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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

AI在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)測(cè)試中的應(yīng)用

“時(shí)間就是金錢”這句話在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)測(cè)試中尤為貼切。

2023-12-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 AI 2.9k 0

如何制造單晶的晶圓

近年來(lái)全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國(guó)內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口...

2019-10-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓單晶 2.9k 0

晶圓制造及直拉法知識(shí)介紹

晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成...

2025-01-09 標(biāo)簽：晶圓晶圓制造 2.9k 0

手機(jī)芯片為啥這么燒錢？

芯片就像手機(jī)的大腦，我們將輸入信號(hào)作為原材料輸入手機(jī)，通過(guò)改變芯片內(nèi)部的走線、邏輯，就能對(duì)輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn)不同的處理方式。

2023-06-01 標(biāo)簽：晶圓晶體管 DFT 2.8k 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介

經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-22 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2.8k 0

功率器件電鍍的原理和步驟

在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國(guó)中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，...

2025-06-09 標(biāo)簽：晶圓電鍍功率器件 2.8k 0

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)的生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)...

2024-11-14 標(biāo)簽：晶圓功率器件 SiC 2.8k 0

晶圓到晶圓混合鍵合的前景和工藝流程

3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對(duì)系統(tǒng)級(jí)更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應(yīng)。3D 堆疊正在電子系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)的不同級(jí)別（從封裝...

2024-02-22 標(biāo)簽：芯片晶圓鍵合 2.8k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.8k 0

晶圓級(jí)CSP應(yīng)該如何進(jìn)行維修？返修工藝詳細(xì)說(shuō)明

晶圓在現(xiàn)實(shí)生活中具有重要應(yīng)用，缺少晶圓，我們的手機(jī)、電腦等將無(wú)法制成。而且，高質(zhì)量晶圓必將為我們制造的產(chǎn)品帶來(lái)更高的性能。為增進(jìn)大家對(duì)晶圓的了解，本文將...

2021-02-11 標(biāo)簽：PCB 晶圓 CSP 2.8k 0

晶圓背面涂覆技術(shù)在 IC封裝中的應(yīng)用

摘要：論述了傳統(tǒng)的集成電路裝片工藝面臨的挑戰(zhàn)以及現(xiàn)有用DAF膜（DieAttachmentFilm，裝片膠膜）技術(shù)進(jìn)行裝片的局限性；介紹了一種先進(jìn)的、通...

2023-12-30 標(biāo)簽：集成電路晶圓 IC封裝 2.8k 0

LTCC/HTCC基板在晶圓測(cè)試探針卡中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。其中所謂的晶圓測(cè)試，就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測(cè)，以檢測(cè)...

2023-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 LTCC 2.8k 0

五彩斑斕的芯片晶圓：不僅僅是科技的結(jié)晶

在半導(dǎo)體行業(yè)中，芯片晶圓是核心組件，而在展示這些精密的科技產(chǎn)品時(shí)，人們常常會(huì)發(fā)現(xiàn)它們呈現(xiàn)出五彩斑斕的外觀。這一現(xiàn)象并非偶然，而是由多種因素共同作用的結(jié)果...

2024-08-12 標(biāo)簽：芯片晶圓半導(dǎo)體封裝 2.8k 0

一文詳解激光劃片機(jī)

激光劃片機(jī)是利用高能激光束對(duì)晶圓等材料進(jìn)行切割或開槽的精密加工設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、光學(xué)器件等領(lǐng)域。其核心原理是通過(guò)激光與材料的相互作用，實(shí)現(xiàn)...

2025-06-13 標(biāo)簽：激光晶圓劃片機(jī) 2.8k 0

EUV 光刻制造全流程設(shè)計(jì)解析

其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng)，再到光掩模，再到對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，再到晶圓載物臺(tái)，再到光刻膠化學(xué)成分，再到鍍膜機(jī)和顯影劑，再到計(jì)量學(xué)，再到單個(gè)晶圓。

2023-03-07 標(biāo)簽：芯片晶圓光刻 2.8k 0

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓 SiC 2.8k 0

晶圓需求暴增，晶圓廠如何快速增加晶圓產(chǎn)量？

大多數(shù)成熟的晶圓廠都知道他們有性能問(wèn)題，需要更多關(guān)于根源的信息。為了開發(fā)解決其特定問(wèn)題的解決方案，他們必須超越一般化，并確定在工具級(jí)別出現(xiàn)瓶頸的方式和位置。

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 2.7k 0

采用臨界粒子雷諾數(shù)方法去除晶圓表面的粘附顆粒

化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附...

2022-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓顆粒 2.7k 0

什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過(guò)低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。

2025-03-04 標(biāo)簽：晶圓工藝鍵合 2.7k 0

晶圓制造良率限制因素簡(jiǎn)述（1）

下圖列出了一個(gè)11步工藝，如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列，累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品，從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過(guò)將fab外的晶圓...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 2.7k 0

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