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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>工藝綜述>

LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問(wèn)題的優(yōu)化方案

LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問(wèn)題的優(yōu)化方案

現(xiàn)代LTCC技術(shù)是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿和精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出所設(shè)計(jì)的電路版圖,并將多個(gè)元器件埋入多層陶瓷基板中...

2023-02-14 標(biāo)簽:工藝制造工藝基板LTCC有源器件 3803

深圳“芯火”平臺(tái)——面向全國(guó)IC企業(yè)提供芯片快速封裝服務(wù)

深圳“芯火”平臺(tái)——面向全國(guó)IC企業(yè)提供芯片快速封裝服務(wù)

國(guó)家“芯火”雙創(chuàng)基地 (平臺(tái)) 在國(guó)家工信部重點(diǎn)部署推進(jìn)下,于2016年底由微納研究院與深圳IC 基地共建的全國(guó)首批國(guó)家“芯火”平臺(tái)。深圳“芯火”平臺(tái)聚集集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè),定位國(guó)產(chǎn)自主...

2023-02-20 標(biāo)簽:IC封裝 4757

半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講,外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,如集成電路工業(yè)的外...

2023-02-13 標(biāo)簽:集成電路工藝晶體管單晶MOS 18132

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來(lái)形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū),多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。...

2023-02-13 標(biāo)簽:多晶硅半導(dǎo)體晶體管刻蝕刻蝕工藝 13020

電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的變化和熱設(shè)計(jì)

電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的變化和熱設(shè)計(jì)

上一篇大致介紹了半導(dǎo)體元器件熱設(shè)計(jì)的重要性。本文我們希望就半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)再進(jìn)行一些具體說(shuō)明。近年來(lái),“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計(jì)靈活性”已經(jīng)成為半導(dǎo)體元器件技術(shù)...

2023-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件電子設(shè)備熱設(shè)計(jì) 2728

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技...

2023-02-03 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 6305

CMP工藝技術(shù)淺析

CMP工藝技術(shù)淺析

在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒(méi)有合適的拋光工藝無(wú)法繼續(xù)推進(jìn)之時(shí),CMP技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。傳統(tǒng)的機(jī)械拋光和化學(xué)拋...

2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路封裝工藝芯片制造CMP 6891

半導(dǎo)體設(shè)備廠商客戶(hù)持續(xù)砍單

半導(dǎo)體設(shè)備廠商客戶(hù)持續(xù)砍單 由于疫情、地緣沖突等因素干擾,PC手機(jī)等消費(fèi)電子市場(chǎng)需求不斷減弱,加之美國(guó)不斷提高對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體制裁力度,出現(xiàn)了半導(dǎo)體設(shè)備廠商客戶(hù)持續(xù)砍單的現(xiàn)象。...

2023-01-29 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體SK海力士半導(dǎo)體設(shè)備 3578

Chipletz選擇西門(mén)子EDA半導(dǎo)體封裝技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)智能基板產(chǎn)品

Chipletz 的首席執(zhí)行官 Bryan Black 表示:“作為一家無(wú)晶圓廠基底供應(yīng)商和小芯片集成商,我們開(kāi)發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)填補(bǔ)摩爾定律放緩與對(duì)計(jì)算性能不斷增長(zhǎng)的需求之間的鴻溝。我們選擇西門(mén)子E...

2023-01-17 標(biāo)簽:封裝西門(mén)子socedaChipletz 766

平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層(ILD)后,插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層,即在化學(xué)機(jī)械拋光(露出多晶硅柵疊層)后,刻蝕掉硬掩模(氮化硅/氧化硅),利用干法或濕法刻蝕清除多晶硅...

2023-01-17 標(biāo)簽:CMOS多晶硅晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管刻蝕 4051

長(zhǎng)電科技實(shí)現(xiàn)4nm工藝制程手機(jī)芯片封裝

長(zhǎng)電科技積極推動(dòng)傳統(tǒng)封裝技術(shù)的突破,率先在晶圓級(jí)封裝、倒裝芯片互連、硅通孔 (TSV) 等領(lǐng)域中采用多種創(chuàng)新集成技術(shù),以開(kāi)發(fā)差異化的解決方案,幫助客戶(hù)在其服務(wù)的市場(chǎng)中取得成功。 長(zhǎng)...

2022-12-27 標(biāo)簽:封裝長(zhǎng)電科技4nm 4839

超薄MTC封裝130A~300A三相橋式功率模塊具有優(yōu)異熱性能低成本更可靠

超薄MTC封裝130A~300A三相橋式功率模塊具有優(yōu)異熱性能低成本更可靠

Vishay MTC封裝超薄 130A~300A三相橋式功率模塊 孟買(mǎi)組裝廠生產(chǎn)的 130 A~300 A 器件具有優(yōu)異熱性能 適用于各種工業(yè)應(yīng)用 Vishay? 推出三款采用超薄 MTC 封裝的新系列 130 A~300 A 三相橋式功率模塊,可提高...

2022-12-16 標(biāo)簽:Vishay工業(yè)功率模塊MTCVishay功率模塊威世工業(yè) 1973

【知識(shí)分享】關(guān)于電子元器件封裝的幾個(gè)小知識(shí)(文末領(lǐng)資料)

【知識(shí)分享】關(guān)于電子元器件封裝的幾個(gè)小知識(shí)(文末領(lǐng)資料)

貼片元器件封裝形式是半導(dǎo)體器件的一種封裝形式。SMT 所涉及的零件種類(lèi)繁多,樣式各異,有許多已經(jīng)形成了業(yè)界通用的標(biāo)準(zhǔn),這主要是一些芯片電容電阻等等。本文將與大家分享封裝類(lèi)型,...

2022-12-12 標(biāo)簽:芯片電子元器件電容封裝PCB 4983

ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車(chē)電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材...

2022-12-08 標(biāo)簽:ST意法半導(dǎo)體襯底碳化硅SOITEC 1209

英特爾已大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片 4納米芯片準(zhǔn)備中 并將導(dǎo)入3納米

英特爾已大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片 4納米半芯片準(zhǔn)備中 并將導(dǎo)入3納米 英特爾期望能夠在2030年前成長(zhǎng)為全球第二大晶圓代工廠,為了能夠?qū)崿F(xiàn)這個(gè)預(yù)期目標(biāo),英特爾將投資800億美元在美國(guó)和德國(guó)建...

2022-12-07 標(biāo)簽:芯片英特爾晶圓7nm 3783

Cerebras的實(shí)力 用整塊晶圓做的大芯片

Cerebras以設(shè)計(jì)晶圓級(jí)別的芯片聞名,CS-2由世界最大芯片Cerebras WSE-2處理器提供動(dòng)力(WSE-2將2.6萬(wàn)億個(gè)晶體管和85萬(wàn)個(gè)內(nèi)核裝在一塊餐盤(pán)大小的晶圓上)。 ? ? ? 在 SC22 上,Cerebras 展示了我們很少...

2022-12-05 標(biāo)簽:芯片晶圓人工智能計(jì)算平臺(tái)AI芯片 4049

微電子所等在超強(qiáng)抗輻射碳納米管器件與電路研究中取得進(jìn)展

新一代航天器對(duì)宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),是后摩爾時(shí)代最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體技術(shù)之一,并具有較強(qiáng)的空間應(yīng)用前景。 中國(guó)科...

2022-12-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器碳納米管晶體管輻射 4129

綜述高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板研究現(xiàn)狀

目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì),因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來(lái)替換氧化物燒結(jié)助劑,如 YF3-MgO、MgF2-Y2O3、Y2Si4N6C-MgO、MgSiN2-YbF3 等在提高熱導(dǎo)率方面也取...

2022-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子器件基板熱導(dǎo)率陶瓷基板氮化硅 4746

羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

? ? ? 日本媒體報(bào)道稱(chēng)日本羅姆(ROHM)12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱(chēng),羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體專(zhuān)用廠房實(shí)...

2022-11-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅羅姆第三代半導(dǎo)體 1077

華為最新消息 EUV光刻技術(shù)新專(zhuān)利面市

華為最新消息 EUV光刻技術(shù)新專(zhuān)利面市

對(duì)于光刻機(jī)難道我們真就毫無(wú)還手之力了?其實(shí)也不見(jiàn)得,華為最新的專(zhuān)利端上來(lái)了,看看這道硬菜。日前,華為一項(xiàng)名為“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”的新專(zhuān)利公開(kāi),專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?C...

2022-11-21 標(biāo)簽:華為專(zhuān)利光刻機(jī)EUVASML 3897

鴻海、Vedanta合資的28nm晶圓廠計(jì)劃2025年投產(chǎn)

根據(jù)公開(kāi)資料顯示,Vedanta與鴻海集團(tuán)雙方將投資1.54萬(wàn)億盧比(約合人民幣1339.83億元)在古吉拉特邦建設(shè)半導(dǎo)體項(xiàng)目;Vedanta和鴻海集團(tuán)將分別持有合資公司60%和40%的股權(quán)。 ? ? ? ?日前有消息...

2022-11-17 標(biāo)簽:晶圓鴻海28nm 4585

2022年Q3臺(tái)積電代工收益超過(guò)200億美元

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Strategy Analytics 最新報(bào)告,2022 年 Q3 臺(tái)積電代工收益超過(guò) 200 億美元,超過(guò)了其他所有廠商 ( 包括三星 ) 的總和。 ? ?所有主要代工廠都實(shí)現(xiàn)了兩位數(shù)的營(yíng)收增長(zhǎng);比如 臺(tái)積電...

2022-11-17 標(biāo)簽:臺(tái)積電臺(tái)積電巴菲特 843

ASML將在韓建立半導(dǎo)體設(shè)備支持中心

ASML將在韓建立半導(dǎo)體設(shè)備支持中心 荷蘭公司ASML透露其將頭資 2400 億韓元(1.81 億美元)在韓國(guó)設(shè)立一個(gè)新的支持中心,以更好的服務(wù)客戶(hù)。設(shè)備支持中心包括維修中心、培訓(xùn)與研發(fā)中心、教育...

2022-11-17 標(biāo)簽:ASML半導(dǎo)體設(shè)備 764

臺(tái)積電7nm產(chǎn)能利用率下滑

臺(tái)積電7nm產(chǎn)能利用率下滑 業(yè)界傳出消息說(shuō)臺(tái)積電7 納米的產(chǎn)能利用率已跌至50% 以下,2023 年首季跌勢(shì)加劇,高雄7 納米擴(kuò)產(chǎn)亦已暫緩。對(duì)此消息臺(tái)積電表示不予置評(píng)。 行業(yè)人士認(rèn)為臺(tái)積電高雄...

2022-11-16 標(biāo)簽:臺(tái)積電7nm 4293

造芯片的沙子還夠用嗎

現(xiàn)在造芯片的沙子還夠用嗎?電腦、手機(jī)、汽車(chē)上加載的電子元器件越來(lái)越多,需要用到的硅材料也同步越來(lái)越多,而硅材料主要來(lái)源于沙礫。而英國(guó)《自然》雜志消息透露出來(lái)一擔(dān)憂(yōu),目前沙...

2022-11-15 標(biāo)簽:芯片單晶硅 1856

芯來(lái)科技宣布正式加入U(xiǎn)CIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟是一個(gè)開(kāi)放的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,由AMD、Arm、ASE、Google Cloud、Intel、Meta、Microsoft、Qualcomm、Samsung和TSMC十家先進(jìn)半導(dǎo)體公司于2022年3月建立。...

2022-11-15 標(biāo)簽:RISC-VRISC-V處理器chipletUCIechipletRISC-VRISC-V處理器UCIe芯來(lái)科技 3269

日月光VIPack?平臺(tái)系列最新進(jìn)展FOCoS技術(shù)

日月光半導(dǎo)體宣布FOCoS(Fan Out Chip on Substrate)扇出型基板上芯片封裝技術(shù)的最新進(jìn)展,F(xiàn)OCoS為業(yè)界創(chuàng)新的系統(tǒng)級(jí)封裝整合技術(shù),是VIPack垂直互連整合封裝平臺(tái)的6大核心封裝技術(shù)之一員,包含兩種...

2022-11-07 標(biāo)簽:封裝COS日月光 3966

華潤(rùn)微電子建設(shè)12英寸集成電路生產(chǎn)線一期總投資220億

據(jù)深圳發(fā)布官方消息,華潤(rùn)微電子深圳 12 英寸集成電路生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目日前宣布開(kāi)工。該項(xiàng)目一期總投資 220 億元,聚焦 40 納米以上模擬特色工藝,建成后將形成年產(chǎn) 48 萬(wàn)片 12 英寸功率芯片的...

2022-11-01 標(biāo)簽:集成電路華潤(rùn)微電子 2847

ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī)

ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī)

ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī) 荷蘭ASML公司 (全稱(chēng): Advanced Semiconductor Material Lithography,該全稱(chēng)已經(jīng)不作為公司標(biāo)識(shí)使用,公司的注冊(cè)標(biāo)識(shí)為ASML Holding N.V),中文名稱(chēng)為阿斯麥爾(中國(guó)大...

2022-10-31 標(biāo)簽:光刻機(jī)EUVASMLDUV 8223

長(zhǎng)電科技高性能封裝技術(shù)開(kāi)辟芯片成品制造新空間 長(zhǎng)電科技第三季利潤(rùn)達(dá)9.1億

2022第三季度財(cái)務(wù)亮點(diǎn) 三季度實(shí)現(xiàn)收入為人民幣 91.8億元 ,前三季度累計(jì)實(shí)現(xiàn)收入為人民幣 247.8億元 ,同創(chuàng)歷年同期新高。三季度和前三季度累計(jì)收入同比分別增長(zhǎng) 13.4% 和 13.1% 。 三季度凈利潤(rùn)...

2022-10-28 標(biāo)簽:封裝長(zhǎng)電科技封裝異構(gòu)集成長(zhǎng)電科技 969

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