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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>工藝綜述>

中國(guó)臺(tái)灣知名電子企業(yè)22年Q1業(yè)績(jī) 富士康、臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科

中國(guó)臺(tái)灣知名電子企業(yè)22年Q1業(yè)績(jī) 富士康、臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科

蘋(píng)果供應(yīng)商富士康(Foxconn Technology Group,鴻海精密)2022年第一季度利潤(rùn)好于預(yù)期。富士康1-3月凈利潤(rùn)增長(zhǎng)4.6%,至新臺(tái)幣294.5億元;收入增長(zhǎng)4.5%,至新臺(tái)幣1.408萬(wàn)億元(約477億美元)。 和碩(PEGATRON C...

2022-06-16 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電富士康 4223

設(shè)計(jì)一顆IC芯片時(shí)究竟有哪些步驟

設(shè)計(jì)一顆IC芯片時(shí)究竟有哪些步驟

昨天的文章中金譽(yù)半導(dǎo)體就提到了,芯片制作的第一個(gè)步驟就是制定芯片方案設(shè)計(jì),只有把芯片的內(nèi)部制造方案設(shè)計(jì)出來(lái)后,才能根據(jù)這個(gè)方案一步步完成。目前有很多專業(yè)的IC芯片方案設(shè)計(jì)公...

2022-06-15 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科半導(dǎo)體晶圓edaIC芯片 8190

佳能新發(fā)售KrF半導(dǎo)體光刻機(jī)的Grade10升級(jí)包

佳能新發(fā)售KrF半導(dǎo)體光刻機(jī)的Grade10升級(jí)包

佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF※1半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級(jí)配件包(以下簡(jiǎn)稱“Grade10”升級(jí)包)。KrF半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a” 自發(fā)售至今,已經(jīng)在生產(chǎn)存儲(chǔ)器和邏輯電路的...

2022-06-14 標(biāo)簽:佳能光刻機(jī) 3648

聚焦IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上的封裝環(huán)節(jié) 為IGBT國(guó)產(chǎn)化保駕護(hù)航

聚焦IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上的封裝環(huán)節(jié) 為IGBT國(guó)產(chǎn)化保駕護(hù)航

與普通IC芯片相比,IGBT減薄工藝更難解決,對(duì)封裝設(shè)備要求更高。更柔性、更穩(wěn)定、更精準(zhǔn)、更快速的高精度芯片貼裝設(shè)備是IGBT國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵之一。...

2022-06-13 標(biāo)簽:封裝IGBT直線電機(jī)貼片機(jī)音圈電機(jī) 5655

百億美元市場(chǎng)背后的技術(shù)之戰(zhàn) 芯片先進(jìn)封裝脈動(dòng)全球

預(yù)計(jì)2024年,全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)達(dá)440億元。先進(jìn)封裝設(shè)備貼片機(jī)升級(jí)成封裝廠商投資重點(diǎn)。...

2022-06-13 標(biāo)簽:封裝直線電機(jī)貼片機(jī)音圈電機(jī) 3382

紫光國(guó)微旗下紫光青藤入選國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)清單

為持續(xù)優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境,鼓勵(lì)企業(yè)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力,國(guó)家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、財(cái)政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局聯(lián)合發(fā)出《關(guān)于做好2022年享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)...

2022-06-10 標(biāo)簽:集成電路紫光國(guó)微 4074

封測(cè)企業(yè)華進(jìn)半導(dǎo)體榮獲無(wú)錫高新區(qū)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

2022年5月30日,無(wú)錫高新區(qū)(新吳區(qū))召開(kāi)全區(qū)人才工作暨科技創(chuàng)新大會(huì),華進(jìn)半導(dǎo)體榮獲“2021年度區(qū)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”、“2021年度區(qū)科技創(chuàng)新資金重點(diǎn)獎(jiǎng)勵(lì)企業(yè)”,華進(jìn)半導(dǎo)體總經(jīng)理孫鵬上臺(tái)...

2022-05-31 標(biāo)簽:封裝封測(cè)華進(jìn)半導(dǎo)體封測(cè)封裝 8905

圖解SK海力士半導(dǎo)體生產(chǎn)全過(guò)程 看半導(dǎo)體制造如何點(diǎn)沙成金

華進(jìn)半導(dǎo)體指導(dǎo)項(xiàng)目喜獲第二屆 “集萃創(chuàng)新杯”二等獎(jiǎng)

2022年5月24日,由長(zhǎng)三角國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院組織開(kāi)展的“第二屆集萃創(chuàng)新杯”活動(dòng)頒獎(jiǎng)典禮順利召開(kāi),華進(jìn)半導(dǎo)體陳天放、陶煊及北京郵電大學(xué)張金玲教授共同指導(dǎo)的“...

2022-05-26 標(biāo)簽:封裝華進(jìn)半導(dǎo)體 2840

Cadence分析 3D IC設(shè)計(jì)如何實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)級(jí)規(guī)劃

Cadence Integrity 3D-IC 平臺(tái)是業(yè)界首個(gè)全面的整體 3D-IC 設(shè)計(jì)規(guī)劃、實(shí)現(xiàn)和分析平臺(tái),以全系統(tǒng)的視角,對(duì)芯片的性能、功耗和面積 (PPA) 進(jìn)行系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化,并對(duì) 3D-IC 應(yīng)用的中介層、封裝和印刷電...

2022-05-23 標(biāo)簽:集成電路IC設(shè)計(jì)封裝Cadence3DIC 6268

晶片清洗和熱處理對(duì)硅片直接鍵合的影響

晶片清洗和熱處理對(duì)硅片直接鍵合的影響

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識(shí)分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組,進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過(guò)最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在大氣中的灰塵等雜質(zhì)...

2022-05-16 標(biāo)簽:晶片硅片鍵合硅襯底 1788

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造(下)

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造(下)

接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移; 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕...

2022-05-11 標(biāo)簽:光學(xué)蝕刻蝕刻工藝光學(xué)器件 1393

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造(上)

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造(上)

?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕,用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)的輪廓深度的精確的任意...

2022-05-11 標(biāo)簽:光學(xué)蝕刻蝕刻工藝光學(xué)器件 1713

超聲波頻率對(duì)化學(xué)蝕刻過(guò)程的影響實(shí)驗(yàn)報(bào)告

超聲波頻率對(duì)化學(xué)蝕刻過(guò)程的影響實(shí)驗(yàn)報(bào)告

超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來(lái)制作多孔硅層,通過(guò)使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層,發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu),用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔,...

2022-05-06 標(biāo)簽:超聲波蝕刻蝕刻工藝 1859

半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

摘要 本研究開(kāi)發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過(guò)商業(yè)脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過(guò)200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制...

2022-04-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片 2851

多孔GaN的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性

多孔GaN的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性

摘要 本文報(bào)道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示,孔隙的密度隨著蝕刻時(shí)間的增加而增加,而蝕刻時(shí)間對(duì)孔隙的大小和形狀沒(méi)有顯著影響。原子力...

2022-04-27 標(biāo)簽:光學(xué)GaN 1950

半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是...

2022-04-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片 2089

長(zhǎng)電科技子公司長(zhǎng)電先進(jìn)榮獲德州儀器TI“2021年度卓越供應(yīng)商獎(jiǎng)”

長(zhǎng)電科技子公司長(zhǎng)電先進(jìn)榮獲德州儀器TI“2021年度卓越供應(yīng)商獎(jiǎng)”

近日,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(zhǎng)電科技(上交所代碼:600584)子公司江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司(以下簡(jiǎn)稱長(zhǎng)電先進(jìn))榮獲了德州儀器(TI)頒發(fā)的“2021年度卓越供應(yīng)商獎(jiǎng)”...

2022-04-20 標(biāo)簽:tiSiP供應(yīng)商長(zhǎng)電科技 3081

用SWOT分析法看中國(guó)大陸是否應(yīng)該制定自己的Chiplet標(biāo)準(zhǔn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)3月初的時(shí)候,英特爾、AMD、Arm、高通、臺(tái)積電、三星、日月光、谷歌云、Meta、微軟等行業(yè)巨頭組建了一個(gè)Chiplet標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟,并制定了一套通用的Chiplet高速互聯(lián)標(biāo)...

2022-04-05 標(biāo)簽:中國(guó)芯SWOTchiplet 5664

3M比利時(shí)工廠被關(guān)停,全球冷卻液產(chǎn)量減80%,或?qū)е掠⑻貭?、三星至?個(gè)月停產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,據(jù)韓媒報(bào)道,由于比利時(shí)政府近期提高了過(guò)氟化合物(PFAS)的環(huán)保排放標(biāo)準(zhǔn),導(dǎo)致3M在當(dāng)?shù)氐陌雽?dǎo)體冷卻液生產(chǎn)工廠無(wú)限期停產(chǎn),而該工廠所生產(chǎn)的半導(dǎo)...

2022-04-03 標(biāo)簽:英特爾三星電子3M 9853

中芯國(guó)際2021年報(bào)顯示營(yíng)收增長(zhǎng)39.3% 毛利率達(dá)30.8% 財(cái)務(wù)指標(biāo)穩(wěn)健增長(zhǎng)

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二一年十二月三十一日止年度經(jīng)審核業(yè)績(jī)。 (以下數(shù)據(jù)根據(jù)國(guó)際財(cái)務(wù)報(bào)告準(zhǔn)則編制) 財(cái)務(wù)摘要 收入由2020年的3,907.0百萬(wàn)美元增長(zhǎng)...

2022-03-31 標(biāo)簽:集成電路中芯國(guó)際晶圓代工 3057

長(zhǎng)電科技2021年度保持穩(wěn)健發(fā)展勢(shì)頭

2021第四季度及全年財(cái)務(wù)亮點(diǎn): 四季度實(shí)現(xiàn)收入為人民幣85.9億元,全年實(shí)現(xiàn)收入為人民幣305.0億元,創(chuàng)歷年同期新高。四季度和全年收入同比分別增長(zhǎng)11.5%和15.3%。 四季度經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生現(xiàn)金人民...

2022-03-30 標(biāo)簽:封裝長(zhǎng)電科技 2887

半導(dǎo)體工藝之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析

半導(dǎo)體工藝之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析

引言 本文簡(jiǎn)要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中,刷的粘彈性行為、平板的表面潤(rùn)濕性以及刷的變形是重要的。此外,我們還介紹了PVA電刷和接觸面之間...

2022-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PVA半導(dǎo)體工藝 3261

泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 此前宣布季度股息1.5美元每股

泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來(lái)自于創(chuàng)新者,更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命,也是世界領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)值得...

2022-03-22 標(biāo)簽:集成電路晶圓刻蝕泛林集團(tuán) 3609

泛林集團(tuán)推開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案 加速實(shí)現(xiàn)3D

泛林集團(tuán)推開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案 加速實(shí)現(xiàn)3D

通過(guò)與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作,他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破,這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。...

2022-03-22 標(biāo)簽:刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2906

Achronix任命臺(tái)積電資深高管Rick Cassidy為其董事會(huì)成員

“Cassidy先生為Achronix的董事會(huì)帶來(lái)了其超過(guò)三十年的半導(dǎo)體和制造經(jīng)驗(yàn)” 加利福尼亞州圣克拉拉市,2022年3月7日——高性能FPGA和嵌入式FPGA(eFPGA)半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP )領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 Achronix...

2022-03-08 標(biāo)簽:FPGA臺(tái)積電晶圓IPAchronix 7188

國(guó)產(chǎn)芯片何去何從?關(guān)于中國(guó)芯片這些話如鯁在喉

作為一家以AI、云計(jì)算、通信等技術(shù)為核心關(guān)注點(diǎn)的自媒體,芯片是永遠(yuǎn)無(wú)法繞開(kāi)的話題。腦極體最早開(kāi)始關(guān)注芯片是在2017年,彼時(shí)華為海思領(lǐng)先蘋(píng)果發(fā)布了全球第一款移動(dòng)AI芯片麒麟970;梁孟...

2022-03-08 標(biāo)簽:云計(jì)算AI國(guó)產(chǎn)芯片AI芯片 9289

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X 1020...

2022-02-15 標(biāo)簽:晶圓襯底鍍膜碳化硅 2584

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