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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>

電子技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為大家展示最熱門的電子技術(shù)行業(yè)動(dòng)態(tài),最精準(zhǔn)的電子技術(shù)新聞,是您了解電子技術(shù)最新技術(shù)和動(dòng)態(tài)的最好網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)。
淺談倒裝芯片封裝工藝

淺談倒裝芯片封裝工藝

倒裝芯片工藝是指通過(guò)在芯片的I/0 焊盤上直接沉積,或者通過(guò) RDL 布線后沉積凸塊(包括錫鉛球、無(wú)鉛錫球、銅桂凸點(diǎn)及金凸點(diǎn)等),然后將芯片翻轉(zhuǎn),進(jìn)行加熱,使熔融的焊料與基板或框架相...

2023-04-28 標(biāo)簽:芯片CMOS焊盤倒裝芯片封裝工藝 6286

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

在有限的封 裝空間內(nèi),如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度,已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問(wèn)題之一。本文...

2023-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝功率器件熱設(shè)計(jì) 8665

臺(tái)積電放棄28nm擴(kuò)產(chǎn)?

臺(tái)積電投資高雄28納米廠傳出計(jì)劃生變,供應(yīng)鏈透露高雄廠將改為先進(jìn)制程且擴(kuò)大投資。高雄市長(zhǎng)陳其邁強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電投資高雄方向不變,相關(guān)工程也都順利推動(dòng)中,相信高雄絕對(duì)是臺(tái)積電投資...

2023-04-19 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓封測(cè) 1726

英特爾和ARM合作 基于英特爾18A工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化

英特爾和Arm達(dá)成了一項(xiàng)合作協(xié)議,英特爾代工服務(wù)(Intel Foundry Services)和Arm將會(huì)進(jìn)行設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化,這意味著讓芯片設(shè)計(jì)者能夠基于英特爾18A制程打造低功耗的SoC。英特爾18A制程按計(jì)劃得...

2023-04-19 標(biāo)簽:ARM英特爾soc 1962

一種用于先進(jìn)封裝的圓臺(tái)硅通孔的刻蝕方法

在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難,而在封裝階段利用三維空間可以視作 對(duì)摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的常用技術(shù)手段,現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于應(yīng)用于 CMO...

2023-04-12 標(biāo)簽:傳感器芯片集成電路封裝刻蝕先進(jìn)封裝 3109

高頻變壓器的生產(chǎn)制作規(guī)范

關(guān)于高頻變壓器,相信大家都有所了解,它是在開(kāi)關(guān)電源中,一個(gè)重要的組成部分,高頻變壓器制作工藝是否規(guī)范,直接影響到安規(guī)認(rèn)證能否通過(guò),也影響到電源的性能及EMC測(cè)試。下面分步驟講...

2023-04-12 標(biāo)簽:變壓器制作工藝emc布線高頻變壓器 4567

ROHM 業(yè)界超小短波紅外(SWIR) 器件

ROHM 業(yè)界超小短波紅外(SWIR) 器件

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM? (總部位于日本京都市) 針對(duì)需要進(jìn)行物質(zhì)檢測(cè)的便攜設(shè)備、可穿戴和 可聽(tīng)戴設(shè)備, 確立了 1608 尺寸( 1.6mm×0.8mm?) 業(yè)界超小的短波紅外*1 ? (以下簡(jiǎn)稱SWIR: Short Wavel...

2023-04-07 標(biāo)簽:光電二極管Rohm可穿戴設(shè)備RohmSWIR光電二極管可穿戴設(shè)備 7449

BGA封裝與PCB差分互連結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

BGA封裝與PCB差分互連結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

摘要:隨著電子系統(tǒng)通信速率的不斷提升,BGA封裝與PCB互連區(qū)域的信號(hào)完整性問(wèn)題越來(lái)越突出。...

2023-04-06 標(biāo)簽:pcb封裝仿真BGA差分信號(hào) 3114

長(zhǎng)電科技2022年年度報(bào)告

? ? ? ? ? ? ? ? ? 長(zhǎng)電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商,提供全方位的芯片成品制造一站式服務(wù),包括集成電路的系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測(cè)、晶...

2023-04-04 標(biāo)簽:集成電路SiP封裝長(zhǎng)電科技 2225

中芯集成IPO募資125億投建MEMS和功率器件芯片制造及封裝測(cè)試生產(chǎn)基地

中芯集成是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè),主要從事MEMS和功率器件等領(lǐng)域的晶圓代工及模組封測(cè)業(yè)務(wù),為客戶提供一站式系統(tǒng)代工解決方案;而且中芯集成也是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以提供車規(guī)...

2023-04-06 標(biāo)簽:mems功率器件 2193

高分辨率信號(hào)采集如何選擇精密ADC

高分辨率信號(hào)采集如何選擇精密ADC

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))此前我們已經(jīng)介紹過(guò)高速ADC的應(yīng)用與市場(chǎng)發(fā)展,與高速ADC相反,精密ADC并不追求采樣速率的拔高,而是將分辨率做到極致。ADC的分辨率指的是模數(shù)轉(zhuǎn)換器所能表...

2023-04-03 標(biāo)簽:adc精密信號(hào)采集 4910

Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹

功率電子器件在電力存儲(chǔ),電力輸送,電動(dòng)汽車,電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。...

2023-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCDBC半導(dǎo)體器件AMB 9030

中國(guó)制造業(yè)規(guī)模連續(xù)13年全球第一

中國(guó)制造業(yè)規(guī)模連續(xù)13年全球第一 我國(guó)的制造業(yè)發(fā)展非常迅猛,工信部的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,我國(guó)的制造業(yè)規(guī)模連續(xù)13年居世界首位;同時(shí)也是全世界唯一擁有聯(lián)合國(guó)產(chǎn)業(yè)分類中全部工業(yè)門類的國(guó)家...

2023-03-31 標(biāo)簽:新能源汽車光伏制造智能制造 6190

使用分立半導(dǎo)體器件的熱管理設(shè)計(jì)

有幾種方法可有效改善當(dāng)今分立半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)時(shí)遇到的高溫問(wèn)題。仿真技術(shù)對(duì)于衡量各種方法的工作情況至關(guān)重要。...

2023-03-31 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體封裝散熱器熱管理分立半導(dǎo)體 2848

華虹半導(dǎo)體2022年度業(yè)績(jī)創(chuàng)歷史新高 比上年增長(zhǎng)51.8%

華虹半導(dǎo)體有限公司華虹半導(dǎo)體有限公司(在香港注冊(cè)成立的有限責(zé)任公司)(股票代碼:1347)截至2022年12月31日年度業(yè)績(jī) 財(cái)務(wù)亮點(diǎn) 華虹半導(dǎo)體有限公司(“公司”或“華虹半導(dǎo)體”,連同其...

2023-03-30 標(biāo)簽:集成電路晶圓華虹半導(dǎo)體華虹宏力 3383

濕清洗過(guò)程中硅晶片表面顆粒去除

濕清洗過(guò)程中硅晶片表面顆粒去除

在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中,仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此,濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。...

2023-03-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓蝕刻硅晶片 3288

如何基于3DICC實(shí)現(xiàn)InFO布局布線設(shè)計(jì)

如何基于3DICC實(shí)現(xiàn)InFO布局布線設(shè)計(jì)

InFO (Integrated-FanOut-Wafer-Level-Package)能夠提供多芯片垂直堆疊封裝的能力,它通過(guò)RDL層,將芯片的IO連接扇出擴(kuò)展到Die的投影面積之外,增加了bump的放置靈活性和IO數(shù)量。與CoWoS-S相比,既減少了...

2023-03-30 標(biāo)簽:芯片封裝布線info芯和半導(dǎo)體 4825

中芯國(guó)際2022年報(bào)顯示實(shí)現(xiàn)年度最優(yōu)業(yè)績(jī) 2022年收入72.7億美元

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二二年十二月三十一日止年度經(jīng)審核業(yè)績(jī)。 (以下數(shù)據(jù)根據(jù)國(guó)際財(cái)務(wù)報(bào)告準(zhǔn)則編制) 財(cái)務(wù)摘要 收入由2021年的54.4億美元增長(zhǎng)33....

2023-03-29 標(biāo)簽:集成電路中芯國(guó)際晶圓 2377

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁線被稱為細(xì)鋁線,直徑大于...

2023-03-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件寄生電感igbt芯片IGBTigbt芯片功率器件寄生電感鍵合線 6374

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計(jì)算光刻庫(kù)可以將計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍。這對(duì)于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說(shuō)為2nm及更先進(jìn)芯片的...

2023-03-23 標(biāo)簽:NVIDIA芯片設(shè)計(jì)eda光刻gtc 9203

GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果

GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果

GTC 大會(huì):NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果 在摩爾定律接近物理極限之際,半導(dǎo)體行業(yè)要怎么做?借助AI? 現(xiàn)在半導(dǎo)體開(kāi)始采用NVIDIA在計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破成果....

2023-03-22 標(biāo)簽:摩爾定律NVIDIA光刻技術(shù)gtc 11509

為下一代芯片推出高選擇性蝕刻

為下一代芯片推出高選擇性蝕刻

通過(guò)高選擇性蝕刻,專用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過(guò)程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料...

2023-03-20 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓蝕刻 3118

硅的濕式化學(xué)蝕刻和清洗

硅的濕式化學(xué)蝕刻和清洗

本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來(lái)源已經(jīng)被用來(lái)提供一個(gè)蝕刻劑和過(guò)程的簡(jiǎn)明清單...

2023-03-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻蝕刻技術(shù)硅半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓蝕刻硅半導(dǎo)體蝕刻蝕刻技術(shù) 3594

系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)有什么用?

隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展和社會(huì)的需求,電子產(chǎn)品迭代更新速度加快,逐漸向小型化、輕量化、高性能、多功能和低成本方向發(fā)展,而系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)因?yàn)榫邆湓O(shè)計(jì)靈活、短周期、兼容性好、...

2023-03-16 標(biāo)簽:芯片SiP封裝系統(tǒng)級(jí)封裝 4497

非對(duì)稱封裝的電源芯片的焊盤和鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)建議

非對(duì)稱封裝的電源芯片的焊盤和鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)建議

電源管理芯片廣泛應(yīng)用于板級(jí)電源系統(tǒng)中,包括控制器和功率MOSFET。但對(duì)于大電流電源管理芯片,基于不同半導(dǎo)體工藝的技術(shù)特點(diǎn),即控制器和MOSFET所需要工藝的差別,可能無(wú)法使用同一半導(dǎo)體...

2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFET控制器電源管理封裝焊盤 4573

朗迅攜手華潤(rùn)安盛打造封裝數(shù)字工廠

? 01 數(shù)字工廠來(lái)源 過(guò)去半年,朗迅通過(guò)新一輪集成電路相關(guān)企業(yè)深度調(diào)研拜訪,了解到無(wú)錫華潤(rùn)安盛科技有限公司、杭州友旺電子有限公司等企業(yè)在一線車間新員工培訓(xùn)中,面臨一系列較為棘...

2023-03-09 標(biāo)簽:封裝封裝朗迅科技 3054

CFP–SMx封裝的高效替代品

CFP–SMx封裝的高效替代品

當(dāng)今的設(shè)計(jì)在功率密度、空間和散熱上面臨前所未有的巨大壓力。在功率二極管方面,我們已經(jīng)采用 SMA/SMB/SMC 整流器封裝將近 30 年。為了高效地滿足當(dāng)前的要求,我們需要其他封裝選項(xiàng),在實(shí)...

2023-03-08 標(biāo)簽:功率二極管整流二極管封裝ecuCFP 2894

和光新能源完成億元B輪融資

日前,內(nèi)蒙古和光新能源有限公司(簡(jiǎn)稱“和光新能源”)完成了億元B輪融資,此次和光新能源億元B輪融資由毅達(dá)資本領(lǐng)投,天啟投資等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資;而且作為老股東的科升創(chuàng)投也有追加投...

2023-03-08 標(biāo)簽:新能源多晶硅 619

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼

近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投,國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本等眾多機(jī)構(gòu)跟投,老股東...

2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SBD碳化硅瞻芯電子 1875

龍?bào)纯萍荚偌哟a 擬20億印尼建磷酸鐵鋰正極材料項(xiàng)目

2月份龍?bào)纯萍及l(fā)布公告稱,與上汽通用五菱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方擬在鋰離子動(dòng)力電池、動(dòng)力潤(rùn)滑油、動(dòng)力電池回收等領(lǐng)域建立長(zhǎng)期緊密戰(zhàn)略合作。 ? ? ? ?現(xiàn)在龍?bào)纯萍荚侔l(fā)力,擬在印度...

2023-03-02 標(biāo)簽:動(dòng)力電池磷酸鐵鋰正極材料儲(chǔ)能電池 1401

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