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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>

制造/封裝

權(quán)威的制造技術(shù)與封裝技術(shù)頻道,涉及半導(dǎo)體制程工藝、IC代工產(chǎn)能以及集成電路封裝測(cè)試等技術(shù)。

LMI Gocator 3D視覺傳感器在鋰電池制造中的應(yīng)用

動(dòng)力電池是新能源產(chǎn)業(yè)的生命線,但其表面微米級(jí)的瑕疵與形變卻難以被傳統(tǒng)檢測(cè)發(fā)現(xiàn)。Gocator 3D視覺傳感器憑借其高速高精度的三維掃描能力,實(shí)現(xiàn)從極片到電芯的全流程缺陷篩查,為電池品...

2025-10-29 標(biāo)簽:傳感器動(dòng)力電池3D視覺 1963

高通挑戰(zhàn)英偉達(dá),發(fā)布768GB內(nèi)存AI推理芯片,“出征”AI數(shù)據(jù)中心

高通挑戰(zhàn)英偉達(dá),發(fā)布768GB內(nèi)存AI推理芯片,“出征”AI數(shù)據(jù)中心

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)隨著生成式AI應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心對(duì)高效、低成本、低功耗AI推理能力的需求急劇上升。高通憑借其在移動(dòng)計(jì)算和通信領(lǐng)域的技術(shù)積累,正試圖通過(guò)差異...

2025-10-29 標(biāo)簽: 3948

今日看點(diǎn):高通發(fā)布云端AI芯片;艾為電子推出低功耗Hyper-Hall?芯片 高通發(fā)布

? 高通發(fā)布云端AI芯片 近日,美國(guó)高通公司宣布推出兩款新型人工智能芯片AI200和AI250,面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)。 ? 這兩款芯片均基于高通的Hexagon神經(jīng)處理單元技術(shù),該技術(shù)最初應(yīng)用于智能手機(jī)芯片...

2025-10-28 標(biāo)簽:高通艾為電子 1189

晶振不起振怎么辦

晶振不起振怎么辦

作為專業(yè)的晶振制造商,YXC小揚(yáng)為您帶來(lái)一套系統(tǒng)、精準(zhǔn)、高效的“三步定位法”——遵循由表及里、由易到難的邏輯,助您快速縮小排查范圍,精準(zhǔn)定位故障方向!...

2025-10-27 標(biāo)簽:晶振晶振誤差晶振電路晶振匹配揚(yáng)興科技 1669

國(guó)產(chǎn)AMHS廠家的蝶變前夜 | 專訪彌費(fèi)科技董事長(zhǎng)繆峰

國(guó)產(chǎn)AMHS廠家的蝶變前夜 | 專訪彌費(fèi)科技董事長(zhǎng)繆峰

10月15日在深圳開幕的灣芯展(全稱2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)),是其第二屆。僅辦兩屆的展會(huì),就引起產(chǎn)業(yè)界不小的關(guān)注。背后體現(xiàn)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體上游制造圈的“焦慮”,更展示了國(guó)產(chǎn)設(shè)...

2025-10-25 標(biāo)簽: 1516

集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝,其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。...

2025-10-24 標(biāo)簽:集成電路光刻刻蝕 2461

安森美工業(yè)傳感器如何推動(dòng)智能制造中物理AI進(jìn)步

安森美工業(yè)傳感器如何推動(dòng)智能制造中物理AI進(jìn)步

在上一部分中,我們探討了工業(yè)傳感器如何作為智能制造中物理 AI 系統(tǒng)的神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)揮作用。它們可以為機(jī)器學(xué)習(xí)模型提供自主決策所需的數(shù)據(jù)。傳感器的實(shí)時(shí)反饋回路使機(jī)器能夠適應(yīng)不斷變...

2025-10-24 標(biāo)簽:傳感器控制器安森美 2094

強(qiáng)強(qiáng)合作 西門子與日月光合作開發(fā) VIPack 先進(jìn)封裝平臺(tái)工作流程

強(qiáng)強(qiáng)合作 西門子與日月光合作開發(fā) VIPack 先進(jìn)封裝平臺(tái)工作流程

? 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件宣布,將與半導(dǎo)體封裝測(cè)試制造服務(wù)提供商日月光集團(tuán)(ASE)展開合作 ,依托西門子已獲 3Dblox 全面認(rèn)證的 Innovator3D IC 解決方案,為日月光 VIPack 平臺(tái)開發(fā)基于 3Dblox 的...

2025-10-23 標(biāo)簽:西門子eda日月光先進(jìn)封裝eda先進(jìn)封裝日月光西門子西門子EDA 4688

晶圓級(jí)封裝(WLP)中Bump凸點(diǎn)工藝:4大實(shí)現(xiàn)方式的技術(shù)細(xì)節(jié)與場(chǎng)景適配

晶圓級(jí)封裝(WLP)中Bump凸點(diǎn)工藝:4大實(shí)現(xiàn)方式的技術(shù)細(xì)節(jié)與場(chǎng)景適配

在晶圓級(jí)封裝(WLP)中,Bump 凸點(diǎn)是芯片與基板互連的關(guān)鍵,主流實(shí)現(xiàn)方式有電鍍法、焊料印刷法、蒸發(fā) / 濺射法、球放置法四類,差異顯著。選型需結(jié)合凸點(diǎn)密度、成本預(yù)算與應(yīng)用特性,平衡...

2025-10-23 標(biāo)簽:電鍍濺射系統(tǒng)晶圓級(jí)封裝wlp晶圓級(jí)芯片 3014

今日看點(diǎn):谷歌芯片實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算比經(jīng)典超算快13000倍;NFC 技術(shù)突破:讀取距離

谷歌芯片實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算比經(jīng)典超算快13000倍 近日,谷歌在《自然》雜志披露與Willow芯片相關(guān)的量子計(jì)算突破性研究成果。該公司稱這是歷史上首次證明量子計(jì)算機(jī)可以在硬件上成功運(yùn)行一項(xiàng)可驗(yàn)...

2025-10-23 標(biāo)簽: 1756

今日看點(diǎn):全國(guó)首條8英寸MEMS晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線投產(chǎn);RoboSense 發(fā)布“機(jī)器人操作

三星計(jì)劃今年奪回代工王座,良率達(dá)七成 韓國(guó)總統(tǒng)的首席政策顧問(wèn)金永范 (Kim Yong-beom) 近日召開半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)議,與三星電子、SK 海力士等主要芯片與設(shè)備企業(yè)高層共同檢視國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況。據(jù)...

2025-10-22 標(biāo)簽: 1512

英偉達(dá)失守中國(guó)區(qū)!推理需求爆發(fā),國(guó)產(chǎn)GPU搶灘上市

英偉達(dá)失守中國(guó)區(qū)!推理需求爆發(fā),國(guó)產(chǎn)GPU搶灘上市

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近日,上海證券交易所公告顯示,沐曦集成電路(上海)股份有限公司(簡(jiǎn)稱“沐曦”)將在10月24日迎來(lái)科創(chuàng)板上市委審議。這家成立于2020年的國(guó)產(chǎn)GPU新銳,估...

2025-10-22 標(biāo)簽:英偉達(dá)推理英偉達(dá) 8605

三維集成電路與晶圓級(jí)3D集成介紹

三維集成電路與晶圓級(jí)3D集成介紹

微電子技術(shù)的演進(jìn)始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動(dòng)力展開,封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSOP、CSP、WLP逐步邁向系統(tǒng)級(jí)集成的PoP、SiP及3D IC方向,最終目標(biāo)是在最小面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)系...

2025-10-21 標(biāo)簽:集成電路晶圓封裝 2248

芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

在半導(dǎo)體封裝工藝中,芯片鍵合(Die Bonding)是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法:傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合(Die Bonding)和引線鍵合(Wire Bonding)...

2025-10-21 標(biāo)簽:芯片晶圓鍵合 3087

淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)

淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)

在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,堆疊技術(shù)作為推動(dòng)高集成度與小型化的核心趨勢(shì),正通過(guò)垂直堆疊芯片或封裝實(shí)現(xiàn)更緊湊的封裝尺寸及優(yōu)化的電氣性能——其驅(qū)動(dòng)力不僅源于信號(hào)傳輸與功率分布路徑的縮短...

2025-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三維集成封裝 5325

功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)

功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)

在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。...

2025-10-21 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率半導(dǎo)體 4476

國(guó)家統(tǒng)計(jì)局:9月規(guī)模以上工業(yè)增加值增長(zhǎng)6.5%

國(guó)家統(tǒng)計(jì)局:9月規(guī)模以上工業(yè)增加值增長(zhǎng)6.5%

據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布的消息顯示9月規(guī)模以上工業(yè)增加值增長(zhǎng)6.5%,下面我們一起看下詳細(xì)數(shù)據(jù)。 9月份,規(guī)模以上工業(yè)增加值同比實(shí)際增長(zhǎng)6.5%(增加值增速均為扣除價(jià)格因素的實(shí)際增長(zhǎng)率)。從環(huán)...

2025-10-21 標(biāo)簽:工業(yè) 1281

突破陰影區(qū)固化難題:UV+濕氣雙重固化三防漆CA6001技術(shù)解析與應(yīng)用指南

突破陰影區(qū)固化難題:UV+濕氣雙重固化三防漆CA6001技術(shù)解析與應(yīng)用指南

本文深入探討了UV三防漆在復(fù)雜結(jié)構(gòu)PCBA應(yīng)用中面臨的陰影區(qū)固化挑戰(zhàn),并重點(diǎn)介紹了一種創(chuàng)新的UV與濕氣雙重固化體系(CA6001)。文章將詳細(xì)解析其技術(shù)原理、關(guān)鍵性能參數(shù),并提供實(shí)際應(yīng)用中...

2025-10-20 標(biāo)簽:PCBA三防漆UV 1895

打通12英寸晶圓物流“大動(dòng)脈”:新施諾2025灣芯展獲卓越企業(yè)獎(jiǎng)!

打通12英寸晶圓物流“大動(dòng)脈”:新施諾2025灣芯展獲卓越企業(yè)獎(jiǎng)!

2025年10月15日-17日,2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)(灣芯展)在深圳會(huì)展中心隆重舉辦。蘇州新施諾半導(dǎo)體設(shè)備有限公司攜自主研發(fā)的AMHS天車系統(tǒng)亮相灣芯展,現(xiàn)場(chǎng)展示OHT(天車系統(tǒng))真實(shí)運(yùn)...

2025-10-20 標(biāo)簽:設(shè)備天車天車設(shè)備 1604

采用增強(qiáng)型HotRod QFN封裝的小型直流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

采用增強(qiáng)型HotRod QFN封裝的小型直流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

半導(dǎo)體封裝技術(shù)在過(guò)去 20 年里取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,特別是在集成了功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的直流/直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。Single-outline No-lead 和 Quad Flat No-lead (QFN) 封裝已取代穿孔和...

2025-10-18 標(biāo)簽:集成電路封裝直流轉(zhuǎn)換器qfn 4926

漢思新材料取得一種無(wú)析出物單組份環(huán)氧膠粘劑及其制備方法的專利

漢思新材料取得一種無(wú)析出物單組份環(huán)氧膠粘劑及其制備方法的專利

深圳市漢思新材料科技有限公司近期申請(qǐng)了一項(xiàng)關(guān)于“無(wú)析出物單組份環(huán)氧膠粘劑及其制備方法與應(yīng)用”的發(fā)明專利(申請(qǐng)?zhí)枺篊N202410151974.3,公開號(hào):CN118064087A)。技術(shù)方案核心該專利的核心...

2025-10-17 標(biāo)簽:材料材料 1460

技術(shù)指標(biāo)比肩國(guó)際!中欣晶圓加速國(guó)產(chǎn)替代,月銷超百萬(wàn)片

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,2023年全球氮化鎵功率元件市場(chǎng)規(guī)模約為2.71億美元,到2030年或?qū)⑦_(dá)到43.76億美元,年復(fù)合增速高達(dá)49%。在市場(chǎng)增長(zhǎng)的同時(shí),...

2025-10-17 標(biāo)簽:硅片中欣晶圓硅片 3838

今日看點(diǎn):“玲龍一號(hào)”全球首堆冷試成功;三星電子發(fā)布HBM4E研發(fā)規(guī)劃

“玲龍一號(hào)”全球首堆冷試成功,每年可發(fā)電10億度 ? 日前,全球首個(gè)陸上商用模塊化小型核反應(yīng)堆“玲龍一號(hào)”一回路冷態(tài)功能試驗(yàn)圓滿完成,為后續(xù)的熱試、反應(yīng)堆裝料及商運(yùn)奠定了堅(jiān)實(shí)的...

2025-10-17 標(biāo)簽: 1135

50.6億!中國(guó)首條8英寸MEMS晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線,正式投產(chǎn)

近日,由中國(guó)電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中電二公司”)承建的中國(guó)蚌埠傳感谷8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線EPC項(xiàng)目迎來(lái)重要里程碑——首批產(chǎn)品成功下線。這一成果標(biāo)志著全國(guó)首條...

2025-10-16 標(biāo)簽:mems晶圓 2793

中國(guó)芯片研制獲重大突破 全球首款亞埃米級(jí)快照光譜成像芯片

我國(guó)芯片正蓬勃發(fā)展,呈現(xiàn)一片欣欣向榮的態(tài)勢(shì),我們看到新聞,中國(guó)芯片研制獲重大突破;這是全球首款亞埃米級(jí)快照光譜成像芯片問(wèn)世。 清華大學(xué)電子工程系方璐教授團(tuán)隊(duì)成功研制出全球...

2025-10-16 標(biāo)簽:芯片光譜成像技術(shù) 2823

臺(tái)積電Q3凈利潤(rùn)4523億元新臺(tái)幣 英偉達(dá)或取代蘋果成臺(tái)積電最大客戶

在10月16日;根據(jù)臺(tái)積電公司公布的2025年第三季財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電營(yíng)收約新臺(tái)幣9899.2億元,同比增加30.3%,(上年同期是7596.92億新臺(tái)幣)。 凈利潤(rùn)約新臺(tái)幣4523億,同比增加39.1%,凈利潤(rùn)創(chuàng)下...

2025-10-16 標(biāo)簽:臺(tái)積電蘋果英偉達(dá) 3844

集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝:若將薄膜淀積視為 “加法工藝”(通過(guò)材料堆積形成薄膜),則薄膜刻蝕可稱為 “減法工藝”(通過(guò)材料去除實(shí)現(xiàn)圖形化)。通過(guò)...

2025-10-16 標(biāo)簽:集成電路工藝刻蝕 3709

3D封裝架構(gòu)的分類和定義

3D封裝架構(gòu)的分類和定義

3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對(duì)芯片集成、封裝對(duì)封裝集成和異構(gòu)集成三大類,分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)高密度互連。...

2025-10-16 標(biāo)簽:芯片TSV3D封裝 2158

詳解芯片制造中的可測(cè)性設(shè)計(jì)

詳解芯片制造中的可測(cè)性設(shè)計(jì)

然而,隨著納米技術(shù)的出現(xiàn),芯片制造過(guò)程越來(lái)越復(fù)雜,晶體管密度增加,導(dǎo)致導(dǎo)線短路或斷路的概率增大,芯片失效可能性大大提升。測(cè)試費(fèi)用可達(dá)到制造成本的50%以上。...

2025-10-16 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)可測(cè)性設(shè)計(jì)DFT設(shè)計(jì) 3006

從英偉達(dá)到博通:OpenAI自研芯片版圖浮出水面,開啟推理效率革命

從英偉達(dá)到博通:OpenAI自研芯片版圖浮出水面,開啟推理效率革命

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)在人工智能大模型訓(xùn)練與推理成本高企、算力需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的背景下,OpenAI與Broadcom(博通)于10月正式宣布達(dá)成一項(xiàng)史無(wú)前例的戰(zhàn)略合作:共同部署總規(guī)模...

2025-10-15 標(biāo)簽:AI英偉達(dá) 8077

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