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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓資訊

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文|James 圖源|網(wǎng)絡(luò) 集微網(wǎng)消息,在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域,DRAM和NAND Flash的市場(chǎng)規(guī)模均在百億美元以上,除了這兩個(gè)之外,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)還有N...

2020-10-21 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體DRAM 2.8k 0

預(yù)測(cè)明年晶圓設(shè)備投資可達(dá)580億美元

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2019-12-17 標(biāo)簽:晶圓 2.8k 0

傳臺(tái)積電攜手蘋(píng)果合作開(kāi)發(fā)Micro OLED面板

臺(tái)積電作為蘋(píng)果的長(zhǎng)期合作伙伴,傳出雙方正攜手合作開(kāi)發(fā)Micro OLED面板,預(yù)計(jì)用于蘋(píng)果全新的擴(kuò)增實(shí)境(AR)產(chǎn)品,目前已在桃園龍?zhí)睹孛苎邪l(fā)。業(yè)界人士...

2021-02-19 標(biāo)簽:顯示器OLED臺(tái)積電 2.8k 0

華潤(rùn)微發(fā)布2020年年度業(yè)績(jī)預(yù)增公告

周一(18日)盤(pán)后,華潤(rùn)微發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告,預(yù)計(jì)2020年年度凈利潤(rùn)為9.2億元-9.6億元,同比增長(zhǎng)130%-140.03%,扣非后凈利潤(rùn)為8.2億元-8...

2021-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓封裝 2.8k 0

氮化鎵晶圓在劃切過(guò)程中如何避免崩邊

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9月,英飛凌宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化鎵(GaN)晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比,每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片,技術(shù)和效...

2024-10-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 2.8k 0

四家廠商在晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充方面引起業(yè)內(nèi)關(guān)注

當(dāng)下,全球市場(chǎng)對(duì)晶圓代工產(chǎn)能需求的迫切程度達(dá)到了歷史最高點(diǎn),在此背景下,不只是傳統(tǒng)晶圓代工廠,一些IDM大廠也相繼擴(kuò)大投資,如英特爾宣布將重點(diǎn)投入晶圓代...

2021-05-24 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓SK海力士 2.8k 0

三星去年晶圓產(chǎn)能超越臺(tái)積電,位居世界第一

據(jù)Knometa Research發(fā)布的《2022年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》顯示,去年全球晶圓月產(chǎn)能達(dá)到了2143萬(wàn)片,排名前五的晶圓大廠平均每月的產(chǎn)量達(dá)到了...

2022-04-12 標(biāo)簽:中芯國(guó)際臺(tái)積電晶圓 2.8k 0

芯聞精選:臺(tái)積電將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片

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2020-11-30 標(biāo)簽:芯片臺(tái)積電晶圓 2.8k 0

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2020-09-23 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓晶體管 2.8k 0

被動(dòng)元件兩大領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇初現(xiàn)

據(jù)媒體報(bào)道,當(dāng)?shù)匦酒娮韫?yīng)鏈交期近期再次延長(zhǎng),從8-10周延長(zhǎng)至12周以上,即廠商收到訂單后三個(gè)月后才可交貨。為此,龍頭大廠國(guó)巨蘇州廠計(jì)劃留下至少三分...

2020-12-04 標(biāo)簽:芯片電容器晶圓 2.8k 0

晶圓產(chǎn)能緊缺背后無(wú)廠模式還會(huì)是半導(dǎo)體的未來(lái)嗎

2021年2月22日,大概從2020年第三季度時(shí),各大晶圓廠產(chǎn)能緊缺的消息層出不窮,而最近美國(guó)得克薩斯州因?yàn)楸┭┮u擊造成了電力短缺,從而導(dǎo)致三星、NXP...

2021-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓 2.8k 0

新思科技Fusion Design Platform率先獲得三星晶圓廠4LPP工藝認(rèn)證

新思科技Fusion Design Platform和Custom Design Platform率先獲得三星晶圓廠(以下簡(jiǎn)稱為“三星”)4LPP工藝認(rèn)...

2021-12-24 標(biāo)簽:芯片晶圓新思科技 2.8k 0

市場(chǎng)對(duì)晶圓代工需求旺盛 聯(lián)電8英寸、12英寸訂單爆滿

在新冠肺炎疫情的影響下,在家辦公模式持續(xù),筆記本、平板需求穩(wěn)定,智能物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)硬體需求大開(kāi),聯(lián)電電源管理芯片、金氧半場(chǎng)效電晶體、主動(dòng)式保護(hù)元件等客戶投片...

2020-07-24 標(biāo)簽:聯(lián)電晶圓 2.8k 0

Intel將在2023年推出5nm GAA工藝,重回領(lǐng)導(dǎo)地位指日可待!

FinFET晶體管隨后也成為全球主要晶圓廠的選擇,一直用到現(xiàn)在的7nm及5nm工藝。

2020-03-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓intel 2.8k 0

晉江集成電路產(chǎn)業(yè)拉開(kāi)新一年規(guī)劃發(fā)展的“芯”局面

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5G時(shí)代的到來(lái)將催生更多光電新型器件的應(yīng)用

在針對(duì)復(fù)雜 TO 的生產(chǎn)設(shè)備里面,MRSI-H-TO 設(shè)備可以到達(dá)業(yè)界領(lǐng)先的 1.5 微米的精度。貼片后可達(dá)到 5 微米精度,這臺(tái)設(shè)備具備共晶與蘸膠的工...

2020-09-30 標(biāo)簽:芯片晶圓封裝 2.8k 0

斥資百億美元赴美建3nm芯片工廠,三星能否追上臺(tái)積電?

作為全球前兩大晶圓代工巨頭,近兩年來(lái),臺(tái)積電與三星之間的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。三星決心在2030年前,實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的超越,成為全球第一大晶圓代工廠,然而在下一代...

2021-01-26 標(biāo)簽:芯片三星電子晶圓 2.8k 0

三星將投入7608億實(shí)現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn)

據(jù)彭博社報(bào)道,三星全力發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù),規(guī)劃投入1160億美元(約合人民幣7608億元),目標(biāo)實(shí)現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn),與臺(tái)積電同步,是兩強(qiáng)近年先進(jìn)...

2020-11-26 標(biāo)簽:芯片三星電子臺(tái)積電 2.8k 0

三星電子向全球智能手機(jī)廠商提供全新一代DRAM產(chǎn)品

近日,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子平澤工廠的第二生產(chǎn)線正式開(kāi)工,首發(fā)量產(chǎn)的產(chǎn)品是采用極紫外光刻技術(shù)制造的16Gb?LPDDR5移動(dòng)DRAM芯片。

2020-09-18 標(biāo)簽:晶圓三星電子AI 2.8k 0

一種晶圓表面形貌測(cè)量方法-WD4000

一種晶圓表面形貌測(cè)量方法-WD4000

WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、T...

2023-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓測(cè)量 2.8k 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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