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電子技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為大家展示最熱門的電子技術(shù)行業(yè)動態(tài)，最精準(zhǔn)的電子技術(shù)新聞，是您了解電子技術(shù)最新技術(shù)和動態(tài)的最好網(wǎng)絡(luò)平臺。
晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響
本實驗通過這兩種清洗方法進行標(biāo)識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內(nèi)部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在大氣中的灰塵等雜質(zhì)...
一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法
本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)合，基于詳細的表面和鍵合界面表征，...
詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過程
本文報道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細了解活化機理，并確定它們對化學(xué)...
不同清洗方法對納米顆粒表征的影響
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究不同清洗方法（離心和透析）對15納米檸檬酸鈉穩(wěn)定納米顆粒表面化學(xué)和組成的影響，關(guān)于透析過程，核磁共振分析表明，經(jīng)過9個清洗周期后，檸檬酸濃度與第一次...
三種化學(xué)溶液在InP光柵襯底清洗的應(yīng)用
我們?nèi)A林科納研究了三種化學(xué)溶液，用于在分布反饋激光器應(yīng)用的InP外延生長之前清洗光柵。這些化學(xué)物質(zhì)是濃縮的HMSO和n< SO，H2 2的混合溶液，其中n =β和...
使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（下）
接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕...
使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（上）
?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意...
使用n型GaSb襯底優(yōu)化干法和濕法蝕刻工藝
基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進行原位反射監(jiān)測，以高精度在材料界面停止蝕刻?？紤]到在...
5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。 ? 泛林集團在與...
超聲波頻率對化學(xué)蝕刻過程的影響實驗報告
超聲增強化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，...
多晶硅蝕刻殘留物的的形成機理
為了闡明蝕刻殘留物的形成機理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化...
金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響
本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測Cl2、HBr、O2和SF6等離子體...
使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向...
半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制...
多孔GaN的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性
摘要 本文報道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力...
半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機械拋光后刷洗的理論分析
摘要 化學(xué)機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是...
硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率
本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制作了光滑的垂直墻和懸吊梳式結(jié)構(gòu)。...
通過表面分析評估Cu-CMP工藝
半導(dǎo)體裝置為了達成附加值高的系統(tǒng)LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關(guān)注?；瘜W(xué)機械拋光（CMP）和之后的清...
如何對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性...
半導(dǎo)體晶片鍵合的對準(zhǔn)方法
多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機或無機粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補...
利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀...
詳解微機械中的各向異性刻蝕技術(shù)
單晶硅， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是， 除了單晶SI或機械性強之外，還在于通過利用僅可用于單晶的晶體...
下游產(chǎn)量及庫存需求的增長助推RFID進一步應(yīng)用于制造業(yè)
數(shù)十年前，制造商們在實踐條碼標(biāo)準(zhǔn)方面進展有限，而在發(fā)展第四次工業(yè)革命潛力的過程中，他們則走在了采用射頻識別 (RFID) 技術(shù)的前列，尤其是汽車制造商。盡管固定式工業(yè)掃描器能夠自動...
長電科技子公司長電先進榮獲德州儀器TI“2021年度卓越供應(yīng)商獎”
近日，全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長電科技（上交所代碼：600584）子公司江陰長電先進封裝有限公司（以下簡稱長電先進）榮獲了德州儀器（TI）頒發(fā)的“2021年度卓越供應(yīng)商獎”...
300毫米直徑硅片的快速熱處理實驗研究
在半導(dǎo)體熱處理應(yīng)用中，批處理在工業(yè)的早期階段被采用，并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理過程中的熱行為，該熱行為是溫度、...
通過臭氧微氣泡進行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實驗
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因...
韋爾股份2021年報正式發(fā)布 半導(dǎo)體設(shè)計收入達200億
韋爾股份2021年報正式發(fā)布 ；數(shù)據(jù)顯示韋爾股份2021年的半導(dǎo)體設(shè)計收入達200億。...
2022-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)計韋爾股份 4432
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