制造/封裝
權(quán)威的制造技術(shù)與封裝技術(shù)頻道，涉及半導(dǎo)體制程工藝、IC代工產(chǎn)能以及集成電路封裝測試等技術(shù)。
光阻去除屬于什么制程
光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟...
2025-07-30 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 1389
今日看點丨英偉達向臺積電訂購30萬片H20芯片;蘋果回應(yīng)首次在中國關(guān)停直營店
? ? 傳中國市場需求強勁 英偉達向臺積電訂購30萬片H20芯片 ? 據(jù)報道，兩位消息人士透露，英偉達上周向代工廠商臺積電訂購了30萬片H20芯片組，其中一位消息人士補充稱，中國的強勁需求促使...
龍圖光罩90nm掩模版量產(chǎn)，已啟動28nm制程掩模版的規(guī)劃
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近日，龍圖光罩宣布珠海項目順利投產(chǎn)，公司第三代掩模版PSM產(chǎn)品取得顯著進展。KrF-PSM和ArF-PSM陸續(xù)送往部分客戶進行測試驗證，其中90nm節(jié)點產(chǎn)品已成功完成從...
基于TSV的減薄技術(shù)解析
在半導(dǎo)體三維集成（3D IC）技術(shù)中，硅通孔（TSV）是實現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心，但受深寬比限制，傳統(tǒng)厚硅片（700-800μm）難以制造直徑更?。?-20μm）的TSV，導(dǎo)致芯片面積占比過高，且多層堆疊...
英特爾2025財年Q2業(yè)績優(yōu)于預(yù)期，CEO宣布大幅削減代工廠投資
7月24日，國際芯片大廠英特爾發(fā)布2025財年第二季度財報，公司單季營收超越預(yù)期，但是公司仍然面臨虧損，新任CEO陳立武通過致員工信，表示英特爾正積極實施一系列策略調(diào)整，目的在恢復(fù)其...
集成電路封裝類型介紹
在智能終端輕薄化浪潮中，集成電路封裝正面臨"尺寸縮減"與"管腳擴容"的雙重擠壓——處理器芯片為處理海量并行數(shù)據(jù)需新增數(shù)百I/O接口，而存儲器卻保持相對穩(wěn)定。這場技術(shù)矛...
印度推首款本土封裝芯片，7月交付
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 據(jù)金融時報報道，Kaynes Semicon宣布，將于2025年7月交付該國首款封裝半導(dǎo)體芯片，初期樣品將交付Alpha Omega半導(dǎo)體公司。 ? Kaynes Semicon是一家專注于半導(dǎo)體制造與封裝技術(shù)...
淺談氮化鎵器件的制造難點
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。...
2.5D及3D集成技術(shù)的熱性能對比
在多芯片封裝趨勢下，一個封裝內(nèi)集成的高性能芯片日益增多，熱管理難題愈發(fā)凸顯。空氣冷卻應(yīng)對此類系統(tǒng)力不從心，致使眾多硅芯片閑置(停運或降頻)，而且高、低功率芯片間的熱耦合還會...
采用扇出晶圓級封裝的柔性混合電子
在柔性混合電子（FHE）系統(tǒng)中，柔性實現(xiàn)的難點在于異質(zhì)材料的協(xié)同工作。硅基芯片、金屬互連、聚合物基板等組件的彈性模量差異巨大，硅的脆性與金屬的延展性形成鮮明對比，而聚合物的低...
RISC V幌子下的MIPS收購案，格芯要的到底是什么？
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 不久前，格羅方德（GlobalFoundries）官網(wǎng)發(fā)文稱，Global Foundries宣布與人工智能和處理器IP領(lǐng)先供應(yīng)商MIPS達成最終收購協(xié)議。兩家公司共同表示，這項戰(zhàn)略性收購將擴大格羅...
2025-07-23 標(biāo)簽： 5886
如何從PCB焊盤移除阻焊層和錫膏層
使用焊盤屬性中 Solder Mask Expansion 的 “ Tented ” 選項：該選項會移除所有阻焊層，導(dǎo)致焊盤頂層 / 底層的阻焊層無開口（即完全覆蓋）。阻焊層擴展值為正值時表示向外擴展，若需要阻焊層覆蓋...
晶圓清洗后表面外延顆粒要求
晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo)，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點：一、顆粒...
2025-07-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體制造 2571
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及...
今日看點丨我國團隊研制出系列牛用基因芯片；Littelfuse推出緊湊型PTS647輕觸開
1、我國團隊研制出系列牛用基因芯片 日前，國家乳液技術(shù)創(chuàng)新中心傳來消息，該中心技術(shù)研發(fā)團隊成功研制出奶牛種用胚胎基因組遺傳評估芯片和“高產(chǎn)、抗病、長生產(chǎn)期”功能強化基因組預(yù)...
環(huán)旭電子系統(tǒng)級封裝屏蔽隔柵技術(shù)介紹
要能夠在先進封裝領(lǐng)域立足，關(guān)鍵制程的每一個環(huán)節(jié)都不能馬虎，必須要先能清楚掌握，并達成客戶最需要的核心價值，也就是系統(tǒng)「高度集成化」的整合能力。延續(xù)上一篇的「共形屏蔽」技術(shù)...
2025-07-21 標(biāo)簽：SiP封裝環(huán)旭電子 1723
FOPLP工藝面臨的挑戰(zhàn)
FOPLP 技術(shù)目前仍面臨諸多挑戰(zhàn)，包括：芯片偏移、面板翹曲、RDL工藝能力、配套設(shè)備和材料、市場應(yīng)用等方面。...
漢思新材料：PCB器件點膠加固操作指南
點膠加固焊接好的PCB板上的器件是一個常見的工藝，主要用于提高產(chǎn)品在振動、沖擊、跌落等惡劣環(huán)境下的可靠性。操作時需要謹(jǐn)慎，選擇合適的膠水、位置和用量至關(guān)重要。以下是詳細(xì)的步驟...
CMP工藝中的缺陷類型
CMP是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的平坦化工藝，它通過機械磨削和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式，去除材料以實現(xiàn)平坦化。然而，由于其復(fù)雜性，CMP工藝中可能會出現(xiàn)多種缺陷。這些缺陷通?？梢苑譃闄C械、化...
Nexperia推出采用銅夾片封裝的雙極性晶體管
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列的新產(chǎn)品旨在...
基于板級封裝的異構(gòu)集成詳解
基于板級封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法，結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念，通過SiP技術(shù)集成多材料（如Si、GaN、光子器件等）裸片及無源元件，借助扇出晶圓級...
臺積電Q2凈利潤3982.7億新臺幣 暴增60% 創(chuàng)歷史新高
據(jù)臺積電公布的財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，臺積電在2025年第二季度營收達到9337.9億新臺幣，同比增長高達38.6%；凈利潤達到3982.7億新臺幣，同比增長高達60.7%；超出市場預(yù)期而且創(chuàng)下歷史新高。臺積電在第...
2025-07-17 標(biāo)簽：臺積電 2634
晶圓制造中的WAT測試介紹
Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。它通過對晶圓上關(guān)鍵參數(shù)的測量和分析，幫助識別工藝中的問題，并為良率提升提供數(shù)據(jù)支持。在芯片項目的量產(chǎn)管理中...
詳解CSP封裝的類型與工藝
1997年，富士通公司研發(fā)出一種名為芯片上引線（Lead On Chip，LOC）的封裝形式，稱作LOC型CSP。為契合CSP的設(shè)計需求，LOC封裝相較于傳統(tǒng)引線框架CSP做出了一系列革新設(shè)計：將芯片焊盤移至中部，...
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