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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

一、引言碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...

2025-09-22 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 2.1k 0

等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標(biāo)簽：集成電路等離子體晶圓 2.1k 0

不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別

不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸...

2025-07-22 標(biāo)簽：晶圓超聲波清洗機晶圓清洗 2.1k 0

晶圓料號打標(biāo)的方式及激光打標(biāo)的原理

本文介紹了晶圓料號打標(biāo)的方式以及激光打標(biāo)的原理。 ? 晶圓為什么要打標(biāo)？晶圓在制造過程中有數(shù)百道工藝步驟，標(biāo)記使得每片晶圓能夠在不同階段進行身份識別，...

2024-12-16 標(biāo)簽：激光晶圓油墨 2k 0

為什么需要封裝設(shè)計？封裝設(shè)計做什么？

做過封裝設(shè)計，做過PCB板級的設(shè)計，之前和網(wǎng)友有過交流，問題是：為什么要封裝設(shè)計？信號完整性體系從大的方面來看：芯片級->封裝級->板級。

2024-04-16 標(biāo)簽：集成電路 PCB板晶圓 2k 0

一文解析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號...

2023-10-12 標(biāo)簽：mems 晶圓芯片制造 2k 0

盤點先進封裝基本術(shù)語

先進封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時代的一大技術(shù)亮點。當(dāng)芯片在每個工藝節(jié)點上的微縮越來越困難、也越來越昂貴之際，工程師們將多個芯片...

2023-07-12 標(biāo)簽：fpga 晶圓封裝 2k 0

CPU為什么不做成圓形？CPU為什么是方形？

CPU為什么不做成圓的而是方的？對硬件有所了解的朋友們幾乎都會知道，CPU的外形是一塊正方形的金屬厚片，當(dāng)然也有長方形的版本。上表面平整光滑，下表面則有...

2022-11-28 標(biāo)簽：芯片 cpu 晶圓 2k 0

金屬層1工藝的制造流程

金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線，第一層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把不同區(qū)域的接觸孔連起來，以及把不同區(qū)域的通孔1連起來。第一金屬層是大馬士革的銅結(jié)構(gòu)，...

2024-11-15 標(biāo)簽：集成電路晶圓工藝 2k 0

安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓

依托于光刻機的光罩(Litho)工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場截止型IGB...

2023-09-21 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2k 0

IC Packaging芯片封裝模擬方案介紹

IC封裝是以固態(tài)封裝材料 (Epoxy Molding Compound, EMC)及液態(tài)封裝材料(Liquid Molding Compound, L...

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半導(dǎo)體前端工藝之刻蝕工藝

在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除...

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù) 2k 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2k 0

晶圓劃片為什么用UV膠帶

晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般...

2024-12-10 標(biāo)簽：芯片晶圓 UV 2k 0

TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)——半導(dǎo)體制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)

TCWafer晶圓測溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測解決方案，專為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測量而設(shè)計。該系統(tǒng)通過將微型熱電偶傳感器（Thermocou...

2025-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓測溫系統(tǒng) 2k 0

中科院物理研究所實現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個器件的襯底所占的成本，這是一個國際上發(fā)展的趨勢。

2023-02-03 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 2k 0

Revasum與SGSS建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Revasum是一家專門從事半導(dǎo)體器件制造過程中所用資本設(shè)備的設(shè)計和制造的公司，宣布與提供高性能材料和創(chuàng)新解決方案的圣戈班表面解決方案(SGSS)建立戰(zhàn)...

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硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 2k 0

淺談影響晶圓分選良率的因素（1）

制造后，晶圓被送到晶圓分選測試儀。在測試期間，每個芯片都會進行電氣測試，以檢查設(shè)備規(guī)范和功能。每個電路可能執(zhí)行數(shù)百個單獨的電氣測試。雖然這些測試測量設(shè)備...

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探秘電池生產(chǎn)過程中電極片的單雙張檢測

電池由正極、負(fù)極和隔膜組成，其電極片非常薄，在電池生產(chǎn)過程中，將正負(fù)極片裁成需求尺寸大小，通過真空吸盤從堆棧中抓取，隨后將正極片、隔膜、負(fù)極片疊合成小電芯單體

2023-04-07 標(biāo)簽：接收器晶圓發(fā)射器 2k 0

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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