在 AMD Versal 自適應(yīng) SoC 器件中，SelectIO 是實(shí)現(xiàn)高速接口的重要組成部分。它為器件提供了靈活且高性能的通用 I/O 資源，支持多種工作模式，能夠滿足源同步接口、異步接口以及各類自定義接口...

該DRV10964是一款集成功率MOSFET的三相無傳感器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。它 專為高效、低噪音、低外部元件數(shù)量的電機(jī)而設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用程序。專有的無傳感器無窗 180° 正弦控制方案提供 超靜音電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能...

DRV10970是一款集成三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，用于家電、冷卻 風(fēng)扇和其他通用電機(jī)控制應(yīng)用。嵌入式智能，小尺寸 因子和簡(jiǎn)單的引腳排列結(jié)構(gòu)降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性、電路板空間和系統(tǒng)成本。這 集成保護(hù)...

快速·精準(zhǔn)·緊湊——全新MXO 3系列示波器的核心特質(zhì)。MXO 3采用羅德與施瓦茨（以下簡(jiǎn)稱“R&S”）首創(chuàng)于MXO 4及MXO 5/5C系列示波器的下一代MXO技術(shù)，在緊湊的機(jī)身中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大性能。...

近日，由中國(guó)電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中電二公司”）承建的中國(guó)蚌埠傳感谷8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線EPC項(xiàng)目迎來重要里程碑——首批產(chǎn)品成功下線。這一成果標(biāo)志著全國(guó)首條...

據(jù)央視新聞報(bào)道，我國(guó)固態(tài)電池又有新突破!我國(guó)科學(xué)家成功讓固態(tài)電池性能實(shí)現(xiàn)跨越式升級(jí)，以前100公斤電池最多支持500公里續(xù)航，現(xiàn)在有望突破1000公里的天花板。 固態(tài)電解質(zhì)與金屬鋰電極之...

DRV8884器件是用于工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)微步進(jìn)索引器和集成電流檢測(cè)。該DRV8884能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1.0A 滿量程或 0.7A rms 的輸出電流（取...

我國(guó)芯片正蓬勃發(fā)展，呈現(xiàn)一片欣欣向榮的態(tài)勢(shì)，我們看到新聞，中國(guó)芯片研制獲重大突破；這是全球首款亞埃米級(jí)快照光譜成像芯片問世。 清華大學(xué)電子工程系方璐教授團(tuán)隊(duì)成功研制出全球...

RECOM 全新推出的板載 10W DC/DC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)了價(jià)值與性能的完美結(jié)合。...

在10月16日；根據(jù)臺(tái)積電公司公布的2025年第三季財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電營(yíng)收約新臺(tái)幣9899.2億元，同比增加30.3%，（上年同期是7596.92億新臺(tái)幣）。 凈利潤(rùn)約新臺(tái)幣4523億，同比增加39.1%，凈利潤(rùn)創(chuàng)下...

海得邏捷HDA-100特性一覽海得邏捷科技推出全新手持有源定向天線HDA-100。該款天線專為無線頻譜監(jiān)測(cè)、信號(hào)排查與現(xiàn)場(chǎng)勘測(cè)而設(shè)計(jì)，憑借優(yōu)異的寬帶性能、智能化的操作體驗(yàn)和出色的人體工學(xué)設(shè)...

基于RFID技術(shù)的固定資產(chǎn)管理與智能出入庫(kù)管理解決方案，解決資產(chǎn)數(shù)量龐大、折舊率監(jiān)控難、數(shù)據(jù)滯后、部門協(xié)同困難等痛點(diǎn)。了解RFID技術(shù)如何通過快速批量識(shí)別、精準(zhǔn)追蹤與監(jiān)控；...

薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過材料堆積形成薄膜），則薄膜刻蝕可稱為 “減法工藝”（通過材料去除實(shí)現(xiàn)圖形化）。通過...

3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對(duì)芯片集成、封裝對(duì)封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)高密度互連。...

然而，隨著納米技術(shù)的出現(xiàn)，芯片制造過程越來越復(fù)雜，晶體管密度增加，導(dǎo)致導(dǎo)線短路或斷路的概率增大，芯片失效可能性大大提升。測(cè)試費(fèi)用可達(dá)到制造成本的50%以上。...

DRV8305-Q1器件是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件提供三個(gè)高精度半橋驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。電荷泵驅(qū)動(dòng)器支持100%占空比和冷啟動(dòng)情況下的低壓作...

簡(jiǎn)介 國(guó)務(wù)院最新發(fā)布《關(guān)于深入實(shí)施?“人工智能 +” 行動(dòng)的意見》，明確 AI 將推動(dòng)千行百業(yè)智能化升級(jí)，半導(dǎo)體行業(yè)需加速算力、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、電源等核心要素進(jìn)階 ——Chiplet 先進(jìn)封裝成算...

DRV8837C器件為相機(jī)、消費(fèi)類產(chǎn)品、玩具和其他低壓或電池供電的運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用提供集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)備可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流電機(jī)或其他設(shè)備，如螺線管。輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H 橋...

DRV870x-Q1 器件是小型單 H 橋柵極驅(qū)動(dòng)器，使用四個(gè)外部 N 溝道 MOSFET，旨在驅(qū)動(dòng)雙向有刷直流電機(jī)。 PH/EN、獨(dú)立的H橋或PWM接口允許與控制器電路進(jìn)行簡(jiǎn)單的接口。內(nèi)部檢測(cè)放大器提供可調(diào)電流...

DRV3205-Q1 橋式驅(qū)動(dòng)器專用于汽車三相無刷直流電機(jī)控制應(yīng)用。該器件為標(biāo)準(zhǔn)級(jí) N 溝道 MOSFET 晶體管提供六個(gè)專用驅(qū)動(dòng)器。帶有集成 FET 的升壓轉(zhuǎn)換器提供過載電壓，即使在低至 4.75 V 的低電池電壓...