制造/封裝
權(quán)威的制造技術(shù)與封裝技術(shù)頻道，涉及半導(dǎo)體制程工藝、IC代工產(chǎn)能以及集成電路封裝測試等技術(shù)。
大數(shù)據(jù)分析，半導(dǎo)體技術(shù)必不可少?
進行大數(shù)據(jù)分析時，半導(dǎo)體技術(shù)是必不可少的。雖然存儲器本身的技術(shù)開發(fā)也很重要，但對于大數(shù)據(jù)分析，使存儲器物盡其用的控制器和中間件的技術(shù)似乎更加重要。...
2013-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存DRAMNAND大數(shù)據(jù) 1971
諾基亞也能進行3D打?。?！助力定制手機護套
諾基亞正發(fā)布一個3D打印開發(fā)工具以幫助用戶制作手機護套。3D打印是諾基亞與龐大的軟件和硬件工程師社區(qū)建立聯(lián)系的另一個途徑。3D打印未來可能制作擁有更多模塊和客戶化組件手機...
英特爾斥巨資改善制造技術(shù)意在保持領(lǐng)先地位
英特爾決定今年斥資130億美元開發(fā)和建設(shè)未來制造技術(shù)，雖然華爾街并不認(rèn)同這一計劃，但要在未來幾年繼續(xù)領(lǐng)先競爭對手，這或許是將是不得已的選擇。...
稱霸28nm：臺積電2013年或?qū)ⅹ氄汲鲐浄蓊~
臺灣半導(dǎo)體制造公司的董事長兼首席執(zhí)行官張忠謀在上周五表示，預(yù)計該公司將在2013年得到幾乎全部的28nm制程的市場份額...
頻頻裁員為哪般?諾基亞、瑞薩掀2013年裁員潮
隨著iphone和安卓的高歌猛進，諾基亞的低落已成不爭的事實，手機行業(yè)諾基亞在煎熬，面臨同樣處境的還有日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子...
龍騰2012，電子產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌
2012年加速行業(yè)洗牌，半導(dǎo)體、科技領(lǐng)域仍舊持續(xù)進展。半導(dǎo)體廠商們?nèi)绾伟盐談?chuàng)新技術(shù)應(yīng)用風(fēng)向，迎戰(zhàn)新一輪競爭？電子發(fā)燒友網(wǎng)編輯部特此推出2012年度盤點專題，為您呈現(xiàn)2012年半導(dǎo)...
2013-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)云計算DIY智能家居28nm 2177
機器人正入侵中國工廠：替代工人加班沒怨言
當(dāng)勞動力成本的爬升令中國的制造工廠們感到苦惱時，雷柏徹底把機器人和自動化設(shè)備變成了工廠里的主角。...
玩轉(zhuǎn)單片機，DIY可測試電容、電感和頻率的儀器
在平時的工作中，有時候我們需要測試一下電感、電容還有小信號的頻率，為了方便，今天我給大家介紹一個利用單片機STC89C52/AT89S52為主控的，集合以上三種功能的神器。以下是詳細(xì)制...
全新碳納米纖維 堪比金屬的高導(dǎo)電性
近日，研究人員就發(fā)現(xiàn)了一種全新的CNT纖維，它不但可以跟一根金屬電線一樣具備了傳導(dǎo)熱和電的能力，而且還能達到一般碳管那樣的強度以及具備如同紡織纖維一樣的靈活性。...
CES2013十大未來技術(shù)：隔空取物可望成真
CES2013美國消費電子展已經(jīng)進入尾聲，作為2013年的開年大戲，CES2013新技術(shù)、新品云集為這一年產(chǎn)品的發(fā)展指明方向。而在過去的幾天了，各廠商相繼推出了各具特色的產(chǎn)品。從多點觸摸...
秒殺蘋果A6，下一代Surface RT將采用Tegra 4處理器
日前據(jù)《電子時報》已經(jīng)證實，NIVDIA已經(jīng)成為了微軟在Surface平板電腦上的主要合作伙伴，將會為下一代微軟Surface RT研發(fā)Tegra 4處理器。...
2013-01-14 標(biāo)簽：處理器四核處理器tegra 4Surface RTNIVDIA 1602
智能手機為什么需要M2M的五大原因
通過使用M2M SIM卡融入智能手機的方式，智能手機上的M2M技術(shù)能幫助用戶超越“這里有一款應(yīng)用可以供你使用”（there’s an app for that）的廣告語，以下為下一代智能手機需要M2M的五大原因...
2013-01-11 標(biāo)簽：智能手機物聯(lián)網(wǎng)nfcM2M智能家電移動醫(yī)療 3029
智能電視、OLED、3D備受關(guān)注，CES成4K電視舞臺
一年一度的國際消費電子展（CES）臨近，行業(yè)紛紛猜測今年廠商將推出何種新電視技術(shù)。以往幾年，廠商發(fā)布了3D、智能電視、OLED等技術(shù)吸引了行業(yè)與消費者關(guān)注，我們估計4Kx2K（超高分...
三星首推八核處理器 功耗將猛降七成
三星Exynos 5 Octa采用的是ARM的ARM big.LITTLE/Cortex A15構(gòu)架，采用的是28nm工藝制程，由兩片四核處理器組成，分別是1.8GHz的A15架構(gòu)處理器和1.2GHz的A7構(gòu)架處理器，性能強大的A15四核處理器用來處...
高壓電DIY:高壓發(fā)生器、等離子蝕刻和電弧球
高壓DIY之中，必不可少的設(shè)備是一個高壓發(fā)生器，有了它你可以玩出各種各樣的花樣。我在這里制作的是一個可調(diào)高壓發(fā)生器，并且為你示范用它來做超酷的等離子蝕刻和絢麗的電弧球...
2013-01-09 標(biāo)簽：PCB設(shè)計高壓發(fā)生器高壓電等離子蝕刻電弧球可制造性設(shè)計華秋DFM 101973
風(fēng)頭勁壓iPhone 彎曲手機、可穿戴電子產(chǎn)品照亮2013
2012年，移動產(chǎn)品的銷售量達到了一個新的高度。首先，智能手機和平板電腦市場取得了大幅增長。其他智能移動產(chǎn)品也方興未艾，智能手表、智能腕帶、智能眼鏡紛紛問世。也許你認(rèn)為...
2013-01-09 標(biāo)簽：智能手機iPhonenfc移動技術(shù)移動產(chǎn)品 1420
最具影響力展望：2013年個人電子產(chǎn)品8大發(fā)展趨勢
“通話更便宜、電視更智能?！毙履暌潦?，美國資深ＩＴ評論家莫斯伯格在展望２０１３年個人電子產(chǎn)品發(fā)展趨勢時，作出了這樣的概括。...
2013年IC產(chǎn)業(yè)應(yīng)用趨勢展望：誰在助飛IC增長？
2012年全球經(jīng)濟狀況持續(xù)呈現(xiàn)低迷景象，由于全球消費能力下降等原因，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展備受沖擊，不過高端半導(dǎo)體市場仍保持原有的發(fā)展勢頭，發(fā)展較好。...
2013-01-09 標(biāo)簽：英飛凌飛思卡爾德州儀器恩智浦IC產(chǎn)業(yè) 1070
提升功率密度 飛兆半導(dǎo)體改進Dual Cool封裝技術(shù)
飛兆半導(dǎo)體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中面臨提升功率密度的同時節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。...
2013-01-08 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體封裝技術(shù)電源芯片功率密度 1524
飛兆半導(dǎo)體推出Dual Cool封裝的MOSFET
飛兆半導(dǎo)體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，這種封裝屬于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列封裝，帶有頂側(cè)冷卻，適用的產(chǎn)品中包括40-100V中壓產(chǎn)品系列。硅技術(shù)的進步結(jié)合Dual Cool技術(shù)，...
2013-01-08 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片Dual coolMOSFET電源芯片飛兆半導(dǎo)體 1544
無晶圓半導(dǎo)體企業(yè)2012年業(yè)績再度超越IDM
全球無晶圓廠半導(dǎo)體企業(yè)（fabless）的整體業(yè)績表現(xiàn)，又一次在 2012年超越了擁有自家晶圓廠的整合元件制造商（IDM）們。全球無晶圓廠晶片業(yè)者 2012年營收總和成長了6%，而同時間全球...
科學(xué)家研制新型二維材料 或拓展＂納米＂應(yīng)用范圍
澳大利亞聯(lián)邦科工組織（CSIRO）和墨爾本皇家理工大學(xué)（RMIT University）的科學(xué)家們已經(jīng)研制出二維納米材料，有望使“納米”得到廣泛應(yīng)用。...
您，誤解大數(shù)據(jù)了嗎？
本文不想討論這種觀點正確與否，但想在這里解釋兩個關(guān)于大數(shù)據(jù)的常見誤解。...
2013-01-06 標(biāo)簽：微軟IBM谷歌數(shù)據(jù)存儲大數(shù)據(jù)編輯視點 4883
28nm營收翻3倍！臺積電大舉進軍高階封測
臺積電2013年大舉跨入高階封測領(lǐng)域，封測雙雄日月光和矽品均進入備戰(zhàn)狀況，加大力度建置產(chǎn)能，可預(yù)期高階封測將成為封測業(yè)今年主戰(zhàn)場。...
浸潤式微影技術(shù)強勢晉級，EUV技術(shù)可有出頭日？
浸潤式微影技術(shù)、多重圖形以及高折射率液體，將讓193納米微影設(shè)備走到國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖（ITRS）目前的終點：8納米。屆時，EUV技術(shù)可有出頭日？...
2012-12-26 標(biāo)簽：英特爾德州儀器EUV浸潤式微影技術(shù) 6297
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