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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉(zhuǎn)速度決定的,一般來(lái)說(shuō),上拉速率越慢,生長(zhǎng)的單晶硅棒直徑越大。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關(guān),雖然半導(dǎo)體器件的制備只...
封裝的主要生產(chǎn)過(guò)程包括:晶圓切割,將晶圓上每一晶粒加以切割分離。粘晶,(Die-Attach)將切割完成的晶粒放置在導(dǎo)線(xiàn)架上。焊線(xiàn),(WireBond)...
過(guò)去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...
所謂混合鍵合(hybrid bonding),指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過(guò)金屬互連的混合鍵合工藝,來(lái)實(shí)現(xiàn)三維集成,在Hybrid Bo...
氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
加工技術(shù):IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如,采用新型的晶圓制備技術(shù),...
晶圓級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)
射頻前端(RFFE,Radio Frequency Front-End)模組國(guó)內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器(PA,Power Amplifie...
在集成電路(IC)制造與測(cè)試過(guò)程中,CP(ChipProbing,晶圓探針測(cè)試)和FT(FinalTest,最終測(cè)試)是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié),它們承擔(dān)了不同的...
回顧過(guò)去五六十年,先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來(lái)提升。 提升的主要?jiǎng)恿?lái)自三極管數(shù)量的增加來(lái)實(shí)現(xiàn),而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的...
本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線(xiàn)一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過(guò)在玻璃晶圓 上使用雙面布線(xiàn)工藝,實(shí)現(xiàn)毫米波天線(xiàn)陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...
晶圓級(jí)封裝(WLP)與多芯片組件(MCM)作為先進(jìn)封裝的“雙引擎”,前者在晶圓未切割時(shí)即完成再布線(xiàn)與凸點(diǎn)制作,以“封裝即制造”實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)尺寸、70 μm...
說(shuō)起傳統(tǒng)封裝,大家都會(huì)想到日月光ASE,安靠Amkor,長(zhǎng)電JCET,華天HT,通富微電TF等這些封裝大廠(chǎng)OSAT;說(shuō)起先進(jìn)封裝,當(dāng)今業(yè)界風(fēng)頭最盛的卻是...
改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個(gè)芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過(guò)程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層,使晶圓可以通過(guò)輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。
先進(jìn)封裝之面板芯片級(jí)封裝(PLCSP)簡(jiǎn)介
今天我們來(lái)介紹PLCSP(Panel Level Chip Scale Packaging)。同理,PLCSP是一種將面板級(jí)封裝(PLP)和芯片尺寸封裝...
本文檔介紹Maxim WLP的印刷電路板(PCB)布局和裝配工藝開(kāi)發(fā)。請(qǐng)注意,它適用于初始PCB布局設(shè)計(jì)和組裝工藝開(kāi)發(fā),不承擔(dān)客戶(hù)最終產(chǎn)品的任何可靠性目...
一個(gè)晶圓被分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工藝
一個(gè)晶圓要經(jīng)歷三次的變化過(guò)程,才能成為一個(gè)真正的半導(dǎo)體芯片:首先,是將塊兒狀的鑄錠切成晶圓;在第二道工序中,通過(guò)前道工序要在晶圓的正面雕刻晶體管;最后,...
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