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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>工藝綜述>

臺積電2nm制程良率已超60%

據(jù)外媒wccftech的報道,臺積電2nm制程取得了突破性進展;蘋果的A20芯片或成首發(fā)客戶;據(jù)Wccftech的最新消息顯示,臺積電公司已啟動2nm測試晶圓快速交付計劃,當前試產(chǎn)良率突破60%大關(guān),較三個...

2025-03-24 標簽:臺積電2nm 1581

羅徹斯特電子為傳統(tǒng)MC68000系列產(chǎn)品提供復(fù)產(chǎn)解決方案

為關(guān)鍵元器件延長壽命 關(guān)于Okuma Corporation OKUMA是計算機數(shù)控(CNC)機床、控制器和自動化系統(tǒng)的全球領(lǐng)導者。 該公司成立于1898年,總部位于日本名古屋,是業(yè)內(nèi)唯一能單獨提供一整套CNC機床、控...

2025-03-18 標簽:羅徹斯特mc68000羅徹斯特 1855

曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(SF4X)進行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝...

2025-03-12 標簽:4nm三星 13596

美報告:中國芯片研究論文全球領(lǐng)先

據(jù)新華社報道,美國喬治敦大學“新興技術(shù)觀察項目(ETO)”3日在其網(wǎng)站發(fā)布一份報告說,2018年至2023年間,在全球發(fā)表的芯片設(shè)計和制造相關(guān)論文中,中國研究人員的論文數(shù)量遠超其他國家,...

2025-03-05 標簽:芯片芯片設(shè)計芯片制造 1989

芯波微電子持續(xù)拓展400G多模光模塊產(chǎn)品

芯波微電子持續(xù)拓展400G多模光模塊產(chǎn)品

芯波微電子的兩款400G產(chǎn)品近日分別測得一流性能。這兩款產(chǎn)品包括一款用于400G多模光模塊的TIA芯片XB1552(通道間距250um),和一款400G VCSEL激光驅(qū)動器芯片XB2551L。這樣,芯波微電子400G產(chǎn)品家族...

2025-03-03 標簽:光模塊芯波微電子 2348

三安意法重慶8英寸碳化硅項目正式通線 將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)

2月27日,三安光電與意法半導體在重慶合資設(shè)立的安意法半導體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計項目將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn),這將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線,...

2025-02-27 標簽:晶圓襯底碳化硅三安光電意法半導件 6038

調(diào)查稱韓國半導體技術(shù)全面落后中國

根據(jù)韓國科技評估與規(guī)劃研究院(KISTEP)發(fā)布的一份調(diào)查報告顯示韓國半導體技術(shù)全面落后中國。KISTEP針對39名韓國國內(nèi)專家實施問卷調(diào)查的結(jié)果顯示,截至去年,若將技術(shù)最先進國家的水平設(shè)...

2025-02-24 標簽:半導體 1566

臺積電4nm芯片量產(chǎn)

據(jù)臺灣《聯(lián)合報》的消息,美國商務(wù)部長雷蒙多近日對英國路透社透露,臺積電最近幾周已開始在美國亞利桑那州廠為美國客戶生產(chǎn)先進的4納米芯片。雷蒙多表示這是美國史上首度在本土由美...

2025-01-13 標簽:臺積電4nm 1731

晶合集成全資子公司皖芯集成大手筆 晶圓大廠引資95.5億

近日,晶合集成發(fā)布公告,宣布與十五家外部投資者就向全資子公司皖芯集成增資事宜簽署了增資協(xié)議,且協(xié)議條款保持一致。這一舉動不僅彰顯了市場對晶合集成及其子公司皖芯集成的強烈信...

2025-01-22 標簽:半導體晶圓晶合集成 1984

SMT來料質(zhì)檢:確保電子生產(chǎn)質(zhì)量的關(guān)鍵

SMT來料質(zhì)檢:確保電子生產(chǎn)質(zhì)量的關(guān)鍵

來料檢驗是SMT組裝品質(zhì)控制的首要環(huán)節(jié),對確保最終產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。嚴格檢驗原材料可以避免不合格品影響公司聲譽及造成經(jīng)濟損失,如返修、返工和退貨等。因此,在接收物料時,應(yīng)依據(jù)...

2025-01-07 標簽:元器件smtDFMPCB 4197

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領(lǐng)域,設(shè)計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。 本文為白皮書第一部分,將重點...

2025-01-05 標簽:安森美SiCGaN碳化硅寬禁帶半導體 2797

QFN封裝和DFN封裝有何區(qū)別?

DFN封裝和QFN封裝作為技術(shù)先進的芯片封裝形式,具有許多共同點。首先,它們都屬于無引腳表面貼裝封裝結(jié)構(gòu),這使得它們在現(xiàn)代電子制造中具有極高的集成度和靈活性。...

2024-12-30 標簽:封裝QFN封裝DFN封裝QFN封裝封裝 5004

芯片軍備競賽:韓國打造全球最大半導體中心

韓國政府近日提前三個月批準了龍仁半導體國家工業(yè)園區(qū)的建設(shè)計劃,這一舉措將大幅縮短項目規(guī)劃時間,標志著韓國在全球半導體產(chǎn)業(yè)中的地位再次得到加強。...

2024-12-30 標簽:芯片半導體SK海力士三星SK海力士三星半導體芯片 1805

韓媒消息稱三星“洗牌”半導體封裝供應(yīng)鏈

12 月 25 日消息,韓媒 ETNews 今天(12 月 25 日)發(fā)布,三星正計劃“洗牌”先進半導體封裝供應(yīng)鏈,將從根本上重新評估材料、零部件和設(shè)備,影響開發(fā)到采購各個環(huán)節(jié),從而進一步增強技術(shù)競...

2024-12-25 標簽:封裝半導體封裝三星 1897

現(xiàn)代汽車解散半導體戰(zhàn)略部門,原計劃自研5nm芯片

據(jù)報道,現(xiàn)代汽車集團已解散其半導體戰(zhàn)略集團,該集團是一個關(guān)鍵部門,負責推動公司內(nèi)部開發(fā)汽車半導體,以減少對外部供應(yīng)商的依賴。作為更廣泛重組的一部分,其職能和人員正在被重新...

2024-12-25 標簽:半導體現(xiàn)代汽車自動駕駛 1254

依托Chiplet&高性能RDMA,奇異摩爾斬獲全國顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽(未來制造領(lǐng)域賽)優(yōu)勝獎

依托Chiplet&高性能RDMA,奇異摩爾斬獲全國顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽(未來制造

? ? 近日,第十三屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽(未來制造領(lǐng)域賽)獲獎結(jié)果出爐,奇異摩爾參賽項目【基于Chiplet+RDMA技術(shù)的下一代萬卡AI集群的全棧式互聯(lián)解決方案】榮獲優(yōu)勝獎。...

2024-12-19 標簽:RDMA算力chiplet奇異摩爾 2461

安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅...

2024-12-12 標簽:MOSFET功率MOSFETNexperia安世半導體 5028

三星電子將擴大蘇州先進封裝工廠產(chǎn)能,強化半導體封裝業(yè)務(wù)

據(jù) Business Korea 周二報道,行業(yè)消息稱三星電子正在擴大國內(nèi)外投資,以強化其先進半導體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導體芯片如何適配目標設(shè)備,而對于 HBM4 等下一代高帶寬存儲(HBM)產(chǎn)品...

2024-11-25 標簽:半導體三星電子封裝先進封裝 1722

芯火三十年:根芽時代(2000-2010)

芯火三十年:根芽時代(2000-2010)

芯片烈火,燎原三十年...

2024-11-20 標簽:芯片半導體 3140

4511.6億元,多款國產(chǎn)傳感器打破壟斷 無錫 中國芯片第二城

4511.6億元,多款國產(chǎn)傳感器打破壟斷 無錫 中國芯片第二城

? ? C919大型客機是我國首次按照國際通行適航標準自行研制、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的噴氣式干線客機,在2007年立項,并于2017年首飛。資料顯示,C919的國產(chǎn)化率大概在5~6成,其中,航電、電氣系...

2024-11-21 標簽:傳感器mems智能傳感器 2676

東南大學:研發(fā)有序介孔TMDs/MOs半導體異質(zhì)結(jié)室溫NO2傳感

東南大學:研發(fā)有序介孔TMDs/MOs半導體異質(zhì)結(jié)室溫NO2傳感

二維過渡金屬硫族化合物(TMDs)半導體材料因其可調(diào)的帶隙和高效的載流子輸運而被廣泛應(yīng)用于界面反應(yīng)和電子器件。然而,塊體樣品或堆疊的納米片中缺乏完全暴露的活性位點限制了它們的...

2024-10-23 標簽:半導體東南大學復(fù)合材料 2100

一文了解硅通孔(TSV)及玻璃通孔(TGV)技術(shù)

一文了解硅通孔(TSV)及玻璃通孔(TGV)技術(shù)

按照封裝的外形,可將封裝分為 插孔式封裝 、 表面貼片式封裝 、 BGA 封裝 、 芯片尺寸封裝 (CSP), 單芯片模塊封裝 (SCM,印制電路板(PCB)上的布線與集成路(IC)板焊盤之間的縫隙匹配), 多芯片...

2024-10-14 標簽:半導體TSV硅通孔3D封裝 5139

集成電路的互連線材料及其發(fā)展

尤其是當電路的特征尺寸越來越小的時候,互連線引起的各種效應(yīng)是影響電路性能的重要因素。本文闡述了傳統(tǒng)金屬鋁以及合金到現(xiàn)在主流的銅以及正在發(fā)展的新型材料———碳納米管作為互連...

2024-11-01 標簽:集成電路封裝碳納米管互連線材料封裝碳納米管集成電路 3421

預(yù)鍍框架銅線鍵合的腐蝕失效分析與可靠性

預(yù)鍍框架銅線鍵合的腐蝕失效分析與可靠性

集成電路預(yù)鍍框架銅線鍵合封裝在實際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)第二鍵合點失效,通過激光開封和橫截面分析,鍵合失效與電化學腐蝕機理密切相關(guān)。通過 2 000 h 高溫存儲試驗和高溫高濕存儲試驗,研究預(yù)鍍...

2024-11-01 標簽:封裝可靠性分析失效分析鍵合 3848

鋁帶鍵合點根部損傷研究

鋁帶鍵合點根部損傷研究

潘明東 朱悅 楊陽 徐一飛 陳益新 (長電科技宿遷股份公司) 摘要: 鋁帶鍵合作為粗鋁線鍵合的延伸和發(fā)展,鍵合焊點根部損傷影響了該工藝的發(fā)展和推廣,該文簡述了鋁帶鍵合工藝過程,分...

2024-11-01 標簽:封裝鍵合 3453

皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

在切割脆性 SiC 晶片時,必須減少或完全消除機械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機械變化降至最低。同時還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度,以限制“空間”尺寸(即相鄰電...

2024-09-11 標簽:激光器SiC碳化硅 2304

硅通孔三維互連與集成技術(shù)

硅通孔三維互連與集成技術(shù)

本文報道了硅通孔三維互連技術(shù)的核心工藝以及基于TSV形成的眾多先進封裝集成技術(shù)。形成TSV主要有Via-First、Via-Middle、Via-Last 3大技術(shù)路線。TSV 硅刻蝕、TSV 側(cè)壁鈍化、TSV 電鍍等工藝是TSV技術(shù)的...

2024-11-01 標簽:封裝TSV硅通孔3D封裝3D封裝TSVwlcsp封裝硅通孔 5685

芯片堆疊封裝技術(shù)實用教程(52頁PPT)

芯片堆疊封裝技術(shù)實用教程(52頁PPT)

芯片堆疊封裝技術(shù)實用教程...

2024-11-01 標簽:封裝封裝技術(shù)芯片堆疊 4426

淺談薄膜沉積

薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。從半導體芯片制作工藝流程來說...

2024-11-01 標簽:半導體封裝襯底晶圓制造 4858

金線鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁PPT)

金線鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁PPT)

金線鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁PPT)...

2024-11-01 標簽:封裝鍵合 3621

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