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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

晶圓為什么是圓形的?

晶圓為什么是圓形的?

當(dāng)硅的溫度達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),將一個(gè)有適當(dāng)方向(如晶向?yàn)椤?11〉)的硅籽晶(seed)放入熔融硅中,作為后續(xù)生長(zhǎng)較大晶體的起始點(diǎn)。當(dāng)籽晶的底部開始在熔融硅...

2023-12-25 標(biāo)簽:芯片晶體晶圓 3.1k 0

利用ARIMA時(shí)間序列模型滿足半導(dǎo)體市場(chǎng)需求并實(shí)現(xiàn)最大化利潤(rùn)

當(dāng)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨全球化的巨大挑戰(zhàn),不但存在行業(yè)內(nèi)部企業(yè)之間的競(jìng)爭(zhēng),行業(yè)與行業(yè)之間的競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈,直接導(dǎo)致市場(chǎng)需求不確定因素急劇增加;另外,近年來半導(dǎo)...

2021-01-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓 3.1k 0

晶圓熱處理目的及主要制程

晶圓熱處理目的及主要制程

半導(dǎo)體制造過程的熱處理,指的是將矽晶圓放置在充滿氮?dú)猓∟2)或氫氣(Ar2)等惰性氣體環(huán)境中施予熱能的處理。

2024-04-15 標(biāo)簽:晶圓熱處理半導(dǎo)體制造 3.1k 0

基于TSV的3D-IC關(guān)鍵集成技術(shù)

基于TSV的3D-IC關(guān)鍵集成技術(shù)

3D-IC通過采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)集成度,同時(shí)有效地...

2025-02-21 標(biāo)簽:芯片IC晶圓 3.1k 0

半導(dǎo)體圈那些事兒你了解嗎?

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。半導(dǎo)體封裝測(cè)試是指將通過測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。

2017-01-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件晶圓 3.1k 0

半導(dǎo)體封裝工藝有哪些 半導(dǎo)體封裝類型及其應(yīng)用

半導(dǎo)體封裝工藝有哪些 半導(dǎo)體封裝類型及其應(yīng)用

圖1為半導(dǎo)體封裝方法的不同分類,大致可以分為兩種:傳統(tǒng)封裝和晶圓級(jí)(Wafer-Level)封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片,然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝;而晶...

2023-07-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓封裝 3.1k 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工,這部分跟硅基IGBT類似。

2024-01-25 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 3.1k 0

詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu),采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后,通過光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多...

2025-09-01 標(biāo)簽:芯片晶圓先進(jìn)封裝 3.1k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)

在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚...

2025-05-09 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 3.1k 0

半導(dǎo)體濕法清洗工藝

半導(dǎo)體濕法清洗工藝

隨著技術(shù)的不斷變化和器件尺寸的不斷縮小,清潔過程變得越來越復(fù)雜。每次清洗不僅要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗,所使用的機(jī)器和設(shè)備也必須進(jìn)行清洗。晶圓污染物的范圍包括直徑...

2023-12-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅晶圓 3.1k 0

p+硅上的鍍鎳:接觸的表征

p+硅上的鍍鎳:接觸的表征

為了提高鍍鎳層的粘附性,從而降低接觸電阻率,介紹了兩種分離的鍍鎳工藝,即“兩步鍍鎳”。在這個(gè)過程中,證明了接觸電阻率約為0.6 mΩcm2的窄而銳利的譜...

2023-04-19 標(biāo)簽:太陽能半導(dǎo)體晶圓 3.1k 0

其實(shí)半導(dǎo)體也沒有那么神秘

一般來說,非半導(dǎo)體從業(yè)者,是見不到上圖的晶圓這個(gè)形態(tài)的,我們一般能見到的形態(tài)就是電路板上焊著的模塊,仔細(xì)觀察這些模塊,可以看到這些模塊表面是塑料包裹著的...

2019-05-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓 3.1k 0

晶圓是什么?晶圓拋光機(jī)的定義及應(yīng)用

晶圓拋光機(jī)作為半導(dǎo)體晶圓拋光配備,主要優(yōu)點(diǎn)有新型實(shí)用、經(jīng)濟(jì)成本低、容易實(shí)現(xiàn)。

2023-01-06 標(biāo)簽:晶圓拋光機(jī) 3.1k 0

簡(jiǎn)述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法,(1)機(jī)械研磨,(2)化學(xué)機(jī)械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成:研...

2023-05-09 標(biāo)簽:等離子體晶圓蝕刻 3.1k 0

什么是晶圓級(jí)扇出封裝技術(shù)

什么是晶圓級(jí)扇出封裝技術(shù)

晶圓級(jí)扇出封裝(FO-WLP)通過環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I/O密度限制,但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

2025-06-05 標(biāo)簽:芯片晶圓封裝 3.1k 0

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成詳解

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成詳解

基于板級(jí)封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片...

2025-07-18 標(biāo)簽:晶圓封裝GaN 3.1k 0

功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試介紹

功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試介紹

???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng),主...

2025-01-14 標(biāo)簽:晶圓封裝功率器件 3k 0

晶圓鍵合技術(shù)的類型有哪些

晶圓鍵合技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,它通過將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合,形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS(...

2024-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓鍵合 3k 0

前段制程FEOL—晶圓上的元件制程

此節(jié)以半導(dǎo)體的代表,CMOS-半導(dǎo)體為例,對(duì)前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說明。此說明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型,說明非常詳細(xì),但一開始先掌握大概即可。

2024-04-03 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體晶圓 3k 0

晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次工藝革新都在...

2025-05-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓清洗工藝 3k 0

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    東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商,是上市企業(yè),股票代碼600718。公司成立于1991年,前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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