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作。例如，與行業(yè)巨頭硅1.1eV的相...
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過(guò)在基底上施加一層材料來(lái)形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的...
羅德與施瓦茨將出席倫敦展會(huì) 世健獲易德龍“21年優(yōu)秀供應(yīng)商”稱(chēng)號(hào)
在對(duì)合適的 DC-DC 產(chǎn)品進(jìn)行了長(zhǎng)時(shí)間的搜索后，Dynamis 最終選擇了 Vicor 的 DCM4623 模塊，因?yàn)樗鼭M足了他們的所有系統(tǒng)要求。Vicor DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊可以在陣列模式下運(yùn)行，當(dāng)電池在比賽期間放電時(shí)...
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