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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>工藝綜述>

Cu CMP后清洗中添加劑對(duì)顆粒粘附和去除的影響

Cu CMP后清洗中添加劑對(duì)顆粒粘附和去除的影響

引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二氧化硅顆粒對(duì)銅膜的粘附...

2021-12-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓晶片晶圓制造 2138

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場(chǎng)的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初,人們已經(jīng)了 解了什么樣的雜質(zhì)會(huì)給半導(dǎo)體...

2021-12-29 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體蝕刻晶片蝕刻工藝 3338

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測(cè)試儀測(cè)量界面粘合。在同一樣品的不同部分...

2021-12-27 標(biāo)簽:聚合物晶片硅襯底光子器件晶片硅基板硅襯底聚合物 2172

優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時(shí)間的創(chuàng)新方法

優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時(shí)間的創(chuàng)新方法

本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對(duì)晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽極位置優(yōu)化、多步驟TSV填充過程、添加劑...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體3D晶片TSV3DDRIETSV半導(dǎo)體晶片 3293

半導(dǎo)體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

半導(dǎo)體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟,不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物,...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子蝕刻 4134

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中,制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù),特別是對(duì)于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文討論了表面處理參數(shù)的特點(diǎn)及其影響。硅技...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體超聲波蝕刻晶片GBDT半導(dǎo)體晶片蝕刻超聲波 1595

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》化學(xué)品對(duì)硅片上金屬污染的影響

摘要 對(duì)實(shí)自不同供應(yīng)商的化學(xué)5進(jìn)行了清法后殘自在理最片上的全屬污染水平的測(cè)試。在江省過在中,評(píng)估了來自三個(gè)供應(yīng)商的鹽整機(jī)復(fù)氧化鎮(zhèn)以及來自四個(gè)供應(yīng)母的討氧化復(fù),在RCA標(biāo)準(zhǔn)濟(jì)夜市...

2021-12-27 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SPM 969

半導(dǎo)體鍺光電探測(cè)器與非晶硅基板上的非晶硅波導(dǎo)單體集成

半導(dǎo)體鍺光電探測(cè)器與非晶硅基板上的非晶硅波導(dǎo)單體集成

引言 我們展示了一個(gè)利用高質(zhì)量的絕緣體上鍺(GeO)晶片通過晶片鍵合技術(shù)制造的阿格/非晶硅混合光子集成電路平臺(tái)的概念驗(yàn)證演示。通過等離子體化學(xué)氣相沉積形成的非晶硅被認(rèn)為是傳統(tǒng)硅無...

2021-12-24 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶片基板半導(dǎo)體基板晶片芯片非晶硅 2849

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤(rùn)濕性和光致發(fā)光(PL)測(cè)量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明,溶液在浸入樣品后(W1分鐘)會(huì)立即去除自然...

2021-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻GAP半導(dǎo)體溶液蝕刻 2748

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對(duì)顆粒去除非常有效,但去除機(jī)制仍不清楚。對(duì)于去,除重有機(jī)...

2021-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片硅片 2560

宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者

宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者

宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對(duì)象:薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強(qiáng)先生 采訪主題:薩科微半導(dǎo)體的成長(zhǎng)史的幾個(gè)問題 近年來,在半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”和解決歐美國家對(duì)我們“卡脖...

2021-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管功率器件碳化硅 8449

CMP后晶片表面金屬污染物的清洗方法解析

CMP后晶片表面金屬污染物的清洗方法解析

由于銅在二氧化硅和硅中的快速擴(kuò)散,以及在禁帶隙內(nèi)受體和供體能級(jí)的形成,銅需要在化學(xué)機(jī)械拋光過程后清洗。...

2021-12-15 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體電鍍CMP晶片 3773

Fe和Cu污染對(duì)硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

Fe和Cu污染對(duì)硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會(huì)大大降低硅器件的產(chǎn)量。用微波光電導(dǎo)衰減和...

2021-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片硅襯底半導(dǎo)體有機(jī)半導(dǎo)體硅片硅襯底 3390

半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法,并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時(shí)間變化,和抗蝕劑寬度對(duì)幾何形狀的影響,并對(duì)蝕刻過程...

2021-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 4930

采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納

采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納

這本文中,我們提出了一種精確的,低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法,用于精確的勢(shì)壘凹陷應(yīng)用,使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化允許獲得寬范圍的蝕刻速率~0.6至~11納米/周期...

2021-12-13 標(biāo)簽:蝕刻GaN蝕刻工藝機(jī)器學(xué)習(xí)深度學(xué)習(xí) 3640

四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系

四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系

在本文中,我們?cè)敿?xì)研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地,我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)蝕刻速率的依賴關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大的紫外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的濕法刻蝕...

2021-12-13 標(biāo)簽:芯片摩爾定律電化學(xué)蝕刻藍(lán)寶石襯底 2335

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。...

2021-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體襯底光刻膠刻蝕設(shè)備刻蝕 2185

光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析

光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析

應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評(píng)估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類型(如裸硅、多晶硅、氧化物...

2021-12-13 標(biāo)簽:納米材料納米襯底硅基光刻膠 1848

中國團(tuán)隊(duì)拿下EDA全球冠軍,內(nèi)生安全,從芯而起共建生態(tài)

中國團(tuán)隊(duì)拿下EDA全球冠軍,內(nèi)生安全,從芯而起共建生態(tài)

11月7日,相信很多人的朋友圈幾乎都被一件事刷屏:電競(jìng)游戲戰(zhàn)隊(duì)EDG奪冠!然而就在大家狂歡時(shí),華中科技大學(xué)官方微博也發(fā)布了一條消息:其計(jì)算機(jī)學(xué)院呂志鵬教授團(tuán)隊(duì)在11月4日結(jié)束的EDA(電...

2021-11-24 標(biāo)簽:EDA工具算法eda布線EDA技術(shù) 6757

清華大學(xué)成立“芯片學(xué)院” 清華大學(xué)芯片專業(yè)來了

在中美關(guān)系緊張的時(shí)期我們看到很多學(xué)校在加大集成電路相關(guān)人才的培養(yǎng),比如東南大學(xué)有微電子學(xué)院、南京集成電路大學(xué)、北京郵電大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué),浙大大學(xué),上海交通大學(xué),電...

2021-04-23 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體eda清華大學(xué) 15953

華為對(duì)外投資案例分析 華為對(duì)外投資的公司增加寧波潤(rùn)華全芯微電子

天眼查APP顯示,11月23日,寧波潤(rùn)華全芯微電子設(shè)備有限公司發(fā)生股東股權(quán)變更,新增華為旗下哈勃科技投資有限公司。 潤(rùn)華全芯微電子官網(wǎng)公開資料顯示,寧波潤(rùn)華全芯微電子設(shè)備有限公司(...

2020-11-25 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體mems華為 6255

芯華章將推出支持國產(chǎn)計(jì)算機(jī)架構(gòu)的國產(chǎn)驗(yàn)證EDA工具

據(jù)芯華章科技創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO王禮賓透露,芯華章即將推出市場(chǎng)上首款支持國產(chǎn)計(jì)算機(jī)架構(gòu)的國產(chǎn)驗(yàn)證EDA工具。該工具會(huì)采用全新的系統(tǒng)架構(gòu),不僅兼容現(xiàn)有國際和國內(nèi)的計(jì)算機(jī)架構(gòu),更有...

2020-11-05 標(biāo)簽:集成電路edaEDA技術(shù)機(jī)器學(xué)習(xí) 1065

半導(dǎo)體漲價(jià)風(fēng)從晶圓代工吹向上游IC設(shè)計(jì)

半導(dǎo)體漲價(jià)風(fēng)從晶圓代工吹向上游IC設(shè)計(jì)。因應(yīng)8吋晶圓代工產(chǎn)能吃緊、報(bào)價(jià)一路揚(yáng)升,臺(tái)灣第二大IC設(shè)計(jì)商暨面板驅(qū)動(dòng)IC龍頭聯(lián)詠(3034),以及全球最大觸控IC廠敦泰近期成功漲價(jià),聯(lián)詠漲幅更...

2020-10-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IC晶圓IC設(shè)計(jì)晶圓代工 1279

Lightmatter將在2021年發(fā)布人工智能光子處理器

結(jié)果是,移動(dòng)數(shù)據(jù)所需的能量更少,這為傳統(tǒng)的處理和用于人工智能推理工作負(fù)載的互連提供了一種節(jié)能的替代方案。據(jù)美國能源部的預(yù)測(cè),到2030年,這些傳統(tǒng)方法預(yù)計(jì)將占全球能源使用量的...

2020-10-19 標(biāo)簽:芯片cpu封裝AI人工智能 5268

第三代半導(dǎo)體寫入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析

第三代半導(dǎo)體寫入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析

第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時(shí)代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。 第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮...

2020-09-04 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體摩爾定律氮化鎵碳化硅 8047

晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)顯得愈加激烈 發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁

晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)顯得愈加激烈 發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁

昨天,拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布了全球前十大晶圓代工廠第三季度的營收排名預(yù)測(cè)。雖然總體格局沒有變化,但是這一季度的排名與以往還是有所不同,那就是中國大陸和中國臺(tái)灣地區(qū)的五大晶圓代...

2020-09-02 標(biāo)簽:中芯國際臺(tái)積電聯(lián)電晶圓 4166

微波功率模塊的三種焊接工藝分析比較

從微波功率模塊的生產(chǎn)效率、模塊的焊接質(zhì)量和加工難度等方面,對(duì)三種工藝方式進(jìn)行綜合性比較,從而得出各自的適用場(chǎng)合,以指導(dǎo)生產(chǎn)。...

2020-08-18 標(biāo)簽:元器件微波功率模塊 7516

令人驚訝!Deca的扇出式封裝技術(shù)的新商業(yè)化

本文的目的是了解為什么Deca的扇出技術(shù)最近被高通用于其PMIC扇入WLP die的保護(hù)層。嚴(yán)格的說,這仍舊是一個(gè)扇入die與側(cè)壁鈍化所做的扇出封裝。因此,本文的第一部分將描述扇入式WLP市場(chǎng)以及這...

2019-07-05 標(biāo)簽:wlpDeca扇出式封裝 8635

smt供料生產(chǎn)優(yōu)化

多種產(chǎn)品相對(duì)于一種生產(chǎn)設(shè)備的產(chǎn)品歸組優(yōu)化,是針對(duì)小批量、多品種的生產(chǎn)模式。...

2018-12-19 標(biāo)簽:SMT工藝 1673

SMT工藝與POP裝配的控制

元器件翹曲變形導(dǎo)致在裝配之后焊點(diǎn)開路,其翹曲變形既有來自元件在封裝過程中的變形,也有因?yàn)榛亓?焊接過程中的高溫引起的熱變形。由于堆疊裝配的元件很薄,底部元件甚至薄到0.3 mm,...

2018-12-19 標(biāo)簽:SMT工藝POP封裝SMT工藝 4515

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