GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報(bào)告
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測(cè)器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。對(duì)于實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的氮化...
SPM光刻工藝的研究報(bào)告
在這篇文章中，我們?nèi)A林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設(shè)備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對(duì)其進(jìn)行表征。...
薄膜MLCC的技術(shù)報(bào)告
本文討論了傳統(tǒng)MLCC技術(shù)的最新技術(shù)，并將該技術(shù)與潛在的MLCC薄膜制造技術(shù)進(jìn)行了比較,討論了MLCC制造、相關(guān)限制、潛在制造技術(shù)和設(shè)計(jì)理念方面的薄膜技術(shù)的實(shí)用性。同時(shí)還考慮了電子行業(yè)的...
東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊
?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”...
使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實(shí)驗(yàn)
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時(shí)去除離子植入的光刻劑...
關(guān)于氧化鋅的基本性質(zhì)和應(yīng)用的報(bào)告
本文概述了氧化鋅的基本性質(zhì)，包括晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)，并介紹了其應(yīng)用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結(jié)構(gòu)，氧化鋅的機(jī)械性質(zhì)、基本電子和光學(xué)性質(zhì)以及潛在的應(yīng)用。 晶體結(jié)構(gòu)...
Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)出貨量突破100萬大關(guān)。這一里程碑進(jìn)一步證實(shí)...
2022-01-16 標(biāo)簽：充電器FET電源適配器GaNTransphorm 5476
蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)工作的重點(diǎn)將是酸性和堿...
2022-01-12 標(biāo)簽：InP技術(shù)化學(xué)蝕刻襯底InP技術(shù)化學(xué)物理蝕刻襯底 2885
O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為
引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89 eV，熔點(diǎn)2248 K，高激子結(jié)合能60 meV，即...
微氣泡對(duì)光刻膠層的影響
關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高...
混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析
摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對(duì)工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的...
多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí)，需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確...
使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。目前，在桔葉式設(shè)備...
SiO2在氫氟酸中的刻蝕機(jī)理
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)?；贖F二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機(jī)制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解是在集...
異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 為了評(píng)估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS，研究...
化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析
引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這...
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