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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>

半導(dǎo)體技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為半導(dǎo)體技術(shù)專區(qū),有豐富的半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用知識與半導(dǎo)體技術(shù)資料,可供半導(dǎo)體行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。

應(yīng)用材料公司與格羅方德簽署德國晶圓一廠的服務(wù)合約

應(yīng)用材料公司宣佈,與半導(dǎo)體大廠商格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽署兩年的加強(qiáng)版合約,為其位于德國的德勒斯登的晶圓一廠(Fab1)中所有應(yīng)用材料公司設(shè)備提供服務(wù)。除了傳統(tǒng)的機(jī)臺維...

2012-08-15 標(biāo)簽:晶圓格羅方德應(yīng)用材料公司 1702

ARM攜手臺積電 探究半導(dǎo)體芯片制造工藝

ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協(xié)議,兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象,探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實現(xiàn)方法。...

2012-08-12 標(biāo)簽:ARM半導(dǎo)體臺積電芯片制造 1214

從上海IC咖啡看中國IC設(shè)計創(chuàng)業(yè)

在中國,聯(lián)想、華為、中興等高科技公司已為數(shù)不少,但作為基礎(chǔ)的核心芯片設(shè)計廠商卻屈指可數(shù)。...

2012-08-03 標(biāo)簽:IC設(shè)計IC咖啡 13452

封測領(lǐng)域風(fēng)云再起 巨頭布建3D IC封測產(chǎn)能

因應(yīng)臺積電明年積極布建?? 20nm制程產(chǎn)能并跨及3DIC封測,國內(nèi)封測雙雄日月光、矽品及記憶體封測龍頭力成,下半年起也積極搶進(jìn)3DIC封測,布建3DIC封測產(chǎn)能。...

2012-07-30 標(biāo)簽:3DIC封測日月光 1479

Intel Thunderbolt芯片或達(dá)20Gbps

  2013 年第二季度英特爾計劃發(fā)布Haswell處理器,同時升級版的Thunderbolt芯片(產(chǎn)品代碼為RedwoodRidge)也會同期發(fā)布。升級版 Thunderbolt芯片在性能方面將支持10Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率、DisplayP...

2012-07-25 標(biāo)簽:intelThunderboltHaswell處理器Haswell處理器intelThunderboltThunderbolt芯 2335

LED照明檢測設(shè)備市場前景可期

隨著全球各國對半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重視,以及對LED產(chǎn)品檢測及標(biāo)準(zhǔn)要求的逐步提升,各國對半導(dǎo)體照明檢測的投入逐步增加,全球半導(dǎo)體照明光電檢測設(shè)備及儀器市場規(guī)??焖侔l(fā)展...

2012-07-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體照明LED檢測半導(dǎo)體照明 1840

新封裝材料功率器件降低電子產(chǎn)品高能耗

新封裝材料功率器件降低電子產(chǎn)品高能耗

要想實現(xiàn)家用電器等電子電器產(chǎn)品的節(jié)能降耗,功率半導(dǎo)體是不可或缺的元器件產(chǎn)品,如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和FRD(快恢復(fù)二極管)等...

2012-07-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體sic器件sic器件SKiN技術(shù)功率半導(dǎo)體 2140

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體芯片亟待突破

功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來,無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電,甚至各種電池提供的化學(xué)電能,將是人類消耗的最重要能源。但是75%以上的電能應(yīng)用...

2012-07-23 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體IGBT技術(shù) 2214

面板廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至液晶電視面板

調(diào)研機(jī)構(gòu)群智咨詢發(fā)布的報告顯示,大屏幕液晶電視仍廣受消費(fèi)者關(guān)注,市場需求持續(xù)升溫。與此同時,大尺寸面板也隨之而獲利。不斷有面板制造廠商表示計劃調(diào)整面板生產(chǎn)線,準(zhǔn)備...

2012-07-23 標(biāo)簽:液晶電視液晶面板顯示器面板 1085

東芝開發(fā)出高效照明用OEL元件 發(fā)光效率高達(dá)91lm/W

東芝開發(fā)出高效照明用OEL元件 發(fā)光效率高達(dá)91lm/W

東芝開發(fā)出發(fā)光效率高達(dá)91lm/W的照明用有機(jī)EL(Organic Electro-Luminescence, OEL)元件,作為尺寸達(dá)到8cm×7cm的較大面積照明用有機(jī)EL元件,實現(xiàn)了非常高的發(fā)光效率。...

2012-07-23 標(biāo)簽:東芝發(fā)光效率有機(jī)ELOEL東芝發(fā)光效率有機(jī)EL 2397

歐司朗的Oslon系列推出統(tǒng)一焊墊 降低儲存加工成本

歐司朗的Oslon系列推出統(tǒng)一焊墊 降低儲存加工成本

歐司朗光電半導(dǎo)體推出了一個新概念,根據(jù) Oslon 產(chǎn)品家族設(shè)計出統(tǒng)一的焊墊,讓顧客更容易使用來自不同制造商的 LED(第二來源),降低儲存與加工修改的成本。...

2012-07-23 標(biāo)簽:led歐司朗 1041

大連“硅酸鹽熒光粉”專利突破國際封鎖

大連路明集團(tuán)的“硅酸鹽熒光粉”系列專利已成功在美國、歐洲和中國臺灣獲得授權(quán)。該系列專利的授權(quán)將使我國用熒光粉生產(chǎn)LED燈突破國際專利封鎖和壟斷,從而大大降低白光LED的生...

2012-07-20 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體照明熒光粉 1672

美研究人員開發(fā)出“自旋極化”O(jiān)LED 改進(jìn)OLED技術(shù)

美國研究人員日前開發(fā)出一種新型“自旋極化”O(jiān)LED技術(shù),改進(jìn)后的OLED與普通LED相比具有更多的優(yōu)點。...

2012-07-20 標(biāo)簽:ledOLED 1355

芯片競爭向產(chǎn)業(yè)鏈更深層次加速延伸

近來,英特爾、三星、臺積電等國際半導(dǎo)體大公司紛紛大幅增加研發(fā)費(fèi)用,并開始進(jìn)軍半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域。他們或自投資搞設(shè)備研發(fā),或共同合作進(jìn)行設(shè)備研發(fā),或以入股入資等方式...

2012-07-19 標(biāo)簽:三星電子半導(dǎo)體制造 926

科銳公司推出兩項新型GaN工藝技術(shù)

科銳公司(CREE)宣布推出兩項新型GaN工藝:0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度,與傳統(tǒng)的技術(shù)相比...

2012-07-18 標(biāo)簽:Cree無線射頻科銳工藝技術(shù) 1760

臺灣研晶光電推出45度光學(xué)LED封裝應(yīng)用

臺灣研晶光電推出45度硅膠光學(xué)鏡頭H40 LED封裝在紫外光(UV,365-410nm)、紅外光(IR,850-940nm)及植物成長燈(660nm)應(yīng)用。...

2012-07-18 標(biāo)簽:ledLED封裝研晶光電 2045

臺積電20納米制程下月試產(chǎn) 奠定晶圓代工龍頭地位

晶圓代工龍頭臺積電的20納米制程預(yù)計下月試產(chǎn),成為全球首家導(dǎo)入20納米的半導(dǎo)體廠,在全球晶圓代工業(yè)取得絕對優(yōu)勢。...

2012-07-16 標(biāo)簽:臺積電晶圓代工20納米制程臺積電晶圓代工 1246

歐司朗紅外線Mini Midled 同等尺寸最強(qiáng)輻射強(qiáng)度

歐司朗紅外線Mini Midled 同等尺寸最強(qiáng)輻射強(qiáng)度

歐司朗光電半導(dǎo)體的紅外線Mini Midled高度只有0.9mm,但這項小裝置卻能產(chǎn)生窄角度而強(qiáng)烈的紅外線光束。利用其在每100毫安培(mA)時每球面度60毫瓦(milliwatts per steradian , mW/sr)的輻射強(qiáng)...

2012-07-13 標(biāo)簽:紅外線歐司朗Mini Midled歐司朗紅外線輻射強(qiáng)度 1494

蘋果的“視網(wǎng)膜屏幕”解密

到目前為止,蘋果已經(jīng)在自家iPhone 4、iPhone 4S、iPod touch 4、新iPad和新Macbook Pro五款產(chǎn)品上配備了“視網(wǎng)膜”(Retina)屏幕,Macbook Pro上那塊分辨率高達(dá)2880×1800的顯示屏更是成為了這款產(chǎn)品...

2012-07-10 標(biāo)簽:iPhone蘋果視網(wǎng)膜屏幕 3720

壓注法封裝貼片LED填補(bǔ)空白 達(dá)到國際領(lǐng)先水平

昨日獲悉,秭歸湖北匡通電子股份有限公司的“新型貼片(SMD)LED封裝工藝”被認(rèn)定總體達(dá)到國際先進(jìn)水平,其中的“壓注法封裝工藝”達(dá)到國際領(lǐng)先水平。...

2012-07-10 標(biāo)簽:ledLED封裝封裝工藝 1315

凹杯散熱專利 打開高功率LED通往一般照明的大門

凹杯散熱專利 打開高功率LED通往一般照明的大門

LED臺廠世晶綠能(LEDDER)日前對外表示,該公司獨有的圓弧型平底凹杯與散熱鰭片發(fā)明全球?qū)@夹g(shù)及專有設(shè)備,已經(jīng)成功打開高功率LED通往一般照明的大門。...

2012-07-10 標(biāo)簽:高功率LED世晶綠能高功率LED 1307

未來電子元器件將向小型節(jié)能耐高壓化加速發(fā)展

未來電子元器件將向小型節(jié)能耐高壓化加速發(fā)展

從通信、汽車產(chǎn)品到電氣、能源等領(lǐng)域,分立元器件的用途廣泛、多種多樣。然而,針對不同應(yīng)用的產(chǎn)品,例如汽車中使用的智能通信設(shè)備或基于手機(jī)的設(shè)備,均不可避免地存在一些不...

2012-07-02 標(biāo)簽:電動汽車分立器件aec-q200 1295

功率半導(dǎo)體材料GaN和SiC使用新趨勢

“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優(yōu)...

2012-07-02 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體電力轉(zhuǎn)換器 1958

應(yīng)用材料公司推出兆位元時代的突破性蝕刻技術(shù)

  應(yīng)用材料公司推出先進(jìn)的蝕刻技術(shù) ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng),這項突破性的系統(tǒng)是解決建立3D記憶體架構(gòu)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn);3D記憶體架構(gòu)可提供高密度兆位元儲存容量,為未來...

2012-06-29 標(biāo)簽:PCB設(shè)計蝕刻技術(shù)應(yīng)用材料可制造性設(shè)計華秋DFM 1287

納米晶材料應(yīng)用于逆變電源的優(yōu)點與問題

高頻逆變電源的工作頻率在20kHz~50 kHz,作為電源心臟的主變壓器,傳統(tǒng)的鐵芯材料鐵氧體雖高頻損耗較低,但其低頻段(100kHz以下)的磁特性不太好,又因其飽和磁感應(yīng)值(Bs)較低,鐵...

2012-06-18 標(biāo)簽:逆變電源納米晶納米晶逆變電壓器逆變電源 5191

我國半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用形勢研究分析

半導(dǎo)體器件的發(fā)明和應(yīng)用深刻地改變了近50年的人類歷史發(fā)展進(jìn)程。進(jìn)入21世紀(jì),半導(dǎo)體器件無處不在,已成為構(gòu)筑信息化社會的基石。同時,電力半導(dǎo)體在提高電力轉(zhuǎn)換效率方面的作用...

2012-06-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用半導(dǎo)體技術(shù) 1756

PCB的輸電系統(tǒng)(PDS)設(shè)計

PDS的設(shè)計目標(biāo)是將響應(yīng)電源電流需求而產(chǎn)生的電壓紋波降至最低。所有電路都需要電流,有些電路需求量較大,有些電路則需要以較快的速率提供電流。...

2012-06-13 標(biāo)簽:pcbPDS輸電系統(tǒng) 2102

中國本土IC設(shè)計業(yè)探索差異化的產(chǎn)品和方案是出路

2011年中國為整機(jī)配套的關(guān)鍵器件(芯片、基礎(chǔ)軟件和顯示屏)中僅IC一項的進(jìn)口額就達(dá)到了近1萬億元。...

2012-06-06 標(biāo)簽:IC設(shè)計 667

20納米工藝ARM芯片或?qū)⒂诿髂甑装l(fā)布

  ARM處理器部門主管西蒙·賽加斯(SimonSegars)周一在Computex大展上表示,采用20納米工藝生產(chǎn)的ARM芯片最快將于明年底發(fā)布。賽加斯說:“整個行業(yè)都推進(jìn)下一代技術(shù),只要在經(jīng)濟(jì)和技...

2012-06-06 標(biāo)簽:處理器ARMARM芯片20納米工藝ARMARM芯片處理器 1704

新iPhone芯片曝光:32nm工藝 功耗降50%

新iPhone芯片曝光:32nm工藝 功耗降50%

  今天早些時候,國外開發(fā)者再次從iOS 6.0測試版中發(fā)現(xiàn)了一些有關(guān)新iPhone的消息,而這次是該機(jī)的Wi-Fi芯片。   今天早些時候,國外開發(fā)者再次從iOS 6.0測試版中發(fā)現(xiàn)了一些有關(guān)新...

2012-06-03 標(biāo)簽:芯片iPhoneWi-Fi芯片32nm工藝iPhoneiPhone芯片Wi-Fi芯片芯片 1825

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