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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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新品 | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC? G2 1200V MOSFET 產(chǎn)品擴(kuò)展

新品CoolSiCG21200VMOSFET采用頂部散熱Q-DPAK封裝第二代CoolSiC1200VMOSFET，采用頂部散熱Q-DPAK封裝，提供4...

2026-03-13 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 SiC 1.3k 0

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)

盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級(jí)結(jié)MOSFET(例如意法...

2024-04-23 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 1.3k 0

6.3.5.5 界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生...

2022-01-19 標(biāo)簽：SiC 1.3k 0

IGBT在前，SiC在后，新能源汽車該如何選擇？

來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 受惠于電動(dòng)車、5G基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域需求提升，SiC(碳化硅)功率元件正穩(wěn)步滲透到全球市場。據(jù)專業(yè)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，2018年全球已有超過20...

2022-12-06 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT SiC 1.3k 0

Qorvo?與SK Siltron CSS宣布達(dá)成長期碳化硅供應(yīng)協(xié)議

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltr...

2022-11-09 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1.3k 0

碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)突圍：大數(shù)據(jù)平臺(tái)驅(qū)動(dòng)技術(shù)迭代與生態(tài)重構(gòu)，邁向功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

當(dāng)SiC從幕后走向舞臺(tái)中央數(shù)十年來，硅材料一直被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的唯一解決方案。當(dāng)全球頂尖晶圓廠專注于硅基芯片研發(fā)時(shí)，化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域早已在悄然突破——從...

2025-08-19 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0

SiC器件如何改變半導(dǎo)體行業(yè)的面貌

碳化硅成分，碳和硅分別是銀河系中第四大和第八大元素。盡管如此，它很少自然地出現(xiàn)在地球上，只有在隕石和一些巖石沉積物中發(fā)現(xiàn)的微小痕跡。不過，它可以很容易地...

2022-08-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1.3k 0

致工程師系列之四：寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，...

2020-10-30 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 1.3k 0

三星進(jìn)軍GaN代工

一直專注于汽車半導(dǎo)體市場的三星電子宣布進(jìn)軍下一代功率半導(dǎo)體市場。相應(yīng)地，硅半導(dǎo)體時(shí)代是否會(huì)結(jié)束、新材料市場是否會(huì)打開，業(yè)內(nèi)人士都在關(guān)注。

2023-07-10 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 1.3k 0

瑞能半導(dǎo)體亮相2026國際綠色能源生態(tài)發(fā)展峰會(huì)

2026 年4月1日，以“零碳賽道上的生態(tài)合力：技術(shù)、資本與政策”為主題的2026國際綠色能源生態(tài)發(fā)展峰會(huì)在上海圓滿舉行。作為全球綠色能源與功率半導(dǎo)體領(lǐng)...

2026-04-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 瑞能半導(dǎo)體 1.3k 0

中國SiC行業(yè)如何在脫鉤時(shí)代發(fā)展

在地緣關(guān)系緊張的當(dāng)下，技術(shù)沿著不同的道路發(fā)展著。西方SiC供應(yīng)商通過在中國建立合資公司來實(shí)現(xiàn)全球統(tǒng)一的SiC開發(fā)和生產(chǎn)的年代已經(jīng)一去不復(fù)返了。在這個(gè)脫鉤...

2022-12-21 標(biāo)簽：晶圓 SiC 1.3k 0

預(yù)計(jì)2025年中國SiC芯片市場將迎來大幅降價(jià)

在中國SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮下，行業(yè)前景正經(jīng)歷著變革。最新市場預(yù)測揭示，得益于本土生產(chǎn)能力的飛躍性提升與產(chǎn)業(yè)規(guī)模的快速擴(kuò)張，中國碳化硅芯片市...

2024-08-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車芯片 mcu 1.3k 0

10億投資落地！利普思車規(guī)級(jí)SiC模塊項(xiàng)目開工

全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場"功率革命"：800V高壓平臺(tái)滲透率提高，車規(guī)級(jí)SiC模塊的市場需求增速爆發(fā)。在這片被英飛凌、意法半導(dǎo)體等國際巨頭長期壟斷...

2025-07-23 標(biāo)簽：SiC 1.3k 0

新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...

2025-06-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.3k 0

國產(chǎn)SiC模塊（碳化硅MOSFET功率模塊）及SiC分立器件產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)分析

碳化硅（SiC）屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體，帶隙寬度高達(dá)3.26 eV（為硅的近3倍），決定了其具備高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率和優(yōu)異的高溫...

2025-09-06 標(biāo)簽：分立器件 SiC 功率模塊 1.3k 0

國產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢分析以及全面取代老舊的2000V器件...

2025-03-03 標(biāo)簽：SiC MPPT 飛跨電容 1.3k 0

新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC? 1400V MOSFET G2

新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳...

2026-01-04 標(biāo)簽：MOSFET 工業(yè)SiC 1.3k 0

SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊

SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它們針對(duì)...

2024-05-13 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.3k 0

S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率

采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?；酒骷?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET（在通過 ...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET MOS SiC 1.3k 0

Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用能效

器件適用于服務(wù)器、電信設(shè)備、UPS和太陽能逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域的功率因數(shù)校正（PFC）續(xù)流、升降壓續(xù)流和LLC轉(zhuǎn)換器輸出整流，為設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性。

2021-01-28 標(biāo)簽：UPS Vishay 肖特基二極管 1.3k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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