制造/封裝
權(quán)威的制造技術(shù)與封裝技術(shù)頻道，涉及半導(dǎo)體制程工藝、IC代工產(chǎn)能以及集成電路封裝測試等技術(shù)。
11家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)H1：刻蝕設(shè)備狂賣50億，最高凈利潤暴漲73%
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近期，多家上市半導(dǎo)體設(shè)備公司均已公布上半年的財報數(shù)據(jù)。電子發(fā)燒友網(wǎng)統(tǒng)計了北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、屹唐股份、華海清科、拓荊科技、京儀裝備...
半導(dǎo)體制造潔凈室防震基座施工管理三階段管控要點(diǎn)-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公
半導(dǎo)體制造潔凈室防震基座是支撐精密設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心設(shè)施，其施工管理的每一個環(huán)節(jié)都需以 “微米級精度” 為標(biāo)準(zhǔn)。以下從施工前準(zhǔn)備、施工過程、驗(yàn)收交付三個階段，梳理核心管控要...
2025-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造基座潔凈室 2045
詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)
InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多層銅重布線層（RDL），線寬/線距（L/S）可壓縮至2μ...
簡單認(rèn)識MEMS晶圓級電鍍技術(shù)
MEMS晶圓級電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過程中，整個硅晶圓表面通過電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級和圖形化特性：它能在同一時間對晶圓上的成千...
科普：無源晶振的電容匹配與問題
匹配電容并不是絕對的或者固定值，無源晶振的匹配電容一般最好選擇兩個一樣電容，在很多的方案設(shè)計中一般常用的電容有12pF、15pF、22pPF、33pF等，大致都是一個20pF量級。...
2025-08-29 標(biāo)簽：無源晶振晶振無源元件晶振電路揚(yáng)興科技 2180
MEMS麥克風(fēng)設(shè)計注意事項(xiàng)和應(yīng)用指南
MEMS麥克風(fēng)以其極致的小巧、卓越的性能、強(qiáng)大的穩(wěn)定性和極具競爭力的成本，席卷了從消費(fèi)電子到工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的各個角落。無論是打造清晰通話的TWS耳機(jī)，賦予智能設(shè)備“聽”的能力，還是在...
Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?(“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，搭載最新[1]?第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝。這些新器件適用于工...
2025-08-29 標(biāo)簽：封裝ToshibaSiCSiC MOSFET 2168
同熔點(diǎn)錫膏也“挑活”？點(diǎn)膠和印刷工藝為啥不能混著用？
同一熔點(diǎn)的錫膏，在點(diǎn)膠和印刷工藝上有顯著差異，兩者的合金粉末、熔點(diǎn)雖完全相同，但在黏度、觸變性、顆粒度、助焊劑含量等關(guān)鍵參數(shù)上需針對性設(shè)計，同時工藝適配性、應(yīng)用場景也存在...
芯片封裝的功能、等級以及分類
在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下，芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。...
詳解WLCSP三維集成技術(shù)
晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）因其“裸片即封裝”的極致尺寸與成本優(yōu)勢，已成為移動、可穿戴及 IoT 終端中低 I/O（< 400 bump）、小面積（≤ 6 mm × 6 mm）器件的首選。然而，當(dāng)系統(tǒng)級集成需求...
今日看點(diǎn)：寒武紀(jì)上半年?duì)I收同比增長43.48倍至28.8億元;尼康宣布9月關(guān)閉58年橫
尼康宣布9月關(guān)閉58年橫濱制造廠 近日，尼康公司宣布將于2025年9月30日關(guān)閉橫濱制造工廠。該工廠的人員和運(yùn)營將遷移至其他工廠，預(yù)計對尼康2025年的財務(wù)業(yè)績影響甚微。這標(biāo)志著半導(dǎo)體先驅(qū)時...
華大九天Empyrean GoldMask平臺重構(gòu)掩模版數(shù)據(jù)處理方案
對芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的光罩廠、設(shè)計公司而言，掩模版數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)的效率與精度，直接決定著產(chǎn)品能否如期上市、良率能否達(dá)標(biāo)、成本能否可控。當(dāng)芯片工藝向更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)跨越，掩模版數(shù)據(jù)處理已...
曝富士康從印度召回數(shù)百中國工程師
據(jù)外媒彭博社爆料稱，富士康從旗下位于印度的一家工廠再次召回了約300名中國大陸工程師，據(jù)悉，此次撤回的工程師是富士康旗下零部件子公司裕展科技在泰米爾納德邦的工廠。裕展科技主要...
2025-08-26 標(biāo)簽：富士康 5436
單季凈利潤增長13倍！國產(chǎn)功率半導(dǎo)體贏麻了，3家公司業(yè)績報搶先看
8月中下旬以來，國內(nèi)三家功率半導(dǎo)體大廠士蘭微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電相繼發(fā)布2025年半年報。整體業(yè)績預(yù)喜，三家業(yè)績有哪些可圈可點(diǎn)之處，本文進(jìn)行詳細(xì)分析。...
2025-08-26 標(biāo)簽：士蘭微功率半導(dǎo)體捷捷微電揚(yáng)杰科技 13479
Cadence基于臺積電N4工藝交付16GT/s UCIe Gen1 IP
我們很高興展示基于臺積電成熟 N4 工藝打造的 Gen1 UCIe IP 的 16GT/s 眼圖。該 IP 一次流片成功且眼圖清晰開闊，為尋求 Die-to-Die連接的客戶再添新選擇。...
壓控溫補(bǔ)晶振可以直接替代溫補(bǔ)晶振嗎
壓控溫補(bǔ)晶振（VC-TCXO）在某些情況下可以替代溫補(bǔ)晶振（TCXO），但需根據(jù)具體應(yīng)用需求決定。以下是關(guān)鍵因素分析：...
2025-08-25 標(biāo)簽：晶振壓控振蕩器溫補(bǔ)晶振TCXO揚(yáng)興科技 1718
芯片焊接中無鹵錫線炸錫現(xiàn)象的原因分析
炸錫是助焊劑揮發(fā)特性、錫材質(zhì)量、工藝參數(shù)、基材清潔度等多因素共同作用的結(jié)果，排查時需優(yōu)先檢查助焊劑狀態(tài)（揮發(fā)物、吸潮）、錫線 / 錫球氧化情況，再優(yōu)化焊接溫度、壓力等參數(shù)，同...
芯片收縮對功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域發(fā)展的影響
在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓隹绮牧?工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化、...
2025-08-25 標(biāo)簽：晶圓封裝功率半導(dǎo)體 1908
詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)
電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展，推動著封裝技...
詳解芯片封裝的工藝步驟
芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響，還提供了與外部電路連接的方式。通過一系列復(fù)雜的工藝步驟，芯片從晶圓上被切割下來，經(jīng)過...
?三維集成電路的TSV布局設(shè)計
在三維集成電路設(shè)計中，TSV（硅通孔）技術(shù)通過垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能，但其物理尺寸效應(yīng)與寄生參數(shù)對互連特性的影響已成為設(shè)計優(yōu)化的核心挑戰(zhàn)。...
今日看點(diǎn)丨英偉達(dá)為中國特供B30芯片將亮相；富士康印度廠再次召回300中國工程
中國算力平臺全面貫通，智算規(guī)模有望長超四成 ? 近日，據(jù)中國算力大會數(shù)據(jù)，中國算力平臺正式完成山西、遼寧、上海、江蘇、浙江、山東、河南、青海、寧夏、新疆10個省區(qū)市分平臺的接入...
套刻精度已達(dá)2μm，芯碁微裝直寫光刻設(shè)備獲頭部封測企業(yè)訂單
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近期，合肥芯碁微電子裝備股份有限公司（以下簡稱“芯碁微裝”）宣布，公司面 向中道領(lǐng)域的晶圓級及板級直寫光刻設(shè)備系列 已獲得重大市場突破。公司已與...
聯(lián)訊儀器IPO：1.6T光模塊測試全球第二家，募資20億押注高端測試設(shè)備
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，8月15日，蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司（以下簡稱聯(lián)訊儀器）科創(chuàng)板上市申請獲得上交所受理。 聯(lián)訊儀器 是國內(nèi)領(lǐng)先的高端測試儀器設(shè)備企業(yè)，主營 產(chǎn)品 為 電子測量儀...
光電共封裝技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方案
數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)正在經(jīng)歷向光電共封裝（CPO）交換機(jī)的根本性轉(zhuǎn)變，這種轉(zhuǎn)變主要由其顯著的功耗效率優(yōu)勢所驅(qū)動。在OFC 2025展會上，這一趨勢變得極為明顯，從Jensen Huang在GTC 2025上的演示到...
2025-08-22 標(biāo)簽：封裝技術(shù)數(shù)據(jù)中心光模塊 3485
先進(jìn)Interposer與基板技術(shù)解析
傳統(tǒng)封裝方法已無法滿足人工智能、高性能計算和下一代通信技術(shù)的需求。晶體管尺寸已縮小至個位數(shù)納米量級，但傳統(tǒng)印刷線路板技術(shù)仍局限于20到30微米的線寬。這種三個數(shù)量級的差距造成...
今日看點(diǎn)丨傳英偉達(dá)暫停為中國市場定制H20；估值10億美元的Character.AI公司或?qū)?/a>
英偉達(dá) 暫停為中國市場定制 H20 據(jù)《The Information》周四援引兩位直接了解情況的人士的話報道稱，英偉達(dá)已告知其部分零部件供應(yīng)商暫停與專為中國市場定制的 AI 芯片 H20 相關(guān)的生產(chǎn)工作。但我...
手機(jī)SoC邁入“百TOPS”時代！蘋果、高通和聯(lián)發(fā)科新芯前瞻，誰是真香之選？
目前的多款智能手機(jī)SoC已具備超過40 TOPS的計算能力。這種本地處理能力使得AI任務(wù)的執(zhí)行更加快速和高效。2025年三大國際手機(jī)芯片巨頭下場，手機(jī)終端廠商的旗艦手機(jī)即將扎堆發(fā)布前期，SoC芯...
2025-08-22 標(biāo)簽：高通聯(lián)發(fā)科A19ai手機(jī) 12730
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