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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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隨著超高密度多芯片模組（Multiple Chip Module，MCM）乃至系統(tǒng)級封裝（SiP）產(chǎn)品在5G、AI、高性能運算、汽車自動駕駛等領域的普及...
晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，縮寫WLP)是一種先進的封裝技術，因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢，近年來發(fā)展迅...
從下圖中可以看出結合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨使用時的刻蝕速率總和。
激光芯片的可靠性是一項十分關鍵的指標，無論是小功率的激光筆還是要求較高的激光通信芯片，都需要進行芯片的老化和可靠性的測試。
半導體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱為工藝（Process），理由是什么？雖然沒有明確的答案，但與其說加工尺寸微?。壳笆莕m制程），不如說制造過程無法用肉眼看到所致。
加工技術：IGBT芯片的加工技術包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圓制備技術，...
MAX3108是一款高性能通用異步收發(fā)器（UART），采用晶圓級封裝（WLP），具有許多硬件高級特性，從單獨的128字發(fā)送和接收FIFO到廣泛的硬件介導...
本文檔介紹Maxim WLP的印刷電路板（PCB）布局和裝配工藝開發(fā)。請注意，它適用于初始PCB布局設計和組裝工藝開發(fā)，不承擔客戶最終產(chǎn)品的任何可靠性目...
結束前工序的每一個晶圓上，都連接著500~1200個芯片（也可稱作Die）。為了將這些芯片用于所需之處，需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后，再...
碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設備是否正常工作。
氮化鎵晶體管型號參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
芯片升級的兩個永恒主題：性能、體積/面積。芯片技術的發(fā)展，推動著芯片朝著高性能和輕薄化兩個方向提升。而先進制程和先進封裝的進步，均能夠使得芯片向著高性能...
DS1991L多密鑰iButton是由Maxim的6英寸晶圓廠生產(chǎn)，該晶圓廠的生產(chǎn)工藝已過時，且不再使用。DS1991L所提供的密碼保護已不再是數(shù)據(jù)安全...
由于同質外延結構帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質...
按晶圓尺寸計算，GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內(nèi)將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個批...
硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）LED始終備受世人的關注。在最近十年的初期，當 Bridgelux（普瑞光電）公司宣布該技術可減低 LED 照...
論文中提出了一種捕獲型紅外器件工作原理及設計方法（圖1）。通過液相配體交換的方法，實現(xiàn)對量子點摻雜類型及濃度的精準調控。在近本征量子點薄膜頂層涂覆具有強...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生...
為了適應業(yè)界對節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要，Nexperia大大改進了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結合了低RDSon和高ID，將功率密...
等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負載效應。負載效應有兩種:宏觀負載效應和微觀負載效應。
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