電子技術
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環(huán)球晶圓擬在德州投資50億美元建設新工廠
此前芯片制造商需要國會通過一項520億美元芯片法案計劃，這個法案目的是擴大美國半導體產(chǎn)業(yè)，減少對外國原材料的依賴，假如法案被通過，環(huán)球晶圓也能從中拿到一部分資金。美國商務部長...
2022-06-28 標簽：晶圓環(huán)球晶圓 2595
CLL技術應用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組裝單層，應用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們表明，CLL可以作為一種更廣泛的技術...
單晶片背面和斜面清潔（上）
介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過程中，； BS顆粒會導致頂側表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小，這可能導致焦點故障...
先進封裝 一個大周期的開始“迎風國潮”半導體設備研討會
? 設備是芯片制造的基石。在芯片短缺和疫情持續(xù)的雙重作用下，發(fā)展芯片設備行業(yè)成為一個戰(zhàn)略舉措。為了探討以上問題，看清行業(yè)趨勢、格局變化等，遠川研究所于5月26日（周四）15:30-17...
TSV工藝流程與電學特性研究
本文報道了TSV過程的細節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究了TSV的電學特性，結果表明TSV具有低電阻和低電容；小的...
中國臺灣知名電子企業(yè)22年Q1業(yè)績 富士康、臺積電、聯(lián)發(fā)科
蘋果供應商富士康(Foxconn Technology Group，鴻海精密)2022年第一季度利潤好于預期。富士康1-3月凈利潤增長4.6%，至新臺幣294.5億元；收入增長4.5%，至新臺幣1.408萬億元(約477億美元)。 和碩(PEGATRON C...
2022-06-16 標簽：聯(lián)發(fā)科臺積電富士康 4222
使用硬掩模進行更精細的硅通孔蝕刻
引言 隨著對多功能移動消費電子設備需求的增加，半導體芯片互連密度的復雜性不斷增加。傳統(tǒng)的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤互連到封裝引線。隨著芯片規(guī)模向原子級發(fā)展，采...
設計一顆IC芯片時究竟有哪些步驟
昨天的文章中金譽半導體就提到了，芯片制作的第一個步驟就是制定芯片方案設計，只有把芯片的內部制造方案設計出來后，才能根據(jù)這個方案一步步完成。目前有很多專業(yè)的IC芯片方案設計公...
2022-06-15 標簽：聯(lián)發(fā)科半導體晶圓edaIC芯片 8190
硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響
新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻方法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠薄...
佳能新發(fā)售KrF半導體光刻機的Grade10升級包
佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF※1半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級配件包（以下簡稱“Grade10”升級包）。KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發(fā)售至今，已經(jīng)在生產(chǎn)存儲器和邏輯電路的...
百億美元市場背后的技術之戰(zhàn) 芯片先進封裝脈動全球
預計2024年，全球先進封裝市場達440億元。先進封裝設備貼片機升級成封裝廠商投資重點。...
西安紫光國芯受邀出席西安市半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈投資推介會
6月10日，芯耀長安·“鏈”接未來—西安市半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈投資推介會舉辦。西安紫光國芯受邀出席，西安紫光國芯董事、總裁江喜平作為集成電路設計企業(yè)代表發(fā)言，與省、市相關部...
硅片減薄蝕刻技術：RIE技術將硅片減薄到小于20微米
引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，從而為家庭消費提供足夠的能量。我們華林科納認為，借助光阱方案，適當鈍化的IBC電池即使厚度小于20μm也能保持20%的效...
蝕刻工藝表征實驗報告研究
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟...
紫光國微旗下紫光青藤入選國家鼓勵的重點集成電路設計企業(yè)清單
為持續(xù)優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，鼓勵企業(yè)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、財政部、海關總署、稅務總局聯(lián)合發(fā)出《關于做好2022年享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)...
通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的...
濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究
摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的增加而降低，在使用折痕...
22nm互連的光刻蝕刻后殘留去除的挑戰(zhàn)和新方法
本文描述了我們華林科納研究去除金屬硬掩模蝕刻后光致抗蝕劑去除和低k蝕刻后殘留物去除的關鍵挑戰(zhàn)并概述了一些新的非等離子體為基礎的方法。 隨著圖案尺寸的不斷減小，金屬硬掩模(MH...
華進半導體指導項目喜獲第二屆 “集萃創(chuàng)新杯”二等獎
2022年5月24日，由長三角國家技術創(chuàng)新中心、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術研究院組織開展的“第二屆集萃創(chuàng)新杯”活動頒獎典禮順利召開，華進半導體陳天放、陶煊及北京郵電大學張金玲教授共同指導的“...
半導體工業(yè)中表面處理和預清洗的重要性
半導體工業(yè)中表面處理和預清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導體接觸的低電阻，酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對于去除有機殘留物和表面氧化物是必...
KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現(xiàn)不同形狀的底切...
聯(lián)電新加坡晶圓廠P3開始動工，預計2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)
今年3月份，聯(lián)電曾計劃咋新加坡Fab12i廠區(qū)新建晶圓廠，共計花費50億美元，預計將在2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)。 日前，聯(lián)電新加坡的新晶圓廠P3正式開始動工，并且以9.54億新臺幣的價格取得了30年的土...
等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案
我們華林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質與精密的表面分析裝置不兼容，講了...
污染和清洗順序對堿性紋理化的影響
本文介紹了我們華林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金字塔密度的影響不小...
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