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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。
半導體是電子電路中使用最廣泛的元件之一，它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導體器件的制造過程通常用于創(chuàng)建集成電路，包括一系列多個照相和化學處理步驟，在...
3M Liqui-Cel膜接觸器產(chǎn)品已經(jīng)廣泛的應用于各Fab廠超純水溶解氣體控制應用，有超過40年成功應用歷史，其穩(wěn)定的性能和超長的壽命贏得了業(yè)主和合作...
隨著電子產(chǎn)品需求的不斷提升，半導體封裝技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)從2D 結(jié)構(gòu)發(fā)展到2.5D 乃至3D結(jié)構(gòu)，這對包括高密度集成和異質(zhì)結(jié)構(gòu)封裝在內(nèi)的系統(tǒng)級封裝（Syst...
為了應對半導體芯片高密度、高性能與小體積、小尺寸之間日益嚴峻的挑戰(zhàn)，3D 芯片封裝技術(shù)應運而生。從工藝和裝備兩個角度詮釋了 3D 封裝技術(shù);介紹了國內(nèi)外...
隨著摩爾定律逐步逼近物理極限，半導體行業(yè)正轉(zhuǎn)向三維垂直拓展的技術(shù)路徑，以延續(xù)迭代節(jié)奏、實現(xiàn)“超越摩爾”目標。Chiplet為核心的先進封裝技術(shù)，通過將不...
多芯片堆疊技術(shù)的出現(xiàn)，順應了器件朝著小型化、集成化方向發(fā)展的趨勢。該技術(shù)與先進封裝領域中的系統(tǒng)級封裝（SIP）存在一定差異。
結(jié)束前工序的每一個晶圓上，都連接著500~1200個芯片（也可稱作Die）。為了將這些芯片用于所需之處，需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后，再...
關鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和...
高密度IC器件涉及互連的多層堆疊。化學機械平坦化（CMP）工藝為光刻需求提供了晶圓上的平滑表面，已成為半導體制造中獲得高良率的關鍵工藝。
當前，盡管針對 MEMS 器件的制備工藝與相關設備已開展了大量研究，但仍有不少 MEMS 傳感器未能實現(xiàn)廣泛的商業(yè)化落地，其中一個重要原因便是 MEMS...
光學模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學成像理論，預先計算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機的光學成像。光學模型中，經(jīng)過優(yōu)化的光源，通過光刻...
中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內(nèi)多家單位科研團隊合作，通過設計MXene材料的離心、旋涂、光刻和蝕刻工藝，提出了具有微米級分辨率的晶圓...
在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用...
發(fā)光二極管作為電子產(chǎn)品中不可缺少的一個器件，光強的一致性與亮度是重要指標。因此，隨著貼片器件的常規(guī)化使用，除了要求在小型化、多元化方面優(yōu)化之外，對于光強...
關鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機理。結(jié)果表明，在...
大陸新晶圓廠掀起投產(chǎn)潮 美中貿(mào)易戰(zhàn)影響超預期
大陸8英寸、12英寸新廠將自2018年底起掀起一波投產(chǎn)潮，大陸搶單實力、有效產(chǎn)能迄今難以預估，對于設備業(yè)而言是地雷、還是活水甚難預料，而美中貿(mào)易戰(zhàn)的影響...
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。
提高調(diào)制速度的腔內(nèi)金屬孔徑的VCSEL介紹
最右面的圖為16通道的VCSEL陣列照片，芯片尺寸為0.16mm2，相鄰通道間距離為40um，每個區(qū)域數(shù)據(jù)速率密度為2，5Tbps/mm2
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