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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

從襯底到外延：碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成，但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與...

2025-09-03 標(biāo)簽：晶圓襯底碳化硅 2.5k 0

離子在非晶態(tài)材料內(nèi)的投影射程

離子在非晶態(tài)材料內(nèi)的投影射程通常遵循高斯分布，即所謂的常態(tài)分布。單晶硅中的晶格原子整齊排列，而且在特定的角度具有很多通道。

2023-05-15 標(biāo)簽：晶圓 2.4k 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2.4k 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 2.4k 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽：晶圓工藝離子注入 2.4k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 2.4k 0

為什么晶圓是圓的？芯片是方的？

晶圓為什么是圓的而不是方的？按理說，方型的Die放在圓形的Wafer里總會不可避免有空間浪費，為什么不做成方型的更節(jié)省空間。因為制作工藝決定了它是圓形的...

2024-12-16 標(biāo)簽：芯片晶圓制作工藝 2.4k 0

南大高力波組堆垛生長晶圓級二維材料范德華超導(dǎo)異質(zhì)結(jié)

近期，南京大學(xué)物理學(xué)院高力波教授課題組和南方科技大學(xué)林君浩副教授課題組緊密合作，在晶圓級二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的可控制備領(lǐng)域取得最新進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“...

2023-09-14 標(biāo)簽：晶圓 2.4k 0

先進(jìn)封裝中的翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)概述

引言翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)中不可或缺的封裝方法，在性能、尺寸減小和功能增加方面具有優(yōu)勢。本文概述翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)，包括晶圓凸塊制作工藝、組裝方法和進(jìn)...

2024-11-27 標(biāo)簽：芯片晶圓先進(jìn)封裝 2.4k 0

單晶圓系統(tǒng)的多晶硅沉積方法

單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵...

2022-09-30 標(biāo)簽：多晶硅晶圓 2.4k 0

如何確認(rèn)硅晶材料與硅晶片的檢測純度？

晶圓，是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片，是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料。

2023-05-23 標(biāo)簽：晶圓硅芯片 2.4k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（四）

浮區(qū)晶體生長是本文所解釋的幾個過程之一，這項關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來的技術(shù)，至今仍用于特殊用途的需求。

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

晶圓外緣為什么不利用-邊緣去除法

觀察矽晶圓的外緣，可以發(fā)現(xiàn)有如圖4-6-1所示的邊緣磨邊加工。此種針對外緣進(jìn)行磨邊的加工，一般稱為“導(dǎo)角（beve-ling）。

2024-05-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

扇入型晶圓級封裝是什么？

晶圓級封裝技術(shù)可定義為：直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測試程序，然后再進(jìn)行安裝焊球并切割，從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。

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Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業(yè)清洗序列

摘要在本文中，我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業(yè)適用清洗順序，并與實驗室類型的RCA清洗進(jìn)行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF...

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如何實現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

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Cu-Cu混合鍵合的原理是什么

本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。

2025-02-26 標(biāo)簽：芯片晶圓鍵合 2.3k 0

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三維集成電路與晶圓級3D集成介紹

微電子技術(shù)的演進(jìn)始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動力展開，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSOP、CSP、WLP逐步邁向系統(tǒng)級集成的PoP、SiP...

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晶圓封裝過程缺陷解析

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時封裝過程中的缺陷對半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個方面進(jìn)行介紹。

2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 2.3k 0

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