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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>

中芯國(guó)際2022年報(bào)顯示實(shí)現(xiàn)年度最優(yōu)業(yè)績(jī) 2022年收入72.7億美元

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二二年十二月三十一日止年度經(jīng)審核業(yè)績(jī)。 (以下數(shù)據(jù)根據(jù)國(guó)際財(cái)務(wù)報(bào)告準(zhǔn)則編制) 財(cái)務(wù)摘要 收入由2021年的54.4億美元增長(zhǎng)33....

2023-03-29 標(biāo)簽:集成電路中芯國(guó)際晶圓 2377

IGBT芯片互連常用鍵合線(xiàn)材料特性

鋁線(xiàn)鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線(xiàn)鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線(xiàn)根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線(xiàn)和粗鋁線(xiàn)兩種,直徑小于100um的鋁線(xiàn)被稱(chēng)為細(xì)鋁線(xiàn),直徑大于...

2023-03-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件寄生電感igbt芯片IGBTigbt芯片功率器件寄生電感鍵合線(xiàn) 6374

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計(jì)算光刻庫(kù)可以將計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍。這對(duì)于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說(shuō)為2nm及更先進(jìn)芯片的...

2023-03-23 標(biāo)簽:NVIDIA芯片設(shè)計(jì)eda光刻gtc 9203

GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果

GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果

GTC 大會(huì):NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果 在摩爾定律接近物理極限之際,半導(dǎo)體行業(yè)要怎么做?借助AI? 現(xiàn)在半導(dǎo)體開(kāi)始采用NVIDIA在計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破成果....

2023-03-22 標(biāo)簽:摩爾定律NVIDIA光刻技術(shù)gtc 11509

為下一代芯片推出高選擇性蝕刻

為下一代芯片推出高選擇性蝕刻

通過(guò)高選擇性蝕刻,專(zhuān)用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過(guò)程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料...

2023-03-20 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓蝕刻 3118

硅的濕式化學(xué)蝕刻和清洗

硅的濕式化學(xué)蝕刻和清洗

本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來(lái)源已經(jīng)被用來(lái)提供一個(gè)蝕刻劑和過(guò)程的簡(jiǎn)明清單...

2023-03-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻蝕刻技術(shù)硅半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓蝕刻硅半導(dǎo)體蝕刻蝕刻技術(shù) 3594

系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)有什么用?

隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展和社會(huì)的需求,電子產(chǎn)品迭代更新速度加快,逐漸向小型化、輕量化、高性能、多功能和低成本方向發(fā)展,而系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)因?yàn)榫邆湓O(shè)計(jì)靈活、短周期、兼容性好、...

2023-03-16 標(biāo)簽:芯片SiP封裝系統(tǒng)級(jí)封裝 4497

非對(duì)稱(chēng)封裝的電源芯片的焊盤(pán)和鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)建議

非對(duì)稱(chēng)封裝的電源芯片的焊盤(pán)和鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)建議

電源管理芯片廣泛應(yīng)用于板級(jí)電源系統(tǒng)中,包括控制器和功率MOSFET。但對(duì)于大電流電源管理芯片,基于不同半導(dǎo)體工藝的技術(shù)特點(diǎn),即控制器和MOSFET所需要工藝的差別,可能無(wú)法使用同一半導(dǎo)體...

2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFET控制器電源管理封裝焊盤(pán) 4573

朗迅攜手華潤(rùn)安盛打造封裝數(shù)字工廠(chǎng)

? 01 數(shù)字工廠(chǎng)來(lái)源 過(guò)去半年,朗迅通過(guò)新一輪集成電路相關(guān)企業(yè)深度調(diào)研拜訪(fǎng),了解到無(wú)錫華潤(rùn)安盛科技有限公司、杭州友旺電子有限公司等企業(yè)在一線(xiàn)車(chē)間新員工培訓(xùn)中,面臨一系列較為棘...

2023-03-09 標(biāo)簽:封裝朗迅科技 3054

CFP–SMx封裝的高效替代品

CFP–SMx封裝的高效替代品

當(dāng)今的設(shè)計(jì)在功率密度、空間和散熱上面臨前所未有的巨大壓力。在功率二極管方面,我們已經(jīng)采用 SMA/SMB/SMC 整流器封裝將近 30 年。為了高效地滿(mǎn)足當(dāng)前的要求,我們需要其他封裝選項(xiàng),在實(shí)...

2023-03-08 標(biāo)簽:功率二極管整流二極管封裝ecuCFP 2894

和光新能源完成億元B輪融資

日前,內(nèi)蒙古和光新能源有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“和光新能源”)完成了億元B輪融資,此次和光新能源億元B輪融資由毅達(dá)資本領(lǐng)投,天啟投資等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資;而且作為老股東的科升創(chuàng)投也有追加投...

2023-03-08 標(biāo)簽:新能源多晶硅 619

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼

近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投,國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本等眾多機(jī)構(gòu)跟投,老股東...

2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SBD碳化硅瞻芯電子 1875

龍?bào)纯萍荚偌哟a 擬20億印尼建磷酸鐵鋰正極材料項(xiàng)目

2月份龍?bào)纯萍及l(fā)布公告稱(chēng),與上汽通用五菱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方擬在鋰離子動(dòng)力電池、動(dòng)力潤(rùn)滑油、動(dòng)力電池回收等領(lǐng)域建立長(zhǎng)期緊密戰(zhàn)略合作。 ? ? ? ?現(xiàn)在龍?bào)纯萍荚侔l(fā)力,擬在印度...

2023-03-02 標(biāo)簽:動(dòng)力電池磷酸鐵鋰正極材料儲(chǔ)能電池 1401

臺(tái)積電歐洲建廠(chǎng)計(jì)劃可能會(huì)推遲兩年 或因車(chē)用芯片不再?lài)?yán)重緊缺

臺(tái)積電歐洲建廠(chǎng)計(jì)劃可能會(huì)推遲兩年 或因車(chē)用芯片不再?lài)?yán)重緊缺 有臺(tái)媒報(bào)道,此前車(chē)用芯片一貨難求,歐洲汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá),為了汽車(chē)的正常生產(chǎn)歐洲一直在積極拉攏臺(tái)積電;希望臺(tái)積電能在歐...

2023-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓車(chē)用芯片 824

PCB訂單減少致光韻達(dá)2022年度凈利潤(rùn)同比下降11.66%約8087萬(wàn)

PCB訂單減少致光韻達(dá)2022年度凈利潤(rùn)同比下降11.66%約8087萬(wàn)

? ? ? 因?yàn)镻CB訂單減少導(dǎo)致光韻達(dá)業(yè)績(jī)出現(xiàn)虧損導(dǎo)致司歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)下降。 光韻達(dá)日前發(fā)布了2022年度業(yè)績(jī)快報(bào),根據(jù)光韻達(dá)財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示2022年?duì)I業(yè)收入約10.3億元,同比增加10.6...

2023-03-01 標(biāo)簽:PCB 4128

半導(dǎo)體行業(yè)的Fabless和IDM兩種模式

半導(dǎo)體行業(yè)的Fabless和IDM兩種模式

半導(dǎo)體行業(yè)的Fabless和IDM兩種模式...

2023-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IDMFablessIDM半導(dǎo)體 71154

PCB第六道主流程之AOI,你都知道嗎

PCB第六道主流程之AOI,你都知道嗎

繼續(xù)為朋友們分享普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程。 如圖, 第六道主流程為AOI。 AOI的目的為: 利用光學(xué)原理,比對(duì)資料,進(jìn)行檢驗(yàn),并附帶相應(yīng)的維修與報(bào)廢處理。 其子流程,主要為3個(gè)。 【...

2023-02-27 標(biāo)簽:雙面板光學(xué)檢測(cè)AOIPCBAOIpcbPCBVRS光學(xué)檢測(cè)雙面板 6614

深圳季豐快速封裝能力最短0.5小時(shí)

? 為解決客戶(hù)迫切需要最短時(shí)間得到封裝樣品來(lái)做產(chǎn)品性能驗(yàn)證的要求,深圳季豐可在最短0.5小時(shí)內(nèi)把客戶(hù)的裸die快速封裝到客戶(hù)想要的封裝外形交給客戶(hù)(封裝廠(chǎng)封裝的交期一般是2~3周)。深...

2023-02-23 標(biāo)簽:晶圓IC設(shè)計(jì)封裝COB季豐電子 3403

廣立微正式加入U(xiǎn)CIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 國(guó)內(nèi)首家加入該聯(lián)盟的EDA上市公司

廣立微正式加入U(xiǎn)CIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 國(guó)內(nèi)首家加入該聯(lián)盟的EDA上市公司

2月17日,在通過(guò)嚴(yán)格的評(píng)審程序后,廣立微正式成為“UCIe” 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的貢獻(xiàn)者成員(Contributor Membership),成為國(guó)內(nèi)首家加入該聯(lián)盟的EDA上市公司。 ? 作為EDA領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),廣立微將與聯(lián)盟...

2023-02-21 標(biāo)簽:edaEDA軟件chipletUCIe廣立微電子 1449

半導(dǎo)體景氣度提升?臺(tái)積電1月?tīng)I(yíng)收月增3.9% 約2000.5億

半導(dǎo)體景氣度提升?臺(tái)積電1月?tīng)I(yíng)收月增3.9% 約2000.5億

半導(dǎo)體景氣度提升?臺(tái)積電1月?tīng)I(yíng)收月增3.9% 在2月10日晶圓代工龍頭臺(tái)積電公布了其在2023年1月的營(yíng)收數(shù)據(jù)報(bào)告。 臺(tái)積電2023年1月合并營(yíng)收約為2000.5億元新臺(tái)幣,較上月增加了3.9%,較去年同期增加...

2023-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電TSMC晶圓代工 3385

講解一下SMT貼片元器件中BGA封裝的優(yōu)缺點(diǎn)

目前SMT貼片元器件的封裝樣式有很多,并且各有千秋,比如比較主流的封裝方式有BGA封裝、SOP封裝、QFN封裝、PLCC封裝、SSOP封裝、QFP封裝等。...

2023-02-14 標(biāo)簽:smtBGA封裝SOP封裝smt貼片BGA封裝PLCC封裝smtsmt貼片SOP封裝 4114

LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問(wèn)題的優(yōu)化方案

LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問(wèn)題的優(yōu)化方案

現(xiàn)代LTCC技術(shù)是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿和精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出所設(shè)計(jì)的電路版圖,并將多個(gè)元器件埋入多層陶瓷基板中...

2023-02-14 標(biāo)簽:工藝制造工藝基板LTCC有源器件 3803

深圳“芯火”平臺(tái)——面向全國(guó)IC企業(yè)提供芯片快速封裝服務(wù)

深圳“芯火”平臺(tái)——面向全國(guó)IC企業(yè)提供芯片快速封裝服務(wù)

國(guó)家“芯火”雙創(chuàng)基地 (平臺(tái)) 在國(guó)家工信部重點(diǎn)部署推進(jìn)下,于2016年底由微納研究院與深圳IC 基地共建的全國(guó)首批國(guó)家“芯火”平臺(tái)。深圳“芯火”平臺(tái)聚集集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè),定位國(guó)產(chǎn)自主...

2023-02-20 標(biāo)簽:IC封裝 4757

半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講,外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,如集成電路工業(yè)的外...

2023-02-13 標(biāo)簽:集成電路工藝晶體管單晶MOS 18132

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來(lái)形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū),多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線(xiàn)。...

2023-02-13 標(biāo)簽:多晶硅半導(dǎo)體晶體管刻蝕刻蝕工藝 13020

電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的變化和熱設(shè)計(jì)

電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的變化和熱設(shè)計(jì)

上一篇大致介紹了半導(dǎo)體元器件熱設(shè)計(jì)的重要性。本文我們希望就半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)再進(jìn)行一些具體說(shuō)明。近年來(lái),“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計(jì)靈活性”已經(jīng)成為半導(dǎo)體元器件技術(shù)...

2023-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件電子設(shè)備熱設(shè)計(jì) 2728

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技...

2023-02-03 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 6305

CMP工藝技術(shù)淺析

CMP工藝技術(shù)淺析

在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒(méi)有合適的拋光工藝無(wú)法繼續(xù)推進(jìn)之時(shí),CMP技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。傳統(tǒng)的機(jī)械拋光和化學(xué)拋...

2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路封裝工藝芯片制造CMP 6891

20億歐元巨資建SiC工廠(chǎng) 采埃孚入股Wolfspeed

SiC芯片可以幫助電動(dòng)汽車(chē)實(shí)現(xiàn)突破;碳化硅芯片電動(dòng)汽車(chē)壽命更長(zhǎng)。使用 SiC 芯片,電動(dòng)汽車(chē)的使用壽命更長(zhǎng),充電速度更快,并且由于耗能更低,從而降低了運(yùn)營(yíng)成本。在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)...

2023-01-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器SiCSiCWolfspeed電動(dòng)汽車(chē)逆變器采埃孚 2983

芯粵能半導(dǎo)體碳化硅芯片制造項(xiàng)目通過(guò)廣東省能源局節(jié)能審查

日前,廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司“面向車(chē)規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項(xiàng)目”節(jié)能報(bào)告的審查意見(jiàn):項(xiàng)目采用的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和建設(shè)方案符合國(guó)家相關(guān)節(jié)能法規(guī)及節(jié)能政...

2023-01-29 標(biāo)簽:碳化硅 2775

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